CdS半导体纳米微粒的复合与组装

总结了CdS半导体纳米微粒的复合与组装,并介绍了其应用方面的研究。

CdS纳米微粒有序组装体系的制备与结构研究

采用 LB膜技术制备了表面活性剂包埋的硫化镉纳米粒子多层膜 ,并利用傅里叶红外光谱、X射线光电子能谱、原子力显微镜和小角 X射线衍射对其结构进行了表征。结果表明制成的 Cd S纳米粒子 LB膜为准一维超晶格

Photosensitization of TiO2 nanoparticulate thin film electrodes by CdS nanoparticles

Surface photovoltage spectra (SPS) measurements of TiO2 show that a large surface state density is present on the TiO2 nanoparticles and these surface states can be efficiently decreased by sensitization using US nanoparticles as well as by suitable heat treatment. The photoelectrochemical behavior of the bare TiO2 thin film indicates that the mechanism of photoelectron transport is controlled by the trapping/detrapping properties of surface states within the thin films, The slow photocurrent response upon the illumination can be explained by the trap saturation effect. For a TiO2 nanoparticulate thin film sensitized using US nanoparticles, the slow photocurrent response disappears and the steady-state photocurrent increases drastically, which suggests that photosensitization can decrease the effect of surface states on photocurrent response.

紫外可见分光光度法检测硫化镉(CdS)薄膜性质研究

本文阐述了利用紫外可见分光光度法检测ＣｄＳ薄膜光学性质的基本原理，设计了测试系统，并利用所设计的系统对化学水浴法沉积ＣｄＳ薄膜的光谱透过率进行测试。通过对不同沉积时间的ＣｄＳ薄膜的光学性能分析，得出其在一定温度条件下沉积时间对薄膜的光学性质有较大的影响。

光敏CdS粉的制备与性能研究

光敏ＣｄＳ粉的制备与性能研究王岚＊鲍崇林王给祥（中国科学院长春应用化学研究所，长春１３００２２）关键词半导体，掺杂ＣｄＳ，烧结，静电复印硫化镉（ＣｄＳ）是重要的半导体材料，尤其在可见光范围，已经应用到光电导、压电晶体和激光材料上［１］．随着近代微电子…

光热对薄膜 CdS/Cu_2S 太阳电池物理参数的影响

研究了光、热和湿气对ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ电池效率及电池成结、结电容、二极管特性和光谱响应特性的影响。结果表明，对未成结电池光加速成结作用；对成结电池光引起电池性能下降。这种衰降是不可逆过程。

The fabrication of dipped CdS and sputtered ITO thin films for photovoltaic solar cells

Stable bilayer thin films of indium tin oxide (ITO) on CdS and CdS on ITO were formed for the window material of solar cells by chemical bath and sputtering methods. Scanning electron microscopy and X-ray diffraction studies have shown that both the ITO and CdS films are continuous, homogeneous, with high compactness. Measurement of the CdS film thickness across the 2 x 4 cm(2) reveals the good uniformity of these films. Four-point probe measurements show that the resistivity of a CdS film on an ITO surface is much better than that of the single CdS film The thermal stability of an ITO/CdS bilayer, interfacial reaction and optical transmittance were investigated at different annealing temperatures and environments (air, vacuum and N-2 + H-2). The results showed that the ITO/CdS bilayer film is a good window material for the CuInSe2 and CdTe cells. It is a simple method using a small amount of the cadmium compound.

化学水浴法沉积 CdS 多晶薄膜

介绍了用化学水浴法沉积ＣｄＳ的方法。ＳＥＭ、ＸＲＤ以及透射光谱等分析表明，沉积在玻璃片上的ＣｄＳ膜，均匀、透明、密实，适合制作太阳电池窗口材料。同时简述了ＣｄＳ膜生长、生成的化学过程和机理。

XPS研究中几种参数对CdS中Cd 3d结合能的影响

本文着重从仪器本身参数方面和样品方面讨论了由于各参数的不同，对电子结合能的影响。通过半导体ＣｄＳ膜的研究，探讨了Ｃｄ　３ｄ５／２，Ｃｄ　３ｄ３／２特征峰结合能的变化规律，分析了这种变化在测试中带来的影响。

薄膜CdS/Cu_2S太阳电池寿命与温度关系的探讨

对薄膜CdS/Cu_2S光伏器件稳定性的研究表明,温度对电池寿命的影响是不可忽视的因素。J·Meikin指出,在40℃下对CdS/Cu_2S电池加热5000小时,Ⅰ_(sc)仅下降1％;对于包封电池,K.Boer得出,在60℃下加热两年电池性能没有发生衰变的结论。 我们通过对CdS/Cu_2S太阳电池的加热寿命试验,寻求器件寿命与温度间的关系,并用

多晶CdS太阳电池p-n结电容的测量及应用

介绍了p-n结电容测量方法。通过测量C-V特性研究了Cds太阳电池的热处理及上栅过程,分析并讨论了p-n结的变化与电池不稳定的关系。初步研究了扩散电位的测定问题。

国外CdTe(CuInSe_2)/CdS太阳电池的进展和我国的现状

本文综述了CdTe/CdS和CuInSe_2/CdS薄膜太阳电池的进展,讨论了这两种电池的发展前景。

工艺条件对CdS薄膜太阳电池性能的影响

本文报道了CdS薄膜太阳电池制备条件对其性能的影响,并进行了详细讨论,同时提出了制备CdS薄膜太阳电池的最佳条件。

CEV复合胶粘剂封装烧结Cu_2S/CdS太阳电池稳定性的研究

本文报道了复合胶粘剂的制备和主要性能,介绍了封装技术,给出了用新合成的复合胶粘剂粘接玻璃封装电池的稳定性结果。

铜铁锌对CdS性质及Cu_2S/CdS太阳电池性能的影响

本文报道了Cu、Fe、Zn对CdS晶体半导体参数和Cu_2S/CdS太阳电池性能的影响。随着Cu、Fe、Zn浓度的增加,电阻率也增加,掺Zn使禁带宽度E_g增大,迁移率μ降低,这些参数的变化,直接使电池的I_(sc)、效率和填充因子(F)降低。在本条件下,以上三种杂质都是受主杂质。掺氧能间接增加施主杂质,对受主杂质起补偿作用。