Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

Défauts et diffusion dans le silicium amorphe

Nous avons observé une augmentation ‘’transient’’du taux de cristallisation interfacique de l’a-Si lorsqu’on réimplante du Si à proximité de l’interface amorphe/cristal. Après amorphisation et traitement thermique à 650°C pendant 5s de la couche a-Si crée par implantation ionique, une partie a été réimplantée. Les défauts produits par auto-réimplantation à 0.7MeV se trouvent à (302±9) nm de l’interface initiale. Cela nous a permis d’étudier d’avantage la variation initiale de la vitesse SPE (Épitaxie en phase solide). Avec des recuit identiques de 4h à 500°C, nous avons déterminé les positions successives des interfaces et en déduit les taux de cristallisation SPE. La cristallisation débute à l’interface et continue graduellement vers la surface. Après le premier recuit, (252±11) nm s’est recristallisé dans la zone réimplantée soit un avancement SPE de 1.26x10^18at./cm2. Cette valeur est environ 1.50 fois plus importante que celle dans l’état relaxé. Nous suggérons que la présence de défauts à proximité de l’interface a stimulé la vitesse initiale. Avec le nombre de recuit, l’écart entre les vitesses diminue, les deux régions se cristallisent presque à la même vitesse. Les mesures Raman prises avant le SPE et après chaque recuit ont permis de quantifier l’état de relaxation de l’a-Si et le transfert de l’état dé-relaxé à relaxé.

Mesure des champs de radiation dans le détecteur ATLAS et sa caverne avec les détecteurs au silicium à pixels ATLAS-MPX

Les collisions proton-proton produites par le LHC imposent un environnement radiatif hostile au détecteur ATLAS. Afin de quantifier les effets de cet environnement sur la performance du détecteur et la sécurité du personnel, plusieurs simulations Monte Carlo ont été réalisées. Toutefois, la mesure directe est indispensable pour suivre les taux de radiation dans ATLAS et aussi pour vérifier les prédictions des simulations. À cette fin, seize détecteurs ATLAS-MPX ont été installés à différents endroits dans les zones expérimentale et technique d'ATLAS. Ils sont composés d'un détecteur au silicium à pixels appelé MPX dont la surface active est partiellement recouverte de convertisseurs de neutrons thermiques, lents et rapides. Les détecteurs ATLAS-MPX mesurent en temps réel les champs de radiation en enregistrant les traces des particules détectées sous forme d'images matricielles. L'analyse des images acquises permet d'identifier les types des particules détectées à partir des formes de leurs traces. Dans ce but, un logiciel de reconnaissance de formes appelé MAFalda a été conçu. Étant donné que les traces des particules fortement ionisantes sont influencées par le partage de charge entre pixels adjacents, un modèle semi-empirique décrivant cet effet a été développé. Grâce à ce modèle, l'énergie des particules fortement ionisantes peut être estimée à partir de la taille de leurs traces. Les convertisseurs de neutrons qui couvrent chaque détecteur ATLAS-MPX forment six régions différentes. L'efficacité de chaque région à détecter les neutrons thermiques, lents et rapides a été déterminée par des mesures d'étalonnage avec des sources connues. L'étude de la réponse des détecteurs ATLAS-MPX à la radiation produite par les collisions frontales de protons à 7TeV dans le centre de masse a montré que le nombre de traces enregistrées est proportionnel à la luminosité du LHC. Ce résultat permet d'utiliser les détecteurs ATLAS-MPX comme moniteurs de luminosité. La méthode proposée pour mesurer et étalonner la luminosité absolue avec ces détecteurs est celle de van der Meer qui est basée sur les paramètres des faisceaux du LHC. Vu la corrélation entre la réponse des détecteurs ATLAS-MPX et la luminosité, les taux de radiation mesurés sont exprimés en termes de fluences de différents types de particules par unité de luminosité intégrée. Un écart significatif a été obtenu en comparant ces fluences avec celles prédites par GCALOR qui est l'une des simulations Monte Carlo du détecteur ATLAS. Par ailleurs, les mesures effectuées après l'arrêt des collisions proton-proton ont montré que les détecteurs ATLAS-MPX permettent d'observer la désintégration des isotopes radioactifs générés au cours des collisions. L'activation résiduelle des matériaux d'ATLAS peut être mesurée avec ces détecteurs grâce à un étalonnage en équivalent de dose ambiant.

É́tude sur la cinétique des défauts structuraux dans le silicium amorphe.

Cette thèse présente à la fois des résultats de simulations numériques en plus de ré- sultats expérimentaux obtenus en laboratoire sur le rôle joué par les défauts de structure dans le silicium amorphe. Nos travaux de simulation numérique furent réalisés avec une nouvelle méthode de simulation Monte-Carlo cinétique pour décrire l’évolution tempo- relle de modèles de silicium amorphe endommagés sur plusieurs échelles de temps jus- qu’à une seconde à la température pièce. Ces simulations montrent que les lacunes dans le silicium amorphe sont instables et ne diffusent pas sans être détruites. Nous montrons également que l’évolution d’un modèle de silicium amorphe endommagé par une colli- sion ionique lors d’un recuit peut être divisée en deux phases : la première est dominée exclusivement par la diffusion et la création/destruction de défauts de liaison, alors que la deuxième voit les créations/destructions de liens remplacées par des échanges de liens entre atomes parfaitement coordonnés. Les défauts ont aussi un effet sur la viscosité du silicium amorphe. Afin d’approfondir cette question, nous avons mesuré la viscosité du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogéné sous l’effet d’un faisceau d’ions. Nous montrons que la variation de la viscosité dans les deux matériaux est différente : le silicium amorphe hydrogéné a une viscosité constante en fonction de la fluence des ions alors que le silicium amorphe pur a une viscosité qui augmente de façon linéaire. Pour de faibles fluences, la viscosité du silicium hydrogéné est plus grande que la viscosité sans hydrogène. La présence d’hydrogène diminue également l’amplitude de la variation logarithmique de la contrainte observée lors de la relaxation à la température de la pièce.

Stéréotypes et auto-exotisme : les représentations de la sexualité de l'homme noir chez René Depestre et Dany Laferrière

Ce mémoire fait appel aux notions de stéréotype (tel que théorisé par Ruth Amossy, Jean- Louis Dufays et Mireille Rosello) et d’auto-exotisme (défini par Nathalie Schon) afin d’étudier les représentations de la sexualité de l’homme noir dans Alléluia pour une femme-jardin de René Depestre et La chair du maître de Dany Laferrière. Le stéréotype et l’exotisme, tous deux tributaires d’une vision de l’autre généralisante, superficielle et éphémère, nous intéressent dans la mesure où ils sont employés de façon auto-référentielle par ces auteurs d’origine haïtienne, qui mettent en scène des protagonistes noirs correspondant souvent au stéréotype du Noir hyper-sexuel, qui est pourtant issu de fantasmagories coloniales avilissantes. Dans le cadre de cette recherche, nous analysons les différentes postures de la sexualité masculine dans les œuvres susmentionnées afin d’y révéler un emploi varié des stéréotypes, tantôt reconduits, tantôt déplacés, voire rendus désuets ou incertains, grâce à diverses stratégies textuelles comme l’humour, l’ironie, l’exagération ou l’omission. Ce faisant, nous remarquons que l’usage complexe des stéréotypes, chez Depestre et Laferrière, quoi qu’il fasse appel aux mêmes tropes, dénote différents moyens de négocier avec sa propre « étrangeté ».

Analyse des processus de dérive lors de la gravure profonde du silicium dans des plasmas SF6 et C4F8

L’objectif de ce mémoire de maîtrise est de développer des outils de diagnostics non-invasifs et de caractériser in-situ les dérives de procédé dans un réacteur industriel utilisé en production pour la gravure profonde du silicium par le procédé Bosch. Ce dernier repose sur l’alternance d’un plasma de SF6 pour la gravure isotrope du Si et d’un plasma de C4F8 pour la passivation des parois dans l’optique d’obtenir des tranchées profondes et étroites. Dans un premier temps, nous avons installé une sonde courant-tension sur la ligne de transmission du signal rf au porte-substrat pour l’étude de son impédance caractéristique et un spectromètre optique pour l’étude de l’émission optique du plasma. Nos travaux ont montré que l’évolution temporelle de l’impédance constitue un excellent moyen pour identifier des changements dans la dynamique du procédé, notamment une gravure complète de la photorésine. De plus, à partir des spectres d’émission, nous avons pu montrer que des produits carbonés sont libérés du substrat et des parois lors de l’alternance passivation/gravure et que ceux-ci modifient considérablement la concentration de fluor atomique dans le plasma. Dans un second temps, nous avons développé un réacteur à « substrat-tournant » pour l’analyse in-situ des interactions plasma-parois dans le procédé Bosch. Nos travaux sur ce réacteur visaient à caractériser par spectrométrie de masse l’évolution temporelle des populations de neutres réactifs et d’ions positifs. Dans les conditions opératoires étudiées, le SF6 se dissocie à près de 45% alors que le degré de dissociation du C4F8 atteint 70%. Le SF6 est avant tout dissocié en F et SF3 et l’ion dominant est le SF3+ alors que le C4F8 est fragmenté en CF, CF3 et CF4 et nous mesurons plusieurs ions significatifs. Dans les deux cas, la chaîne de dissociation demeure loin d’être complète. Nous avons noté une désorption importante des parois de CF4 lors du passage du cycle de passivation au cycle de gravure. Un modèle d’interactions plasmas-parois est proposé pour expliquer cette observation.

Le "sacré noir" chez Georges Bataille et Hubert Aquin

Thèse de doctorat réalisée en cotutelle entre l'Université Paris IV Sorbonne et l'Université de Montréal

Environnement local des défauts structurels et ordre à moyenne portée dans le silicium amorphe

Malgré une vaste littérature concernant les propriétés structurelles, électroniques et ther- modynamiques du silicium amorphe (a-Si), la structure microscopique de ce semi-cond- ucteur covalent échappe jusqu’à ce jour à une description exacte. Plusieurs questions demeurent en suspens, concernant par exemple la façon dont le désordre est distribué à travers la matrice amorphe : uniformément ou au sein de petites régions hautement déformées ? D’autre part, comment ce matériau relaxe-t-il : par des changements homo- gènes augmentant l’ordre à moyenne portée, par l’annihilation de défauts ponctuels ou par une combinaison de ces phénomènes ? Le premier article présenté dans ce mémoire propose une caractérisation des défauts de coordination, en terme de leur arrangement spatial et de leurs énergies de formation. De plus, les corrélations spatiales entre les défauts structurels sont examinées en se ba- sant sur un paramètre qui quantifie la probabilité que deux sites défectueux partagent un lien. Les géométries typiques associées aux atomes sous et sur-coordonnés sont extraites du modèle et décrites en utilisant les distributions partielles d’angles tétraédriques. L’in- fluence de la relaxation induite par le recuit sur les défauts structurels est également analysée. Le second article porte un regard sur la relation entre l’ordre à moyenne portée et la relaxation thermique. De récentes mesures expérimentales montrent que le silicium amorphe préparé par bombardement ionique, lorsque soumis à un recuit, subit des chan- gements structuraux qui laissent une signature dans la fonction de distribution radiale, et cela jusqu’à des distances correspondant à la troisième couche de voisins.[1, 2] Il n’est pas clair si ces changements sont une répercussion d’une augmentation de l’ordre à courte portée, ou s’ils sont réellement la manifestation d’un ordonnement parmi les angles dièdres, et cette section s’appuie sur des simulations numériques d’implantation ionique et de recuit, afin de répondre à cette question. D’autre part, les corrélations entre les angles tétraédriques et dièdres sont analysées à partir du modèle de a-Si.

L’univers dans un point noir : esthétique et matérialité dans l’oeuvre de Jack Kirby

Notre recherche étudie les particularités esthétiques et matérialistes de l’oeuvre du bédéiste américain Jack Kirby (1917-1994) et la manière dont elles répondent d’agencements qui visent à déconstruire et reconstruire les formes sur la page. Contemporain de Will Eisner, Kirby est largement considéré comme l'auteur et dessinateur le plus influent de son époque, co-signant les premières aventures de certains des super-héros qui perdurent et qui sont aujourd’hui la manne de l’industrie hollywoodienne (Captain America, les Fantastic Four, Hulk, etc.). Son oeuvre protéiforme est composée de superpositions de textures, d’objets récupérés, de figures déviées et trouve dans son rapport à la matière les principaux axiomes qui la définissent. Cherchant dans son travail à cerner les fonctions des nombreux amoncellements de points noirs (baptisés kirby dots par la critique et l’industrie), nous nous écartons des modèles d’analyse sémiologiques pour constituer une approche écosophique de la bande dessinée. Dans cette dernière, nous avons recours à la schizo-analyse théorisée par Gilles Deleuze et Félix Guattari dans leur ouvrage L’Anti-OEdipe (1972) afin de cerner les conditions de la production de sens et de non-sens du point kirbyen. Pour ce faire, nous proposons de reconsidérer la BD comme une écologie séquentialisée, composée de cases sans icônes, c’est-à-dire d’un espace pris au plus près de la planche, pour soi et en soi, sans rapport de causalité fixe ou de structure prédéterminée. Nous envisageons ensuite les territorialités archaïques de la bande dessinée pour mieux définir son ontogénie, puis pour étudier les rapports machiniques et schizos qu’entretiennent entre eux les différents espaces (que nous distinguons en espaces striés et en espaces lisses) ainsi que les différents traits de la planche. Finalement, nous expliquerons en quoi le point kirbyen apparaît comme une machine abstraite, c’est-à-dire une instance capable d’auto-générer, d’auto-poïétiser, son propre mystère représentationnel.

Del Sílex al Silicium : la educación a distancia en el nuevo entorno : excursus histórico y análisis comparativo de modelos.

El objetivo general del que parte esta tesis es demostrar la perfecta integración de la educación y de la formación a distancia al moderno entorno y a las nuevas tecnologías sin rechazar la importancia y la necesidad de la educación presencial integrada en el entorno urbano en el que siguen coexistiendo. Se seleccionaron tanto centros de educación superior como de formación profesional en el país de Portugal. En total fueron cinco los centros elegidos. La investigación está dividida en dos partes principalmente: en la primera de ellas, se presenta un análisis teórico y exahustivo de las diferencias entre la enseñanza presencial y la distal, centrándose sobre todo en la última, y en la segunda parte, se realiza el estudio comparativo propiamente dicho entre ambas enseñanzas, llevando a cabo una selección y análisis de casos. Se pretende comparar los datos históricos y teóricos sobre la enseñanza a distancia con el estudio de casos, con el fin de ver el cambio y la evolución sufridos y poder aventurar los que surgirán en el futuro. La técnica principal utilizada es el análisis comparativo. Cada vez hay una mejor convivencia entre la enseñanza presencial y a distancia, y la tendencia para el futuro parece ser la enseñanza distal. Se constata la tendencia para una convergencia de los modelos básicos de enseñanza-aprendizaje, recontual y distal, conduciendo, muy rápidamente, a formas de 'blended learning' y de 'blended training' que serán paradigmáticas, por lo menos, en las primeras décadas del S. XXI..

Granes per a l' arqueologia [Ressenya de l'article de Buxó i Capdevila, Ramón. Metodología y técnicas para la recuperación de restos vegetales (en especial referéncia a semillas y frutos) en yacimientos arqueológicos. Cahier Noir, núm. 5, 63 p. Girona, 1990]

Ressenya de l'article de Ramón Buxó i Capdevila,'Metodología y técnicas para la recuperación de restos vegetales (en especial referéncia a semillas y frutos) en yacimientos arqueológicos', publicat al número 5 de 'Cahier Noir' l'any 1991. Es reflexiona sobre les disciplines auxiliars de l' Arqueologia

La gouvernance, point noir de l´émergence indienne

India's Constitution is not a covenant, or compact, between the states. The states are the creation of Constitution and subsequently of Parliament. Article 2 of the Constitution empo-wers Parliament to admit into Union, or establish new States on such terms and conditions as it thinks fit . Article 3 gives more comprehensive powers to Parliament for formation of new states and alteration of areas, boundaries or names of the existing States.The Indian Constitution not only permits, but also ordains various States to enact special laws to limit the ownership of land only to some designated residents. Goa does not have to reinvent the wheel. As a full-fledged State of the Indian Union it has to only convince the Union government that the ground of its legitimacy as a State is doomed without the Special Status which may empower the State Government to adopt legal instruments to safeguard its cultural and territorial identity and integrity, the ground of its Statehood.

L'image de l'homme noir dans "La rue Cases-Nègres" de Joseph Zobel

Étude de l'homme noir dans la littérature postcoloniale. Comment cet homme se voit-il dans le roman "La rue Cases-Nègres"?