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在发电厂汽轮机事故中,叶片事故常占很大的比重,叶片事故大多是由于叶片振动特性不良而引起的.尤其是在运行中出现共振而导致疲劳断裂更为严重.为了安全运转,需要调整共振叶片的频率,避开共振点,即所谓调频.此时采用松拉金(即阻尼拉金),乃是防止事故,保障叶片安全的一种有效措施.研究松拉金在机组运行状态下的作用,做到其使用恰当,这是一项很有实用意义的工作.
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"农业生态经济系统耦合"的研究与实践对于实现农业产业与资源相一致,建立持续、高效的农业生态经济系统具有重要的意义。耦合度可以阐明农业经济系统与农业生态系统互动关系,判定农业生态经济系统耦合态势。在分析陕西省纸坊沟流域农业生态经济系统耦合关系的基础上,参照系统科学等理论及相关研究结果建立了农业经济系统与农业生态系统耦合度模型,并计算和分析了该流域70a来的耦合度。结果表明,农业生态经济系统的耦合过程可以划分为4个阶段:Ⅰ.经济系统依赖生态资源进行原始化农业生产阶段;Ⅱ.农业生产掠夺式利用生态资源,生态系统供给能力不断减少阶段;Ⅲ.农业经济系统与生态系统协调化发展阶段;Ⅳ.降低农业发展速度,促使生态系统重建阶段。纸坊沟流域从1938~2008年先后经历了第Ⅰ阶段、第Ⅱ阶段和第Ⅲ阶段。目前处于第Ⅲ阶段,但在"系统发展"过程中已潜伏了越来越大的危机,到2018年系统耦合突破"协调"界限,"相悖态势"将明显表现出来。为此,纸坊沟流域必须调整产业布局,发展草畜产业,进行产业升级,优化产业结构,实现农业生态经济系统协调、持续发展。
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煤矿复垦区土壤结构重组,严重改变了其某些土壤物理性质,入渗过程也必然受到影响。因此以马家塔露天煤矿为研究对象,利用圆盘入渗仪研究分析复垦区4种土地利用类型(荒地、草地、灌木、林地)下土壤在3种负压(-15 cm,-3 cm,0 cm)下水分入渗过程及其影响机理,探讨了土地利用类型及复垦方式对煤矿复垦区土壤的水分运动过程的影响,为矿区土壤复垦及植被恢复提供理论基础。
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极性环状单体,尤其是内醋和交醋等可生物降解的生物相容性肪族聚酷的单体的开环聚合,一直是研究的热点。能使这类单体聚合的催化剂中的稀土化合物主要有稀土无机化合物,包括稀土烷氧、芳氧活化,稀土氯化物、稀土胺化物和稀土酸式盐等和茂稀土配合物。后者因能同时催化极性和非极性单体的均聚和共聚,而更显其理论意义。它们是双(五甲基环戊二烯)稀土烷基化合物、氢化物及其衍生物;但这种配合物的合成极其复杂,也难以表征。本文的目的是以简单、易得的环戊烷基环戊二烯和环戊烷基苟基为主要配体取代五甲基环戊二烯基配体,合成一系列茂稀土配合物,特别合成了相应的二价茂稀土配合物,得到五个配合物的单晶结构,着重研究了二价配合物对极性环状单体的均聚和共聚的催化作用,并研究了己内醋(CL)和丙交醋(LA)双晶共聚物的结晶特点。1.在合成双(环戊烷基环戊二烯基)甲基钦时,由于轻稀土的歧化性,我们得到了单澳桥联的双核配合物(C_5H_9C_5H_4)_3NdBrLi(THF)_3 (1)的晶体结构,通过计算配体的离子半径,得出配体空间障碍的顺序是C_5H_9C_5H_4≈Me_3CC_5H_4>Me_2NCH_2CHZC_5H_4,证明配体是C_5H_9C_5H_4时络合A离子比络合四氢吠喃分子更能使结构稳定。2.合成了三(环戊烷基茚基)稀土配合物[(C_5H_9C_9H_6) SMCl~-〕[Li~+(THF)_4](2),它以离子对存在,三个环质心与氯离子在钐的周围形成变形的四面体几何构型,而四个四氢吠喃配体中的氧原子则在锉原子周围形成正四面体。由于分子结构的高度对称性,该配合物以立方晶系结晶,这种高度对称晶系在稀土配合物中的出现尚未见报道。三个大空间阻碍的配体相互作用导致苟环变形,使得衫与环上碳原子间的最长键长接近3A。3.得到了稀土甲基配合物的中间体双(取代荀基)稀土臆的氯化物〔(C_5H_9C_9H_6)_2Yb(μ-Cl)_2Li(Et_2O)_2](3)的晶体结构,通过比较分子结构及部分键长与键角,可知该配合物与相应的茹基、取代环戊二烯基稀土氯化物在结构效应上相差较远,而与相应五甲基环戊二烯基稀土氯化物同构,它是第一个非五甲基环戊二烯基配体以这种分子结构存在的配合物,也说明环戊烷基rp基配体与五甲基环戊二烯基的空间效应相近。 4.首次得到取代茹基配体稀土二价配合物(C_5H_9C_9H_6)_2Yb(THF)_2 (4)的晶体结构。X-衍射表明取代茹基环是反式构象存在的,该配合物是己内酷聚合的高效催化剂。5.首次获得稀土氧分子桥联配合物[(C_5H_9C_5H_4)_2Yb (THF)]_2O_2 (5)的晶体结构,它是相应二价配合物的氧化产物。但与报道的稀土配合物的氧化产物(单个氧原子或轻基)不同,该分子中的氧以分子桥存在,且键长比正常的氧一氧单键长长,表明它已被活化。氧分子与两个镜原子形成平行四边形平面结构,它包含该分子的C对称中心。二价衫配合物与镜的配合物都对己内酷和丙交酷聚合具有很高的催化活性。6.二价影配合物在室温下,单体与催化剂浓度适当的条件下,能使己内醋在1分钟内完全聚合,聚合反应显示出活性可控的特征,得到的聚己内醋最高数均分子量为68万;聚合反应温度高,聚合速度快,反应速度分别对单体浓度和催化剂浓度呈一级反应。适当控制反应条件可使甲基丙烯酸甲酷(MMEI )与CL组成可控嵌段聚合。相比之下,臆的配合物活性比衫的略低,但分子量分布更窄,反应时间延长至24小时以上也没有出现分子量下降和分布变宽的现象。7.首次发现二价稀土配合物对丙交酷的高聚合活性。单体的转化率和产物的特性粘数都随反应时间的延长而线性增加,显出活性聚合的特征,但该线性关系与理论计算值有偏差,说明并不是理想的活性聚合,或者体系存在两种以上的活性中心,但产物分子量可以通过单体与催化剂的比例调节,且手性丙交酉旨的旋光性高度保持。8.核磁共振氢谱在3.65ppm处没有HO-CHZ-己内醋端基,而在4.24ppm有HO-CH (CH_3)COO-端基吸收峰,碳谱中169.5和173.46ppm出的吸收峰没有劈裂,以及原子力显微镜(AFM)中观察到的微相分离结构等证明所合成的CL与LA共聚物为嵌段结构,也从侧面证明该催化体系聚合内醋的活性机理。9.发现二价配合物引发己内酷或丙交醋的聚合反应的引发过程是价态不变的,配体成为聚合物的端基。10.对CL-LLA嵌段共聚物的研究表明,与相同组成的共混物相比,由于受到PCL段的影响,嵌段共聚物中PLA段的结晶能力大大下降;首次采用AFM跟踪双晶嵌段共聚物结晶行为和微相分离行为随温度变化的规律,发现在嵌段共聚物微相分离结构中存在PLA纳米晶丝,随着温度升高,PLA的纳米晶丝逐渐增加,并将蠕虫状微相分离结构分割。11.嵌段聚合物的组成对结晶行为影响很大,当PCL含量为43.8%(摩尔)时,随着温度从27℃升到80℃,共聚物中PLA逐渐发生结晶,当温度升到160℃并降温至80℃时,PLA形成球晶结构;而当PCL含量为69.7%(摩尔)时,随着温度从27℃升到80℃,共聚物中PCL段结晶逐渐融化,而PLA逐渐结晶,当温度升到160℃并降温至80℃时,PLA没有发生结晶,进一步降温至27℃,出现球晶结构。
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The influences of arsenic interstitials and dislocations on the lattice parameters of undoped semi-insulating (SI) GaAs single crystals were analyzed. It was shown that the dislocations in such crystals serve as effective gettering sites for arsenic interstitials due to the deformation energy of dislocations. The average excess arsenic in GaAs epilayers grown by molecular-beam epitaxy (MBE) at low temperatures (LT) is about 1%, and the lattice parameters of these epilayers are larger than those of liquid-encapsulated Czochralski-grown (LEG) SI-GaAs by about 0.1%. The atomic ratio, [As]/([Ga] + [As]), in SI-GaAs grown by low-pressure (LP) LEC is the nearest to the strict stoichiometry compared with those grown by high-pressure (HP) LEC and vertical gradient freeze (VGF). After multiple wafer annealing (MWA), the crystals grown by HPLEC become closer to be strictly stoichiometric.
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In this article, the MCs(+)-SIMS technique has been used to characterize Ti/Al2O3 metal/insulator interfaces. Our experiment shows that by detecting MCs(+) secondary ions, the matrix and interface effects are reduced, and good depth profiles have been obtained. The experimental result also shows that with the increase of the annealing temperature (RT, 300 degrees C, 600 degrees C, 850 degrees C), the interface gets broadened gradually, indicating diffusion and reaction take place at the interface, and the interface reaction is enhanced with the increase in annealing temperature. When the temperature increases, the AlCs+ signal forms two plateaus in the Ti layer, indicating Al from the decomposition of Al2O3 diffuses into the Ti layer and exists as two new forms (phases). Also, with the increase of the annealing temperature, oxygen diffuses into the Ti layer gradually, and makes the O signal in the Ti layer increase significantly in the 850 degrees C annealed sample.
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提出了一种宽带检波器校准的新方法.利用矢量网络分析仪对检波器进行准确测量,结合宽带检波器的封装形式,建立检波器的等效电路模型.运用这种等效电路模型研究宽带检波器的高频响应特性,通过扣除检波器自身的频率响应波动,获得微波功率源准确的输出功率.通过理论分析与实验结果进行对比,结合功率计的测试结果,验证了这种方法的准确性.
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提出了一种具有多环形腔(MRC)和光纤布拉格光栅可调谐滤波器(FBG-TF)相结合的单纵模布里渊掺铒光纤激光器(BEDFL)。实验中通过观察激光器输出光的拍频信号分析其光谱精细结构,分别讨论了布里渊增益、FBG-TF、MRC对BEDFL单模输出的贡献,给出了激光器的功率特性曲线和波长稳定性测试图。实验得到了在1550 nm处功率为4 dBm,信噪比(SNR)>60 dB,线宽小于1.5 kHz的稳定单纵模输出光。
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使用分布式反馈(DFB)激光器对法布里-珀罗(F-P)激光器进行单模注入锁定。通过改变F-P激光器的偏置电流,DFB激光器的输出功率以及两激光器间的波长失谐量,对注入锁定F-P激光器的光谱特性、功率特性以及频率响应特性进行实验分析,找出影响注入锁定F-P激光器稳定性的因素,并测量注入锁定F-P激光器的稳定锁定区;通过优化注入条件实现F-P激光器的高边模抑制比(SMSR)输出,最高可达55 dB;通过与自由运转F-P激光器比较,发现注入锁定可以明显抑制半导体激光器在高频调制下光谱的展宽。注入锁定后F-P激光器的3 dB调制带宽接近14 GHz。实验结果表明,通过合理设计光注入条件,注入锁定技术可以明显改善F-P激光器的光谱特性以及高频响应特性,并在高速光纤通信领域中得到广泛应用。
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提出了一种多环形腔(MRC)结构的稳定可调的单纵模(SLM)掺铒光纤激光器,多环形腔结构由双环形有源腔和两个次级无源腔组成。这种激光器是利用光纤法布里-珀罗可调滤波器(FFP-TF)以及光学光栅滤波器(OGF)两种滤波器和多环形腔结构相结合来共同选模。可实现波长调节范围为1528~1565 nm,在整个波长调节范围内边模抑制比大于44.53 dB,在1554 nm附近边模抑制比可以达到最大值51.18 dB, 输出功率为-8.84 dBm,通过应用多环型腔结构,激光器的输出很稳定,在18 min的观察时间内,中心波长的变化小于0.02 nm,输出功率的变化小于0.04 dBm,实现了稳定且可调谐的单纵模输出。
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提出了一种精确测试电吸收调制激光器(EML)集成芯片高频特性的方法。待测芯片制作在带有微带线的热沉上,同时采用光探测器作为光电转换器,二者构成待测双口网络。被测双口网络的一端是共面线,使用微波探针作为测试夹具加载信号,另一端是同轴线,两个测试端口不同,不能采用简单的同轴校准方法校准待测系统。测试过程中采用扩展的开路-短路-负载(OSL)误差校准技术对集成器件的测试夹具微波探针进行校准,扣除了测试中使用的微波探针对集成光源高频特性的影响,同时采用光外差的方法扣除了高速光探测器的频率响应对结果的影响,得到集成光源散射参数的精确测试结果。