Numerical study of hydrogenic effective mass theory for an impurity P donor in Si in the presence of an electric field and interfaces

In this paper we examine the effects of varying several experimental parameters in the Kane quantum computer architecture: A-gate voltage, the qubit depth below the silicon oxide barrier, and the back gate depth to explore how these variables affect the electron density of the donor electron. In particular, we calculate the resonance frequency of the donor nuclei as a function of these parameters. To do this we calculated the donor electron wave function variationally using an effective-mass Hamiltonian approach, using a basis of deformed hydrogenic orbitals. This approach was then extended to include the electric-field Hamiltonian and the silicon host geometry. We found that the phosphorous donor electron wave function was very sensitive to all the experimental variables studied in our work, and thus to optimize the operation of these devices it is necessary to control all parameters varied in this paper.

Texto para discuss??o 45: a conceitua????o de governabilidade e governan??a, da sua rela????o entre si e com o conjunto da reforma do Estado e do seu aparelho

O objetivo do presente artigo ?? introduzir o leitor ??s principais abordagens feitas aos conceitos de governabilidade e governan??a dispon??veis na literatura nacional/internacional contempor??nea e buscar compreender o v??nculo din??mico destas categorias entre si e a sua articula????o com a tem??tica maior da reforma do Estado e do seu aparelho no Brasil

O Eu construído : Identidade pessoal e consciência de Si

O problema da identidade pessoal, apresentado na nossa dissertação, tem como preocupação central discernir as condições que viabilizam a sua construção e permanência através do tempo, tendo como paradigma de interpretação o problema da relação do sujeito consigo próprio, com os outros e com o universo simbólico duma determinada época histórica. Assim, a identidade pessoal surge-nos indissociável da respectiva relação com o contexto sócio-cultural da contemporaneidade, onde a coexistência de múltiplos e díspares quadros de referência, impulsionam o eu em direcções distintas, provocando a sua exposição a modelos, valores e estilos de vida diferentes, por vezes até antagónicos, pela proliferação e intensificação dos processos de interacção social. A interioridade do sujeito existencial está agora “colonizada” por uma pluralidade de vozes, que concorrem entre si reclamando o seu direito à existência. Neste contexto, defendemos a ideia de que compete ao sujeito retirar de cada uma delas os elementos pertinentes que permitam a elaboração dos conteúdos pessoais da sua própria interioridade, ou seja, compete ao eu fazer uma síntese hermenêutica de carácter egológico que permita delinear os contornos de uma subjectividade distinta das demais. Esta ideia de identidade enquanto projecto pessoal, construído reflexivamente, dá origem a uma biografia organizada e coerente, uma escolha sempre provisória e continuamente revisitada entre mundos possíveis ou estados possíveis do mundo e do eu. É um processo individual de construção da identidade e do sentido, que transforma a “procura de si” num exercício constante de autoquestionamento existencial. Neste contexto, a interioridade contemporânea emerge a partir de uma rede de relações múltiplas que confrontam o eu com uma variedade enorme de experiências e situações existenciais, requerendo a capacidade e a elasticidade subjectivas necessárias a uma permanente interpretação do mundo e de si próprio, gerando um sujeito simultaneamente múltiplo e integrado, dotado de razão e de imaginação, capaz de construir e recriar continuamente novas formas constitutivas de si. No nosso trabalho, o problema da identidade pessoal não é perspectivado segundo uma concepção essencialista ou substancialista, baseada na imutabilidade dos indivíduos, mas sim numa perspectiva processual, segundo a qual a identidade é uma construção em permanente devir, uma consciência de si e da respectiva temporalidade. Neste sentido, o eu da contemporaneidade deve ser entendido como um processo em curso, uma identidade pluridimensional, que se constrói e desconstrói sem cessar, no âmago das diferentes relações que estabelece, quer consigo próprio (problema da reflexividade e da consciência de si), quer com os outros (problema da linguagem e da intersubjectividade comunicacional), quer ainda da ética e da orientação para o bem. Assim, a identidade pessoal é inseparável do conceito de alteridade, sendo o outro interno (dialogicidade da consciência de si) ou externo (intersubjectividade comunicacional). Esta concepção da identidade como construção e multiplicidade – construtivismo subjectivo - que defendemos no nosso trabalho, requer uma “gestão” correcta das diversas facetas do eu, actualizadas em função de contextos de interacção específicos, no sentido do auto-aperfeiçoamento de si, pela edificação e revisão constantes de uma matriz identitária forte e diferenciadora. Esta deve ser entendida não num sentido mecanicista, mas enquanto matriz em aberto, que se vai desdobrando e desocultando no fluir da temporalidade, onde coexistem vários critérios de unidade, várias modalidades de existir, segundo uma manifestação sucessiva de traços identitários actuais e inactuais, que se fenomenalizam ao longo do tempo num horizonte de experiência possível. Estamos pois a falar de uma subjectividade sem sujeito, no sentido em que não é uma subjectividade logocêntrica, não se desenha a partir da ideia clássica de unidade, nem se fundamenta num critério único de verdade. Antes se constitui através de um movimento contínuo gerador de novas formas de ser e modalidades de existir, no espaço das suas práticas e no horizonte das suas problematizações. É uma subjectividade enraizada no mundo, dialógica e relacional, que vai efectuando sínteses progressivas do seu trajecto existencial, através da dialéctica constante entre identidade e memória, enquanto forma de configuração e reconfiguração narrativa dos aconte - cimentos passados, da acção presente e das expectativas futuras, numa preocupação constante de autoconstrução de um sentido para a vida e para si próprio. A identidade pessoal enquanto matriz egológica que se constitui e reconstitui sem cessar ao longo do tempo é também um acréscimo de ser, um poder ainda vir a ser, reque - rendo por isso a assunção criativa da fragmentação do eu, num exercício permanente de reflexividade e narratividade, através do qual se ordena a temporalidade aleatória e episódica dos acontecimentos numa totalidade significante que conta a história de uma vida. Neste contexto, a ficcionalidade surge como instância de mediação eu-mundo, permitindo a formulação das inquietações e ambivalências do sujeito existencial num outro patamar ou nível discursivo, essencialmente metafórico e hermenêutico, pela retorização do problema original. A conversão do problema numa história permite ao sujeito re-interpretar a realidade para além da mera referencialidade, desvendando significados outros e configurando a sua polissemia intrínseca. A ficcionalidade surge então como poética do tempo reencontrado, descoberta e assunção de facetas insuspeitadas da identidade pessoal, pela reabilitação hermenêutico-criativa do passado, a qual possibilita a compreensão do presente e a perspectivação da acção futura. Esta constituição interpretativa de si a partir dos “testemunhos” da sua própria actividade é inseparável do exercício da “suspeita” e da provocação, no sentido em que o sujeito existencial não deve aceitar pacificamente as primeiras manifestações que acedem à consciência, mas submetê-las ao exercício da dúvida, enquanto forma de procura das motivações mais profundas e autênticas do seu próprio ser, estimuladas não só pela vontade como também pela afectividade, pela associação involuntária ou pela repetição convulsiva. A identidade pessoal enquanto construção e desconstrução permanentes de um eu simultaneamente múltiplo e integrado é, assim, o resultado de uma vida examinada, interpretada e narrada, de um si que se vê a si mesmo como um outro sempre possível.

Field effect and light-assisted a-Si:H sensors for detection of ions in solution

In this paper we present an amorphous silicon device that can be used in two operation modes to measure the concentration of ions in solution. While crystalline devices present a higher sensitivity, their amorphous counterpart present a much lower fabrication cost, thus enabling the production of cheap disposable sensors for use, for example, in the food industry. The devices were fabricated on glass substrates by the PECVD technique in the top gate configuration, where the metallic gate is replaced by an electrolytic solution with an immersed Ag/AgCl reference electrode. Silicon nitride is used as gate dielectric enhancing the sensitivity and passivation layer used to avoid leakage and electrochemical reactions. In this article we report on the semiconductor unit, showing that the device can be operated in a light-assisted mode, where changes in the pH produce changes on the measured ac photocurrent. In alternative the device can be operated as a conventional ion selective field effect device where changes in the pH induce changes in the transistor's threshold voltage.

Phototransistor with nanocrystalline Si/amorphous Si bilayer channel

We report a field-effect phototransistor with a channel comprising a thin nanocrystalline silicon transport layer and a thicker hydrogenated amorphous silicon absorption layer. The semiconductor and dielectric layers were deposited by radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition. The phototransistor with channel length of 24 microns and photosensitive area of 1.4 mm(2) shows an off-current of about 1 pA, and high photoconductive gain in the subthreshold region. Measurements of the quantum efficiency at different incident light intensities and biasing conditions, along with spectral-response characteristics, and threshold voltage stability characterization demonstrate the feasibility of the phototransistor for low light level detection.

Nanocrystalline p-layer for a-Si:H p-i-n solar cells and photodiodes

We report on structural, electronic, and optical properties of boron-doped, hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at a substrate temperature of 150 degrees C. Film properties were studied as a function of trimethylboron-to-silane ratio and film thickness. The absorption loss of 25% at a wavelength of 400 nm was measured for the 20 nm thick films on glass and glass/ZnO:Al substrates. By employing the p(+) nc-Si:H as a window layer, complete p-i-n structures were fabricated and characterized. Low leakage current and enhanced sensitivity in the UV/blue range were achieved by incorporating an a-SiC:H buffer between the p- and i-layers.

A 3-phase model for VIS/NIR mu C-Si : H p-i-n detectors

The spectral response and the photocurrent delivered by entirely microcrystalline p-i-n-Si:H detectors an analysed under different applied bias and light illumination conditions. The spectral response and the internal collection depend not only on the energy range but also on the illumination side. Under [p]- and [n]-side irradiation, the internal collection characteristics have an atypical shape. It is high for applied bias and lower than the open circuit voltage, shows a steep decrease near the open circuit voltage (higher under [n]-side illumination) and levels off for higher voltages. Additionally, the numerical modeling of the VIS/NIR detector, based on the band discontinuities near the grain boundaries and interfaces, complements the study and gives insight into the internal physical process.

Bias dependent photocurrent collection in p-i-n a-Si : EVSiC : H heterojunction

A series of large area single layers and heterojunction cells in the assembly glass/ZnO:Al/p (SixC1-x:H)/i (Si:H)/n (SixC1-x:H)/Al (0 sistances around 10(5)Ohm are also measured Simulated results confirm the experimental findings suggesting that the transport in dark depends almost exclusively on field-aided drift while under illumination it is dependent mainly on minority carriers the diffusion.

Bias-dependent photocurrent collection in p-i-n a-Si : H/SiC : H heterojunction

A series of large area single layers and glass/ZnO:AVp(SixC1-x:H)/i(Si:H)/n(SixC1-x:H)/AI (0 < x < 1) heterojunction cells were produced by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD) at low temperature. Junction properties, carrier transport and photogeneration are investigated from dark and illuminated current-voltage (J-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics. For the heterojunction cells atypical J-V characteristics under different illumination conditions are observed leading to poor fill factors. High series resistances around 106 Q are also measured. These experimental results were used as a basis for the numerical simulation of the energy band diagram, and the electrical field distribution of the structures. Further comparison with the sensor performance gave satisfactory agreement. Results show that the conduction band offset is the most limiting parameter for the optimal collection of the photogenerated carriers. As the optical gap increases and the conductivity of the doped layers decreases, the transport mechanism changes from a drift to a diffusion-limited process.