974 resultados para PACS 42.55.Wd · 42.55.Xi


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In this work investigation of the QDs formation and the fabrication of QD based semiconductor lasers for telecom applications are presented. InAs QDs grown on AlGaInAs lattice matched to InP substrates are used to fabricate lasers operating at 1.55 µm, which is the central wavelength for far distance data transmission. This wavelength is used due to its minimum attenuation in standard glass fibers. The incorporation of QDs in this material system is more complicated in comparison to InAs QDs in the GaAs system. Due to smaller lattice mismatch the formation of circular QDs, elongated QDs and quantum wires is possible. The influence of the different growth conditions, such as the growth temperature, beam equivalent pressure, amount of deposited material on the formation of the QDs is investigated. It was already demonstrated that the formation process of QDs can be changed by the arsenic species. The formation of more round shaped QDs was observed during the growth of QDs with As2, while for As4 dash-like QDs. In this work only As2 was used for the QD growth. Different growth parameters were investigated to optimize the optical properties, like photoluminescence linewidth, and to implement those QD ensembles into laser structures as active medium. By the implementation of those QDs into laser structures a full width at half maximum (FWHM) of 30 meV was achieved. Another part of the research includes the investigation of the influence of the layer design of lasers on its lasing properties. QD lasers were demonstrated with a modal gain of more than 10 cm-1 per QD layer. Another achievement is the large signal modulation with a maximum data rate of 15 Gbit/s. The implementation of optimized QDs in the laser structure allows to increase the modal gain up to 12 cm-1 per QD layer. A reduction of the waveguide layer thickness leads to a shorter transport time of the carriers into the active region and as a result a data rate up to 22 Gbit/s was achieved, which is so far the highest digital modulation rate obtained with any 1.55 µm QD laser. The implementation of etch stop layers into the laser structure provide the possibility to fabricate feedback gratings with well defined geometries for the realization of DFB lasers. These DFB lasers were fabricated by using a combination of dry and wet etching. Single mode operation at 1.55 µm with a high side mode suppression ratio of 50 dB was achieved.

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Se pretende describir la experiencia educativa llevada a cabo con personas mayores con una edad media de unos 70 años mediante un conjunto variado de actividades entroncadas en diferentes bloques. Se realiza en el CEA Purullena en Purullena, Granada. Los objetivos son: mejora de las condiciones físicas; mantenimiento y mejora de la motricidad manual; mejora de las condiciones mentales; ocio y tiempo libre; dinamización e integración. Está dirigido al profesorado.

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Se presenta experiencia educativa que propone el desarrollo del proyecto educativo de centro para dar respuesta a las necesidades reales del contexto. Se realiza en el IES El Temple en La Malah??, Granada. Los objetivos son: analizar y revisar la legislaci??n y biograf??a m??s significativa y relevante, para la elaboraci??n de nuestro proyecto de centro; realizar el an??lisis del contexto de nuestra realidad educativa; establecer nuestras finalidades educativas; elaborar nuestro proyecto curricular de centro.

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Se presenta experiencia educativa que propone el fomento de la escritura como herramienta de aprendizaje para otros logros. Se realiza en el CPR El Temple en Ventas de Huelma, Granada. Los objetivos son: apreciar la composici??n escrita como una forma de expresi??n art??stica; desarrollar el placer por componer; fomentar el h??bito de la composici??n; desarrollar la capacidad de organizar por escrito nuestro pensamiento; valorar la funcionalidad del lenguaje en la composici??n de textos.

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Monográfico con el título: 'Una propuesta de Ley de Educación para Andalucía. Opiniones para el debate'. Resumen basado en el de la publicación

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Se presenta experiencia educativa que consiste en un recorrido a lo largo de la historia para que el alumnado la conozca a trav??s del baile y de la danza. Se realiza en el CEIP Sta. Mar??a Magdalena en Meng??bar, Ja??n. Los objetivos son: acercar la amplia variedad musical de diferentes ??pocas hist??ricas de manera l??dica y recreativa; desarrollar la capacidad r??tmica a trav??s del baile y del movimiento; establecer lazos afectivos entre compa??eros de distintos tutores-grupos como medio para favorecer as?? una mejor convivencia en el centro y fuera del mismo; favorecer la integraci??n y participaci??n del alumnado de forma equitativa y no discriminatoria; promover la coeducaci??n a trav??s de la danza y la expresi??n corporal.

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Mejorar el rendimiento escolar con una formación integral del alumno de Formación Profesional, aprovechando al máximo la sistematización de las materias y asimilación razonada de contenidos, a través de la relación interdisciplinar de los mismos y de las interacciones profesor alumno y alumno profesor, que potencien el razonamiento. 42 alumnos varones, asistentes al primer curso, de primer ciclo de Formación Profesional, del Instituto Politécnico de Oviedo. Antes de aplicar el método se miden una serie de variables de carácter general: nivel social, situación académica previa, motivación, conocimiento de la profesión, nivel de partida operativo en cuanto a conocimientos matemáticos fundamentalmente. El método tiene dos fases, en la primera se exponen los objetivos y conductas terminales que se quieren alcanzar y los criterios de evaluación, en la segunda fase se pasa a la aplicación dialogada de los conocimientos. Hay un alumno que registra observaciones sobre la clase, un alumno moderador y el profesor que evalúa de forma continuada. Después de aplicar el método se aplica una encuesta sobre las actitudes y valoración del método usado. Encuesta de carácter general. Pruebas objetivas para determinar el nivel de partida operativo, sobre cálculo y problemas matemáticos; grabación en vídeo de las sesiones. Ficha de registro del alumno observador y del profesor. Se utilizan programas de ordenador secuenciales para evaluar a los alumnos. Encuesta sobre opiniones y actitudes hacia el método utilizado. Porcentajes para la descripción de los resultados de pruebas y encuestas. Se dan los resultados en función de las asignaturas en las que se ha aplicado el método. También se describen porcentualmente los resultados académicos en las asignaturas donde se aplicó el método tradicional, y los resultados de las mismas, cuando se usó el método MIDE. Sólo la mitad de los alumnos llegan a la FP en la edad correspondiente y con el título de Graduado Escolar. Las deficiencias de los alumnos en cálculo, que se detectaron en las pruebas previas, demostraron la necesidad de mejorar la comprensión de los conceptos aritméticos, y algebraicos, para que puedan alcanzar una mecánica operativa. Los porcentajes de aprobados en las asignaturas en las que se aplicó el método tradicional. Entre un 55 por ciento y un 45 por ciento opinan que con este método comprenden y asimilan mejor las asignaturas y consiguen un razonamiento mejor. En el área de Tecnología aplicada se observa que con la aplicación de este método los alumnos introvertidos, superan gradualmente el problema, y se consigue una mejora en el proceso de razonamiento. En la asignatura de técnicas de expresión gráfica se obtiene una mayor rapidez en el dominio y utilización de los instrumentos de dibujo. En las restantes áreas también se producen mejoras notables con la aplicación del método MIDE.

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The InGaN system provides the opportunity to fabricate light emitting devices over the whole visible and ultraviolet spectrum due to band-gap energies E[subscript g] varying between 3.42 eV for GaN and 1.89 eV for InN. However, high In content in InGaN layers will result in a significant degradation of the crystalline quality of the epitaxial layers. In addition, unlike other III-V compound semiconductors, the ratio of gallium to indium incorporated in InGaN is in general not a simple function of the metal atomic flux ratio, f[subscript Ga]/f[subscript In]. Instead, In incorporation is complicated by the tendency of gallium to incorporate preferentially and excess In to form metallic droplets on the growth surface. This phenomenon can definitely affect the In distribution in the InGaN system. Scanning electron microscopy, room temperature photoluminescence, and X-ray diffraction techniques have been used to characterize InGaN layer grown on InN and InGaN buffers. The growth was done on c-plane sapphire by MOCVD. Results showed that green emission was obtained which indicates a relatively high In incorporation.

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Seleccionado en la convocatoria: Ayudas a la innovación e investigación educativa en centros docentes de niveles no universitarios, Gobierno de Aragón 2007-08

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Resumen basado en el de la publicaci??n

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El objetivo de este estudio fue analizar la relaci??n entre el consumo de alcohol en adolescentes y el de sus modelos m??s cercanos. La muestra se compuso de 536 estudiantes de ESO de una zona rural. Mediante an??lisis de regresi??n log??stica se establecieron modelos del consumo utilizando como criterio el consumo de los padres, hermanos y mejor amigo del adolescente. Se observ?? que el consumo de estos modelos explica el consumo del adolescente, la actitud hacia la droga, la intenci??n de consumo, la percepci??n normativa y la percepci??n de riesgo. El an??lisis revel?? que el principal indicador del consumo de alcohol es el consumo del mejor amigo (OR= 13.04; IC 95 por ciento= 8.14-20.91), seguido del consumo de los hermanos (OR= 1.85; IC 95 por ciento= 1.12-3.04). La intenci??n de consumo aumenta cuando el padre es bebedor (OR= 2.70; IC 95 por ciento= 1.68-4.36), el hermano (OR= 2.83; IC 95 por ciento= 1.56-5.15), y sobre todo el mejor amigo (OR= 4.33; IC 95 por ciento= 2.55-7.36).

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Resumen tomado de la publicación

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