921 resultados para cs.CV
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聚苯硫醚(PPS)是特种工程塑料中应用最广、价格最低的品种。但由于其耐冲击性差,限制了其做为结构材料的应用。本论文通过多种研究方法,研究了PPS抗冲击性差的根本原因和改善途径,从改变其聚集态结构入手,使韧性得到了很大改善,为高抗冲PPS的研制提供和积累了丰富了可靠的数据,其创新性成果体现在:提出了含刚性非晶相、可动(类液)非晶相和晶相的PPS三相模型并计算了各相的相对含量、测定了各相的密度;发现了PPS的冲击强度与其结晶度呈近似线性的关系。是十分有意义的基础性工作。用核壳乳液聚合物做为PC的增韧剂,有效地控制了共混物的形态结构、计算出了界面层厚度与界面张力,为制备具有综合性能的改性PC材料奠定了理论和实践基础。
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The geometrical parameters and electronic structures of C60, (A partial derivative C60) (A = Li, Na, K, Rb, Cs) and (H partial derivative C60) (H = F, Cl, Br, I) have been calculated by the EHMO/ASED (atom superposition and electron delocalization) method. When putting a central atom into the C60 cage, the frontier and subfrontier orbitals of (A partial derivative C60) (A = Li, Na, K, Rb, Cs) and (H partial derivative C60) (H = F, Cl) relative to those of C60 undergo little change and thus, from the viewpoint of charge transfer, A (A = Li, Na, K, Rb, Cs) and H (H = F, Cl) are simply electron donors and acceptors for the C60 cage resPeCtively. Br is an electron acceptor but it does influence the frontier and subfrontier MOs for the C60 cage, and although there is no charge transfer between I and the C60 cage, the frontier and subfrontier MOs for the C60 cage are obviously influenced by I. The stabilities DELTAE(X) (DELTAE(X) = (E(X) + E(C60)) - E(x partial derivative C60)) follow the sequence I < Br < None < Cl < F < Li < Na < K < Rb < Cs while the cage radii r follow the inverse sequence. The stability order and the cage radii order have been explained by means of the (exp-6-1) potential.
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用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。
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于2010-11-23批量导入
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<正>研究了CS(偶应力)和SG(二阶梯度)应变梯度复合材料中的单夹杂问题,分别得到了无限大各向同性CS和SG应变梯度介质中含有椭球形夹杂时的Eshelby张量的解析表达式,该解析解只包含一个一维积分,是目前应变梯度椭球形Eshelby张量最简单的形式。球形夹杂、长纤维夹杂的Eshleby张量都可以由它简化得到,是其一
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用47 MeV/u 12C离子轰击133Cs靶,应用放射化学分离技术和离线γ射线谱学,得到碘同位素的产生截面。丰中子碘同位素的独立产生截面指数地依赖于Qgg值,而缺中子碘同位素的独立产生截面则偏离这一直线关系。这一事实可对在深部非弹转移过程中产生丰中子碘同位素予以解释。
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使用47MeV/u12C离子轰击133Cs靶,由多核子转移反应产生Ba同位素。使用放射化学方法,从133Cs和反应产物中分离出产物Ba,再使用高纯Ge探测器测量Ba放射性同位素的γ活性,根据Ba同位素的活度和其他相关数据,确定Ba同位素的产生截面。通过分析测得的Ba同位素的厚靶平均产生截面,发现缺中子Ba同位素的独立截面不遵从规则的Qgg系统性。该结果可用重离子碰撞中的次级过程加以解释。
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通过116Cd(14N,5n),Ebeam=65MeV的核反应布居了125Cs的高自旋态.利用在束γ谱学实验方法,进行了γ γ符合测量,使已知的125Cs核能级纲图得到了扩展,并且修正了某些组态的带头激发能.
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IEECAS SKLLQG
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IEECAS SKLLQG