Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe


Autoria(s): Urli, Xavier
Contribuinte(s)

Lewis, Laurent J.

Data(s)

28/05/2012

28/05/2012

04/09/2008

2007

Resumo

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

Identificador

http://hdl.handle.net/1866/8030

Idioma(s)

en

Palavras-Chave #Silicium amorphe #Amorphous silicon #Approximation des liaisons fortes #Tight-binding #Défauts ponctuels #Point defect #Réseaux aléatoires continus #Continuous random network #Lacunes #Vacancy #Coordination #Coordination #Volume de Voronoï #Voronoi volume #Charge #Charge #Dynamique moléculaire #Molecular dynamics
Tipo

Thèse ou Mémoire numérique / Electronic Thesis or Dissertation