Diário da Constituinte [gravação de vídeo] : [programa n. 363]

Começa o período do recesso que durará até o dia 4 de janeiro. A Constituinte chega ao fim dos trabalhos de 1987 com um projeto de Constituição pronto. Votado e aprimorado de baixo para cima. Desde as subcomissões às comissões temáticas, até chegar à Comissão de Sistematização. O texto do projeto de Constituição, não foi precedido de um anteprojeto, como nas Constituições anteriores.Mais de 60.000 emendas foram apresentadas e cada artigo foi sendo alterado com a colaboração de cada constituinte.O recesso com os constituintes ainda divididos por causa do Regimento Interno. O Centrão se defende da acusação de obstruir os trabalhos afirmando estar aproveitando o tempo para elaborar as emendas.

El bárbaro en Roma

Antonio Duplá Ansuátegui, Piedad Frías Nogales e Iban Zaldúa (editores)

Humor y retórica: Antiochikós o Misopógon de Juliano

Presentado en las Jornadas sobre "El humor (y los humores) en el mundo antiguo", organizado por el Departamento de Estudios Clásicos y el Instituto de Ciencias de la Antigüedad de la UPV y celebrado en Vitoria-Gasteiz los días 16 y 17 de octubre de 2007.

El confinamiento de los prisioneros de guerra y rehenes en la Roma republicana

Dossier monográfico: Puesta en escena y escenarios en la diplomacia del mundo romano

Me chama pelo nome: juventude vulnerável entre muros e esquinas do Rio e de Roma

Esta dissertação propõe analisar a relação institucional entre dois grupos de jovens abrigados em instituições de acolhimento, nas cidades do Rio de Janeiro e Roma. Por meio de observações participantes e de entrevistas, em que se teve acesso às trajetórias e narrativas dos sujeitos, foi possível apresentar as vias de conflito e proximidade, encontros e desencontros que se dão através das relações concretas entre meninos institucionalizados e corpo técnico do abrigo. Constitui-se numa pesquisa descritiva das singularidades dos dois cenários apresentados, mostrando também alguns pontos de semelhança e diferença entre os minori stranieri non accompagnati em Roma e meninos abrigados provenientes das ruas, bem como meninos vítimas de negligência/violência familiar, no Rio de Janeiro. Dois grupos de jovens diferentes com processos de vida distintos, mas que compartilham o fato de possuírem uma carreira de rupturas; a formação de vínculos frágeis no processo de construção de suas identidades; as vidas tuteladas por uma instituição e por essa se constituir no único meio de associação com o mundo externo formal, seja por via do trabalho ou da adoção de uma família. O objetivo foi, portanto, verificar como se formam os vínculos institucionais e de que modo os jovens abrigados interpretam e questionam a função social do acolhimento em suas vidas e como isso reflete na relação cotidiana com a instituição.

O discurso de Juliano Moreira: psiquiatria e política no processo de modernização do Brasil republicano

O período de reestruturação e reordenação da cidade do Rio de Janeiro ao princípio da história republicana do Brasil, que culmina na chamada Belle Époque Carioca, é analisado aqui sob a ótica higienista. Neste sentido, a política assume uma postura de adequação do cotidiano embasada na medicina social e na intervenção sobre os costumes considerados indevidos, degenerantes. Um campo de conhecimento importante neste processo de adequação e imposição de uma nova ordem é a psiquiatria. Renovada pelas proposições de Juliano Moreira, a ciência seria responsável pela conceituação de novos padrões de anormalidade, as chamadas personalidades psicopáticas, e pelo afastamento destes perturbadores da ordem em relação ao convívio com a sociedade.

Manoel Bomfim e Juliano Moreira: Aproximações e oposições ao racismo científico na Primeira República

Este trabalho analisa produções de Manoel Bomfim (1868-1932) e Juliano Moreira (1873-1933) com relação ao tema da raça e miscigenação, no contexto das primeiras décadas do período republicano brasileiro. Os artigos e livros consultados variam entre os anos de 1905 e 1931. O objetivo é compreender como se dava, para ambos, numa perspectiva comparativa, a relação entre as três raças formadoras da nacionalidade brasileira, a intensa mestiçagem e o progresso do país nos âmbitos social, político e econômico. A análise apresenta uma visão das linhas teóricas das Faculdades de Medicina da Bahia e do Rio de Janeiro por sua importância como centros divulgadores do saber médico institucionalizado no país, aos quais estiveram vinculados os autores que constituem o objeto da pesquisa. De igual forma, considera, ainda, as recentes produções acerca do conceito de intelectual homens letrados que atuaram publicamente entre o final do século XIX e o início do XX e as propostas de leitura e aplicação das teorias raciais no Brasil no seio deste grupo, bem como seus discursos sobre identidade nacional e imigração estrangeira, sob o viés da eugenia da raça brasileira

The fabrication of self-aligned InAs nanostructures on GaAs(331)A substrates

Self-aligned InAs quantum wires (QWRs) or three-dimensional (3D) islands are fabricated on GaAs(331)A substrates by molecular beam epitaxy (MBE). InAs QWRs are selectively grown on the step edges formed by GaAs layers. The surface morphology of InAs nanostructures is carefully investigated by atomic force microscopy (AFM) measurements. Different growth conditions, such as substrate temperature, growth approaches, and InAs coverage, exert a great effect on the morphology of InAs islands. Low substrate temperatures favour the formation of wirelike nanostructures, while high substrate temperatures favour 3D islands. The shape transition is attributed to the trade-off between surface energy and strain energy. A qualitative agreement of our experimental data with the theoretical results derived from the model proposed by Tersoff and Tromp is achieved.

Surface morphology control of strained InAs/GaAs(331)A films: From nanowires to island-pit pairs

We have studied the effect of molecular beam epitaxy growth conditions on the surface morphology of strained InAs/GaAs(331)A films. Our results reveal that InAs nanowires aligned along the [1 (1) over bar0] direction are formed under As-rich conditions, which is explained by the effect of anisotropic buffer layer surface roughing. Under In-rich conditions, however, the surface morphology of the InAs layers is characterized by a feature of island-pit pairs. In this case, cooperative nucleation of islands and pits can lower the activation barrier for domain growth. These results suggest that the surface morphology of strained InAs layers is highly controllable. (C) 2005 American Institute of Physics.

Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires

Morphology evolution of high-index GaAs(331)A surfaces during molecular beam epitaxy (MBE) growth has been investigated in order to achieve regularly distributed step-array templates and fabricate spatially ordered low-dimensional nano-structures. Atomic force microscope (AFM) measurements have shown that the step height and terrace width of GaAs layers increase monotonically with increasing substrate temperature. By using the step arrays formed on GaAs(331)A surfaces as the templates, we have fabricated highly ordered InGaAs nanowires. The improved homogeneity and the increased density of the InGaAs nanowires are attributed to the modulated strain field caused by vertical multi-stacking, as well as the effect of corrugated surface of the template. Photoluminescence (PL) tests confirmed remarkable polarization anisotropy.

Self-organized InAs quantum wires on GaAs (331)A substrates

Self-organized InAs quantum wires (QWRs) were fabricated on the step edges of the GaAs (331)A surface by molecular beam epitaxy. The lateral size of InAs QWRs was saturated by the terrace width (i.e., 90 nm) while the size along the step lines increased with the increasing thicknesses of the InAs layers, up to 1100 nm. The height of InAs QWRs varied from 7.9 nm to 13 nm. The evolution of the morphology of InAs QWRs was attributed to the diffusion anisotropy of In adatoms.

Corrugated surfaces formed on GaAs (331)a substrates: The template for laterally ordered InGaAs nanowires

Morphology evolution of high-index (331)A surfaces during molecular beam epitaxy (MBE) growth have been investigated in order to uncover their unique physic properties and fabricate spatially ordered low dimensional nanostructures. Atomic Force Microscope (AFM) measurements have shown that the step height and terrace width of GaAs layers increase monotonically with increasing substrate temperature in conventional MBE. However, this situation is reversed in atomic hydrogen-assisted MBE, indicating that step bunching is partly suppressed. We attribute this to the reduced surface migration length of Ga adatoms with atomic hydrogen. By using the step arrays formed on GaAs (331)A surfaces as the templates, we fabricated laterally ordered InGaAs self-aligned nanowires.

Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films

Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)A films was systematically investigated in this paper. Under As-rich conditions, InAs elongated islands aligned along [1 (1) over bar0] are formed at a substrate temperature of 510 degrees C. We explained it as a result of the anisotropic diffusion of adatoms. Under In-rich conditions, striking change has occurred with respect to the surface morphology of the InAs layers. Instead of anisotropic InAs elongated islands, unique island-pit pairs randomly distributed on the whole surface were observed. Using cooperative nucleation mechanisms proposed by Jesson et al. [Phys. Rev. Lett. 77, 1330 (1996)], we interpret the resulting surface morphology evolution.