999 resultados para P. nitida


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<正>粘附分子选择素(selectin)家族成员与其配体间相互作用介导的细胞粘附在炎症级联反应、肿瘤转移和淋巴细胞归巢等病理、生理过程中起重要作用(Bevilacqua and Nelson,1993)。其结构组成从远离细胞表面的N-末端到胞内C-末端,依次为:钙型凝集素功能区(Calcium-type lectin domain,Lec),类上皮生长因子功

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The excited states in 22Mg have been investigated by the resonant elastic scattering of 21Na + p.A 4.0 MeV/nucleon 21Na beam was separated by the Center for Nuclear Study (CNS) radioactive ion beam separator (CRIB) and then used to bombard a thick (CH2)n target. The energy spectra of recoiled protons were measured at scattering angles of θc.m. ≈ 172◦, 146◦, and 134◦, respectively. A wide energy-range of excitation function in 22Mg (up to Ex ∼ 8.9 MeV) was obtained simultaneously with a thick-target method, and a state at 7.06 MeV was newly observed. The resonant parameters were deduced from an R-matrix analysis of the center-of-mass (c.m.) differential cross-section data with a SAMMY-M6-BETA code. The astrophysical resonant reaction rate for the 18Ne(α,p)21Na reactionwas recalculated based on the present parameters.Generally speaking,the present rates are much smaller than the previous ones.

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利用同位旋和动量相关的相对论强子输运模型IBUU04,以中心碰撞124Sn+124Sn(132Sn+124Sn), 112Sn+112Sn双反应系统在E/A=50MeV(400MeV)为例,在两种不同的对称能作用下,研究了发射粒子谱中双n/p随时间和动能的演化.计算双n/p的好处是它缩弱了库仑效应与探测低能中子的低效率的影响.计算结果表明,无论是在高密还是低密情况下,双n/p的动能分布都敏感地依赖于对称能,因此双n/p是探测对称能的一个理想探针.

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报道了用ECR离子源的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到pSi表面的实验研究,通过实验测量到的Si原子和Si~(2+)离子的200nm-1000nm光谱,研究了谱线产生的机理。实验结果表明:低速高电荷态离子与固体表面相互作用中,可有效地激发原子和离子的特征谱线,分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。

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测量了27,28P相应同中子异位素在28Si靶上的中能反应截面.测得N=12和13同中子异位素的反应截面在Z=15处突然增大.对Z≤14同中子异位素和28P实验数据结果可以用改进的光学极限近似的Glauber理论很好地描述.28P反应截面能够用扩大核芯以改进的Glauber理论来解释.但是,用改进光学极限和少体近似的Glauber理论却低估了27P实验数据.理论分析表明,扩大的核芯加质子晕可能是响应27P+28Si反应截面增强的机制.

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研究了在相对论平均场近似下P位素的滴线核的性质,首先在理论上探讨了25PP滴线核存在的可能性及其可能具有的质子晕结构,然后给出了在兰州放射性束流装置上25P实验鉴别结果.

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讨论了目前有关2 2 Na(p ,γ) 2 3Mg反应的实验研究工作 ,结合兰州放射性束流线上的放射性束流2 3Al的β+延发质子衰变实验的测量结果 ,给出了2 3Al延发衰变的质子能谱 ,并比较了近期实验给出的相关能级的自旋、宇称值 ,正是由于这种自旋、宇称和能级部分宽度的不确定性 ,导致了反应率计算的不确定性 .计算了同位旋相似态的共振强度 .对于测量到的新的延发衰变能级Ed =8.91 6MeV ,由于没有相应的能级宽度值 ,实验仅给出其相对共振强度值

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描述了利用离子注入固体靶测量15N(p ,α) 12 C核反应微分截面的实验过程和方法 ,给出了在163keV≤Ec≤ 360keV能区 90°方向上的微分截面测量结果和激发函数曲线 ,并对该反应的基本特征进行了分析和描述。

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采用能量 2 Ge V、剂量 10 1 0— 10 1 3cm- 2的 Ar+辐照 P Cd0 .96 Zn0 .0 4Te材料 ,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究 .实验结果和分析表明 ,Ar+ 辐照在 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心 ,引起材料载流子 (空穴 )浓度的增大和迁移率的降低 .随着辐照剂量的增大 ,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快 ,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大