Política curricular y descentralización administrativa.

Describir el modelo curricular en la enseñanza obligatoria, tanto Primaria como Secundaria, en seis países occidentales. Contrastar las diferencias existentes en política curricular y sistema de distribución de competencias. El modelo curricular de Bélgica, Canadá, Estados Unidos, Gran Bretaña, República Federal de Alemania y Suiza. Se establece un marco de referencia que permita contextualizar la información recogida. En este sentido, se ha incluido como apartado previo a la exposición de cada uno de los seis paises, un resumen en el que se describe la distribución de competencias y la estructura del sistema educativo en los niveles obligatorios. El estudio del modelo curricular incluye: la opción adoptada en cuanto a distribución de responsabilidades, el grado de control sobre el programa de estudio, la existencia o no de un currículum básico, así como los objetivos y las materias de enseñanza. Se ha incluido información relativa a las reformas y a las tendencias de futuro. Responsabilidades administrativas en materia de política educativa y planificación escolar: a) en la R.F. de Alemania, los Estados tienen la más amplia competencia, todo el sistema escolar se encuentra bajo la supervisión de los lander; b) en Bélgica, cada una de las tres lenguas oficiales y de las tres comunidades del país posee su propio Sistema Educativo, cuyos principios de base están fijados en la Constitución y en la legislación general adoptada por el Parlamento nacional; c) en Canadá, la Ley constitucional de 1867 no otorga al gobierno federal justificación sobre la educación. d) en Estados Unidos, la responsabilidad recae sobre el gobierno de cada uno de los Estados. No existe, por tanto, un currículum oficial a nivel nacional. e) en Inglaterra, en el año 1988, se aprobó la Ley de la Reforma educativa, que ha aumentado considerablemente los poderes de la Secretaría de Estado de Educación en lo que se refiere a ordenación curricular; f) en Suiza, la educación es competencia de los cantones, no existe un sistema educativo a nivel federal. Ampliación de los resultados en la propia investigación.

La Formación Profesional reglada en la Comunidad Europea y en los Estados Unidos : antecedentes curriculares y desarrollo estructural.

Conocer lo más detalladamente posible los sistemas de Formación Profesional reglada de los distintos Estados miembros de la Comunidad Europea, con el fin de poder ir adecuándolos a los cambios tecnológicos y sociales, entre otros, a que los acontecimientos del 92 darán lugar. El objetivo básico será la revisión de su estado actual. Currículum de la Formación Profesional reglada de los países: Bélgica, Países Bajos, Francia, Grecia, Portugal, Italia, Estados Unidos, República Federal de Alemania, Dinamarca, Luxemburgo, Reino Unido, Irlanda. En primer lugar se analizan los distintos antecedentes de la Formación Profesional que se encuentran en los diferentes currícula. Es decir, como cada uno de los Estados va introduciendo a lo largo de los distintos niveles de enseñanza, concretamente en Primaria o en Primaria y Secundaria inferior, según los países, asignaturas de carácter pre-tecnológico o pre-profesional que, en cierto modo, apuntan a lo que posteriormente va a ser la Formación Profesional reglada. Dentro ya de lo que es la Formación Profesional reglada, se trata, en primer lugar, su dependencia administrativa, para, posteriormente, introducirnos en su estructura. Con la FP se busca formar cualitativa y cuantitativamente los trabajadores que el mercado de trabajo demanda, y hacer una buena planificación de ésta implica una buena prospectiva del mercado laboral de la sociedad en la que se va a implantar. La formación tecnológica (asignaturas técnicas, educación politécnica, técnica y manual) parece dar al sujeto una mayor oportunidad de ingreso en la vida activa. La diferenciación ofrecida a los alumnos es importante como modo de tener en cuenta las distintas capacidades de los mismos. Es importante ofrecer en los últimos años de la educación obligatoria cursos pre-profesionales para aquellos que terminada la escolaridad obligatoria deseen ingresar inmediatamente en la vida laboral activa. Los sistemas de FP que comienzan con un año de formación básica ocupacional, seguido por una especialización gradual, dan una mejor formación que aquellos otros sistemas que sólo ofrecen FP muy especializada desde el primer momento. Los sistemas educativos que consiguen reducir los asistentes a los cursos académicos y atraer más gente a la FP, dan mayores y mejores oportunidades de promoción que aquellos que adoptan la política contraria.

Los sistemas de formación del profesorado de Enseñanza Secundaria : un estudio comparado.

Conseguir una concepción global de la formación del profesorado de Secundaria en diversos países europeos, indicadora de las líneas maestras a tener presente en el perfil de un diseño aconsejable para nuestro país. Sistema de formación del profesorado de: Bélgica, Dinamarca, Francia, Holanda, Italia, Reino Unido, República Federal de Alemania, Suecia y Suiza. La investigación se plantea en primer lugar analizar los elementos, tanto formales como estructurales, que intervienen en la formación del profesorado, tanto inicial como en servicio, de Enseñanza Secundaria tal y como se lleva a cabo en una serie de países. En segundo lugar se procura un estudio comparado de las mismas, tratando de identificar categorías en las que se puedan clasificar los países según su afinidad en los elementos descritos. Se elabora una síntesis compiladora para mostrar las principales tendencias en el tema a tratar en los países estudiados. Finalmente el autor propone un modelo, que tomando las tendencias más positivas y a la vez más factibles para nuestra realidad socioeducativa, pudiera ser implantado en nuestro país como modelo de formación de profesores de secundaria. Los resultados se clasifican en dos grandes apartados, en torno a la formación inicial e in-service. Los aspectos que se tocan en la primera hacen referencia a la admisión, organización institucional, de los estudios, el profesorado de los centros donde se imparte, financiación y titulación. En la segunda, los aspectos que se tocan son la organización institucional, de las actividades, profesorado, financiación, condiciones y efectos de su realización, etc. Se propone un modelo de formación del profesorado de Enseñanza Secundaria, cuyas coordenadas básicas son: regulación de las Enseñanzas Medias en el sistema educativo; asunción de que la formación inicial de profesorado es deficiente; la formación del profesorado ha de ser permanente, profesional, que se indique en el contexto social y laboral, con un enfoque multidisciplinar e interdisciplinar; los tres tipos de enseñanza secundaria convencionales tendrán idéntico rango y amplitud de estudios en lo que se refiere a la formación del profesorado; se deben ofertar modelos consecutivos y recurrentes de formación para los tres tipos de enseñanza; la formación asumirá la evaluación de las actividades y un continuo feed-back de los resultados de la misma como variable determinante de la planificación.

Estudio del sistema general de becas y alternativas para su reforma.

Clasificar los objetivos que persigue la política educativa a través de las becas. Identificar a los beneficiarios del sistema de becas, analizar su eficacia interna y proponer alternativas para su reforma. Cursos de becarios de la Dirección General de Promoción Educativa. Sistema de becas de Gran Bretaña, RF de Alemania, Francia y Suecia. El informe se basa en dos fuentes, fundamentalmente el análisis pormenorizado de la población asistida por becas de la Dirección General de Promoción Educativa (antes INAPE), realizando un tratamiento administrativo cuidadoso de los datos de estos censos, y un tratamiento descriptivo-documental de información secundaria relativa a los sistemas de becas de otros países. El análisis de correlaciones efectuado ha permitido contrastar numerosas disfuncionalidades en el sistema de becas que distorsionan el efecto compensador esperado, una política asistencial adecuada. La principal distorsión de la coherencia interna del sistema de becas tiene su origen en el hecho de que los becarios hijos de trabajadores autónomos, obtienen un volumen de becas superior al que les correspondería proporcionalmente. Otra gran disfunción constatada es la falta de información de los beneficiarios potenciales, siendo éste el aspecto que se aconseja conseguir, en primer término y ante todo.

Experiencias de Educación Infantil aplicadas a niños de tres a seis años en países representativos.

Analizar y comparar la Educación Preescolar en todos sus aspectos: legislativo, administrativo, económico y formación del profesorado para crear condiciones que faciliten ayudas a la escuela infantil en aquellos aspectos que puedan incidir en la evolución y desarrollo del niño. Comparar la Educación Preescolar de Austria, Bélgica, España, Francia, Italia, Reino Unido, RF Alemania y Suecia. La comparación del sistema de la Educación Preescolar sigue los siguentes pasos: breve introducción, marco legislativo, desarrollo de la Educación Preescolar, datos estadísticos, fuentes de financiación, administración educativa, formación del profesorado, Educación Especial y participación de los padres. De estos datos se extrae un resumen y se hace un análisis comparativo que lleva a la configuración de un modelo institucional idóneo de Educación Preescolar. La incorporación de la mujer al mundo laboral motivó la creación de instituciones dedicadas a la atención y asistencia infantil, origen de la actual Educación Preescolar. Recientemente, los gobiernos de los países estudiados han ido configurando y diseñando un marco legislativo específico para este período, mediante Leyes generales, Decretos o circulares. Los países coinciden en determinar que los tres años son la edad apropiada para ingresar. Es imprescindible limitar el numero de niños en el aula para potenciar la interrelación directa entre éstos y el educador. El profesor debe poseer la titulación exigida en cada país. Se tiende a repetar el ritmo personal y desarrollo individual del niño, concediendo especial importancia a la actividad lúdica y a integrar niños con deficiencias en este nivel. Es necesaria la participación activa de los padres. El valor de la educación de la primera infancia está adquiriendo cada vez mayor reconocimiento por parte de los gobiernos como elemento que tiene una influencia significativa en la futura evolución de los niños.

Régimen de ayudas a los centros educativos privados.

Tratar en profundidad los derechos y deberes de los protagonistas de la educación, espigando para ello las normas constitucionales de los países de la Europa Occidental. Justificar la existencia de la enseñanza privada y las ayudas de los poderes públicos a ella. Ley Española General de Educación de 1970. Art. 27 de la Constitución de 1978 dedicado a la educación. Normas constitucionales de la Europa Occidental. El estudio se estructura en capítulos: introducción. 1. Derechos y deberes de las personas en materia educativa: ¿qué comprende la libertad de enseñanza? 2. Deberes y derechos del estado en la educación: sirve para justificar y delimitar la intervención estatal y sus funciones respecto a los centros privados y a la ayuda y fomento de las mismas. 3. Educación e igualdad: recoge los principios de libertad de enseñanza y de igualdad de oportunidades ante la educación. 4. Educación y gratuidad: se analiza la obligatoriedad de la asistencia a la escuela y la obligatoriedad de la gratuidad por parte de los centros que prestan la enseñanza. 5. Sobre las ayudas del estado a la enseñanza privada; examen sintético del derecho comparado europeo occidental. 6. Los conciertos educativos. 7. Examen evaluativo de las distintas formas jurídicas dependientes de la Iglesia o institutos religiosos acogidos al derecho canónico como los que utilizan formas de derecho mercantil. 8. Constitución y educación: regulación de los derechos y libertades educativas en la nueva Constitución Española. La gratuidad de la enseñanza no es un principio esencial de la educación. Este derecho corresponde al alumno y no a los centros educativos. La libertad de enseñanza mejora la calidad de ésta. La enseñanza no estatal, aun cuando se subvenciona, resulta más barata para el Estado ya que suele poseer mejor administración y mayor interés en el aquilatamiento de los costos y control de los gastos. El Estado tiene el derecho y el deber de crear directamente y sostener escuelas propias, mas no en régimen de monopolio ni cerrando indebidamente las privadas o suplantándolas de manera innecesaria. La homologación, como la apertura de nuevos centros, de ser reglada y concederse automáticamente, siempre que se cumplan las condiciones mínimas establecidas.

Inductively coupled plasma-assisted RF magnetron sputtering deposition of boron-doped microcrystalline Si films

An innovative custom-designed inductively coupled plasma-assisted RF magnetron sputtering deposition system has been developed to synthesize B-doped microcrystalline silicon thin films using a pure boron sputtering target in a reactive silane and argon gas mixture. Films were deposited using different boron target powers ranging from 0 to 350 W at a substrate temperature of 250 °C. The effect of the boron target power on the structural and electrical properties of the synthesized films was extensively investigated using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and Hall-effect system. It is shown that, with an initial increase of the boron target power from 0 to 300 W, the structural and electrical properties of the B-doped microcrystalline films are improved. However, when the target power is increased too much (e.g. to 350 W), these properties become slightly worse. The variation of the structural and electrical properties of the synthesized B-doped microcrystalline thin films is related to the incorporation of boron atoms during the crystallization and doping of silicon in the inductively coupled plasma-based process. This work is particularly relevant to the microcrystalline silicon-based p-i-n junction solar cells.

Inductively coupled plasma-assisted RF magnetron sputtering deposition of highly uniform SiC nanoislanded films

A new deposition technique-inductively coupled plasma-assisted RF magnetron sputtering has been developed to fabricate SiC nanoislanded films. In this system, the plasma production and magnetron sputtering can be controlled independently during the discharge. The deposited SiC nanoislanded films are highly uniform, have excellent stoichiometry, have a typical size of 10-45 nm, and contain small (∼ 6 nm) cubic SiC nanocrystallites embedded in an amorphous SiC matrix.

RF magnetron sputtering deposition of bioactive Ca-P-based coatings on Ti-6Al-4V alloy

RF magnetron concurrent sputtering of Hydroxyapatite and Ti forming functionally graded calcium phosphate-based composite bioactive films on Ti-6Al-4V orthopedic alloy is reported. Calcium oxide phosphate (4CaO•P2O5) is the main crystalline phase. In vitro cell culturing tests suggest outstanding biocompatibility of the Ca-P-Ti films. Images of the plasma-enhanced sputtering processes and cell culturing are presented and discussed.

Nanocrystalline vanadium oxide films synthesized by plasma-assisted reactive rf sputtering deposition

Plasma-assisted reactive rf magnetron sputtering deposition is used to fabricate vanadium oxide films on glass, silica and silicon substrates. The process conditions are optimized to synthesize phase-pure vanadium pentoxide (V2O5) featuring a nanocrystalline structure with the predominant (0 0 1) crystallographic orientation, surface morphology with rod-like nanosized grains and very uniform (the non-uniformity does not exceed 4%) coating thickness over large surface areas. The V2O5 films also show excellent and temperature-independent optical transmittance in a broad temperature range (20-95 °C). The results are relevant to the development of smart functional coatings with temperature-tunable properties. © 2007 IOP Publishing Ltd.

Turning points, power transfer, and frequency response of mode transitions in RF plasmas

Turning points for transitions between the electrostatic and electromagnetic discharge modes in low-frequency (∼ 500 kHz) inductively coupled plasmas have been identified and cross-referenced using time-resolved measurements of the plasma optical emission intensities, RF coil current, and ion saturation current collected by a single RF-compensated Langmuir probe. This enables one to monitor the variation of the plasma parameters, power transfer efficiency, which accompany the discharge hysteresis. The excitation conditions for the pure and hybrid modes in the plasma are considered, and the possibility of the TMmnl → TEm'n'l' transitions at higher frequencies are discussed.

Reactive plasma-aided RF sputtering deposition of hydroxyapatite bio-implant coatings

The plasma-assisted RF sputtering deposition of a biocompatible, functionally graded calcium phosphate bioceramic on a Ti6A14 V orthopedic alloy is reported. The chemical composition and presence of hydroxyapatite (HA), CaTiO3, and CaO mineral phases can be effectively controlled by the process parameters. At higher DC biases, the ratio [Ca]/[P] and the amount of CaO increase, whereas the HA content decreases. Optical emission spectroscopy suggests that CaO+ is the dominant species that responds to negative DC bias and controls calcium content. Biocompatibility tests in simulated body fluid confirm a positive biomimetic response evidenced by in-growth of an apatite layer after 24 h of immersion.

Internal oscillating current-sustained RF plasmas : Parameters, stability, and potential for surface engineering

A new source of low-frequency (0.46 MHz) inductively coupled plasmas sustained by the internal planar "unidirectional" RF current driven through a specially designed internal antenna configuration has been developed. The experimental results of the investigation of the optical and global argon plasma parameters by the optical and Langmuir probes are presented. It is shown that the spatial profiles of the electron density, the effective electron temperature and plasma potential feature a great deal of the radial and axial uniformity compared with conventional sources of inductively coupled plasmas with external at coil configurations. The measurements also reveal a weak azimuthal dependence of the global plasma parameters at low values of the input RF power, which was earlier predicted theoretically. The azimuthal dependence of the global plasma parameters vanishes at high input RF powers. Moreover, under certain conditions, the plasma becomes unstable due to spontaneous transitions between low-density (electrostatic, E) and high-density (electromagnetic, H) operating modes. Excellent uniformity of high-density plasmas makes the plasma reactor promising for various plasma processing applications and surface engineering.

PECVD of carbon nanostructures in hydrocarbon-based RF plasmas

Different aspects of the plasma-enhanced chemical vapor deposition of various carbon nanostructures in the ionized gas phase of high-density, low-temperature reactive plasmas of Ar+H2+CH4 gas mixtures are studied. The growth techniques, surface morphologies, densities and fluxes of major reactive species in the discharge, and effects of the transport of the plasma-grown nanoparticles through the near-substrate plasma sheath are examined. Possible growth precursors of the carbon nanostructures are also discussed. In particular, the experimental and numerical results indicate that it is likely that the aligned carbon nanotip structures are predominantly grown by the molecular and radical units, whereas the plasma-grown nanoparticles are crucial components of polymorphous carbon films.