Metallogenic Provinces of the Southwestern United States and Northern Mexico

Some of the metallogenic provinces of the southwestern United States and northern Mexico are defined by the geographic distribution of trace elements in the primary sulfide minerals chalcopyrite and sphalerite. The elements investigated include antimony, arsenic, bismuth, cadmium, cobalt, gallium, germanium, indium, manganese, molybdenum, nickel, silver, tellurium, thallium, and tin. Of these elements, cobalt, gallium, germanium, indium, nickel, silver, and tin exhibit the best defined geographic distribution.

The data indicate that chalcopyrite is the preferred host for tin and perhaps molybdenum; sphalerite is the preferred host for cadmium, gallium, germanium, indium, and manganese; galena is the preferred host for antimony, bismuth, silver, tellurium, and thallium; and pyrite is the preferred host for cobalt, nickel, and perhaps arsenic. With respect to the two minerals chalcopyrite and sphalerite, antimony, arsenic, molybdenum, nickel, silver, and tin prefer chalcopyrite; and bismuth, cadmium, cobalt, gallium, germanium, indium, manganese, and thallium prefer sphalerite. This distribution probably is the result of the interaction of several factors, among which are these: the various radii of the elements, the association due to chemical similarities of the major and trace elements, and the degree of ionic versus covalent and metallic character of the metal-sulfur bonds in chalcopyrite and sphalerite. The type of deposit, according to a temperature classification, appears to be of minor importance in determining the trace element content of chalcopyrite and sphalerite.

A preliminary investigation of large single crystals of sphalerite and chalcopyrite indicates that the distribution within a single crystal of some elements such as cadmium in sphalerite and indium and silver in chalcopyrite is relatively uniform, whereas the distribution of some other elements such as cobalt and manganese in sphalerite is somewhat less uniform and the distribution of tin in sphalerite is extremely erratic. The variations in trace element content probably are due largely to variations in the composition of the fluids during the growth of the crystals, but the erratic behavior of tin in sphalerite perhaps is related to the presence of numerous cavities and inclusions in the crystal studied.

Maps of the geographic distribution of trace elements in chalcopyrite and sphalerite exhibit three main belts of greater than average trace element content, which are called the Eastern, Central, and Western belts. These belts are consistent in trend and position with a beltlike distribution of copper, gold, lead, zinc, silver, and tungsten deposits and with most of the major tectonic features. However, there appear to be no definite time relationships, for as many as four metallogenic epochs, from Precambrian to late Tertiary, are represented by ore deposits within the Central belt.

The evidence suggests that the beltlike features have a deep seated origin, perhaps in the sub-crust or outer parts of the mantle, and that the deposits within each belt might be genetically related through a beltlike compositional heterogeneity in the source regions of the ores. Hence, the belts are regarded as metallogenic provinces.

Spontaneous and stimulated light emission due to radiative recombination in forward biased lead telluride P-N junctions

Since the discovery in 1962 of laser action in semiconductor diodes made from GaAs, the study of spontaneous and stimulated light emission from semiconductors has become an exciting new field of semiconductor physics and quantum electronics combined. Included in the limited number of direct-gap semiconductor materials suitable for laser action are the members of the lead salt family, i.e . PbS, PbSe and PbTe. The material used for the experiments described herein is PbTe . The semiconductor PbTe is a narrow band- gap material (E_g = 0.19 electron volt at a temperature of 4.2°K). Therefore, the radiative recombination of electron-hole pairs between the conduction and valence bands produces photons whose wavelength is in the infrared (λ ≈ 6.5 microns in air).

The p-n junction diode is a convenient device in which the spontaneous and stimulated emission of light can be achieved via current flow in the forward-bias direction. Consequently, the experimental devices consist of a group of PbTe p-n junction diodes made from p –type single crystal bulk material. The p - n junctions were formed by an n-type vapor- phase diffusion perpendicular to the (100) plane, with a junction depth of approximately 75 microns. Opposite ends of the diode structure were cleaved to give parallel reflectors, thereby forming the Fabry-Perot cavity needed for a laser oscillator. Since the emission of light originates from the recombination of injected current carriers, the nature of the radiation depends on the injection mechanism.

The total intensity of the light emitted from the PbTe diodes was observed over a current range of three to four orders of magnitude. At the low current levels, the light intensity data were correlated with data obtained on the electrical characteristics of the diodes. In the low current region (region A), the light intensity, current-voltage and capacitance-voltage data are consistent with the model for photon-assisted tunneling. As the current is increased, the light intensity data indicate the occurrence of a change in the current injection mechanism from photon-assisted tunneling (region A) to thermionic emission (region B). With the further increase of the injection level, the photon-field due to light emission in the diode builds up to the point where stimulated emission (oscillation) occurs. The threshold current at which oscillation begins marks the beginning of a region (region C) where the total light intensity increases very rapidly with the increase in current. This rapid increase in intensity is accompanied by an increase in the number of narrow-band oscillating modes. As the photon density in the cavity continues to increase with the injection level, the intensity gradually enters a region of linear dependence on current (region D), i.e. a region of constant (differential) quantum efficiency.

Data obtained from measurements of the stimulated-mode light-intensity profile and the far-field diffraction pattern (both in the direction perpendicular to the junction-plane) indicate that the active region of high gain (i.e. the region where a population inversion exists) extends to approximately a diffusion length on both sides of the junction. The data also indicate that the confinement of the oscillating modes within the diode cavity is due to a variation in the real part of the dielectric constant, caused by the gain in the medium. A value of τ ≈ 10^-9 second for the minority- carrier recombination lifetime (at a diode temperature of 20.4°K) is obtained from the above measurements. This value for τ is consistent with other data obtained independently for PbTe crystals.

Data on the threshold current for stimulated emission (for a diode temperature of 20. 4°K) as a function of the reciprocal cavity length were obtained. These data yield a value of J’_th = (400 ± 80) amp/cm² for the threshold current in the limit of an infinitely long diode-cavity. A value of α = (30 ± 15) cm^-1 is obtained for the total (bulk) cavity loss constant, in general agreement with independent measurements of free- carrier absorption in PbTe. In addition, the data provide a value of n_s ≈ 10% for the internal spontaneous quantum efficiency. The above value for n_s yields values of t_b ≈ τ ≈ 10^-9 second and t_s ≈ 10^-8 second for the nonradiative and the spontaneous (radiative) lifetimes, respectively.

The external quantum efficiency (n_d) for stimulated emission from diode J-2 (at 20.4° K) was calculated by using the total light intensity vs. diode current data, plus accepted values for the material parameters of the mercury- doped germanium detector used for the measurements. The resulting value is n_d ≈ 10%-20% for emission from both ends of the cavity. The corresponding radiative power output (at λ = 6.5 micron) is 120-240 milliwatts for a diode current of 6 amps.

Thermodynamic and kinetic behavior of an argon plasma jet. Decomposition of nitric oxide between 1300 - 1750 degrees K in an argon plasma

In the first part of the study, an RF coupled, atmospheric pressure, laminar plasma jet of argon was investigated for thermodynamic equilibrium and some rate processes.

Improved values of transition probabilities for 17 lines of argon I were developed from known values for 7 lines. The effect of inhomogeneity of the source was pointed out.

The temperatures, T, and the electron densities, n_e , were determined spectroscopically from the population densities of the higher excited states assuming the Saha-Boltzmann relationship to be valid for these states. The axial velocities, v_z, were measured by tracing the paths of particles of boron nitride using a three-dimentional mapping technique. The above quantities varied in the following ranges: 10¹² ˂ n_e ˂ 10¹⁵ particles/cm³, 3500 ˂ T ˂ 11000 °K, and 200 ˂ v_z ˂ 1200 cm/sec.

The absence of excitation equilibrium for the lower excitation population including the ground state under certain conditions of T and n_e was established and the departure from equilibrium was examined quantitatively. The ground state was shown to be highly underpopulated for the decaying plasma.

Rates of recombination between electrons and ions were obtained by solving the steady-state equation of continuity for electrons. The observed rates were consistent with a dissociative-molecular ion mechanism with a steady-state assumption for the molecular ions.

In the second part of the study, decomposition of NO was studied in the plasma at lower temperatures. The mole fractions of NO denoted by x_NO were determined gas-chromatographically and varied between 0.0012 ˂ x_NO ˂ 0.0055. The temperatures were measured pyrometrically and varied between 1300 ˂ T ˂ 1750°K. The observed rates of decomposition were orders of magnitude greater than those obtained by the previous workers under purely thermal reaction conditions. The overall activation energy was about 9 kcal/g mol which was considerably lower than the value under thermal conditions. The effect of excess nitrogen was to reduce the rate of decomposition of NO and to increase the order of the reaction with respect to NO from 1.33 to 1.85. The observed rates were consistent with a chain mechanism in which atomic nitrogen and oxygen act as chain carriers. The increased rates of decomposition and the reduced activation energy in the presence of the plasma could be explained on the basis of the observed large amount of atomic nitrogen which was probably formed as the result of reactions between excited atoms and ions of argon and the molecular nitrogen.

Primary and secondary threshold intensities of ultraviolet-laser-induced domain nucleation in nearly stoichiometric LiTaO3

The primary and secondary threshold intensities of ultraviolet-laser-induced preferential domain nucleation in nearly stoichiometric LiTaO3 is observed. The primary threshold is the minimum intensity to achieve the instantaneous preferential domain nucleation within the focus by the combined action of irradiation and electric fields. The secondary threshold is the minimum intensity to achieve the memory effect without any irradiation within the original focus. The space charge field created by the photoionization carriers is thought to be responsible for the instantaneous effect. The explanation based on the formation and transformation of extrinsic defect is presented for the memory effect. (c) 2008 American Institute of Physics.

Paths Towards High Efficiency Silicon Photovoltaics

While photovoltaics hold much promise as a sustainable electricity source, continued cost reduction is necessary to continue the current growth in deployment. A promising path to continuing to reduce total system cost is by increasing device efficiency. This thesis explores several silicon-based photovoltaic technologies with the potential to reach high power conversion efficiencies. Silicon microwire arrays, formed by joining millions of micron diameter wires together, were developed as a low cost, low efficiency solar technology. The feasibility of transitioning this to a high efficiency technology was explored. In order to achieve high efficiency, high quality silicon material must be used. Lifetimes and diffusion lengths in these wires were measured and the action of various surface passivation treatments studied. While long lifetimes were not achieved, strong inversion at the silicon / hydrofluoric acid interface was measured, which is important for understanding a common measurement used in solar materials characterization.

Cryogenic deep reactive ion etching was then explored as a method for fabricating high quality wires and improved lifetimes were measured. As another way to reach high efficiency, growth of silicon-germanium alloy wires was explored as a substrate for a III-V on Si tandem device. Patterned arrays of wires with up to 12% germanium incorporation were grown. This alloy is more closely lattice matched to GaP than silicon and allows for improvements in III-V integration on silicon.

Heterojunctions of silicon are another promising path towards achieving high efficiency devices. The GaP/Si heterointerface and properties of GaP grown on silicon were studied. Additionally, a substrate removal process was developed which allows the formation of high quality free standing GaP films and has wide applications in the field of optics.

Finally, the effect of defects at the interface of the amorphous silicon heterojuction cell was studied. Excellent voltages, and thus efficiencies, are achievable with this system, but the voltage is very sensitive to growth conditions. We directly measured lateral transport lengths at the heterointerface on the order of tens to hundreds of microns, which allows carriers to travel towards any defects that are present and recombine. This measurement adds to the understanding of these types of high efficiency devices and may aid in future device design.

I. Fundamental limitations in microelectronics. II. Power Schottky diode design and comparison with the junction diode. III. Permittivity of strontium titanate

Part I

The physical phenomena which will ultimately limit the packing density of planar bipolar and MOS integrated circuits are examined. The maximum packing density is obtained by minimizing the supply voltage and the size of the devices. The minimum size of a bipolar transistor is determined by junction breakdown, punch-through and doping fluctuations. The minimum size of a MOS transistor is determined by gate oxide breakdown and drain-source punch-through. The packing density of fully active bipolar or static non-complementary MOS circuits becomes limited by power dissipation. The packing density of circuits which are not fully active such as read-only memories, becomes limited by the area occupied by the devices, and the frequency is limited by the circuit time constants and by metal migration. The packing density of fully active dynamic or complementary MOS circuits is limited by the area occupied by the devices, and the frequency is limited by power dissipation and metal migration. It is concluded that read-only memories will reach approximately the same performance and packing density with MOS and bipolar technologies, while fully active circuits will reach the highest levels of integration with dynamic MOS or complementary MOS technologies.

Part II

Because the Schottky diode is a one-carrier device, it has both advantages and disadvantages with respect to the junction diode which is a two-carrier device. The advantage is that there are practically no excess minority carriers which must be swept out before the diode blocks current in the reverse direction, i.e. a much faster recovery time. The disadvantage of the Schottky diode is that for a high voltage device it is not possible to use conductivity modulation as in the p i n diode; since charge carriers are of one sign, no charge cancellation can occur and current becomes space charge limited. The Schottky diode design is developed in Section 2 and the characteristics of an optimally designed silicon Schottky diode are summarized in Fig. 9. Design criteria and quantitative comparison of junction and Schottky diodes is given in Table 1 and Fig. 10. Although somewhat approximate, the treatment allows a systematic quantitative comparison of the devices for any given application.

Part III

We interpret measurements of permittivity of perovskite strontium titanate as a function of orientation, temperature, electric field and frequency performed by Dr. Richard Neville. The free energy of the crystal is calculated as a function of polarization. The Curie-Weiss law and the LST relation are verified. A generalized LST relation is used to calculate the permittivity of strontium titanate from zero to optic frequencies. Two active optic modes are important. The lower frequency mode is attributed mainly to motion of the strontium ions with respect to the rest of the lattice, while the higher frequency active mode is attributed to motion of the titanium ions with respect to the oxygen lattice. An anomalous resonance which multi-domain strontium titanate crystals exhibit below 65°K is described and a plausible mechanism which explains the phenomenon is presented.

Estudos de metais pesados e isótopos de Pb nos sedimentos da Baía de Sepetiba baseados em geoquímica e na distribuição pelas possíveis áreas fontes

A Baia de Sepetiba é uma laguna costeira separada do oceano por uma ilha barreira. Localiza-se a 60 km da cidade do Rio de Janeiro, em uma importante região geoeconômica do Brasil. O objetivo deste trabalho foi avaliar a distribuição espacial da contaminação dos metais Cu, Pb, V, Cr, Cd, Co, Ni e Zn nos sedimentos da Baia. O mapa das concentrações elaborado pelo método de lixiviação permitiu caracterizar anomalias ao entorno da foz do Rio Guandu, na área da Coroa Grande, do Porto de Itaguaí, da Ilha do Martins, e anomalias ao longo de faixa com direção NW-SE. Os resultados das concentrações totais indicam contaminação por Zn, Cd, próximo a Ilha da Madeira com Pb e Cr associados e Cu e Zn na Restinga de Marambaia, com Ni, Pb e Cr associados. Os resultados dos isótopos de Pb para as razões de 206Pb/207Pb entre 1,23 e 1,27 representam os resíduos industriais e ocorrem em duas áreas: na parte leste da Restinga e entre as Ilhas de Jaguanum e Itacuruçá. A leste/sudeste destas ilhas foi reportada uma razão ainda mais alta (1.30), ainda não identificável na literatura. As correntes marinhas desempenham a redistribuição dos sedimentos e metais associados na Baia, com transporte de oeste para leste da pluma sedimentar descarregada pelos rios. Os principais causadores da poluição da Baia de Sepetiba são uma pilha de rejeito de Zn abandonada, resíduos industriais e domésticos não tratados de forma eficaz, poluentes atmosféricos de siderúrgicas e veículos, e por ventura resíduos de atividades navais e militares.

波片相位延迟的精确测量及影响因素分析

提出一种精确测量波片相位延迟的方法。将待测波片置于起偏器和检偏器之间,转动待测波片和检偏器至不同的位置并探测输出的光强,得到波片的相位延迟。采用光源调制技术和解调技术,抑制了连续光所无法克服的背景光干扰和电子噪声的干扰;将光路分为测量光路和参考光路,采用软件除法技术,消除了光源波动的影响,从而实现波片相位延迟的精确测量。详细分析了影响测量精度的误差因素,主要有光源波长变化、温度变化、入射角倾斜、转台转角误差和光源波动,计算了1064 nm波长时厚度为0.52 mm的λ/4多级结晶石英波片产生的相位延迟误差

Reavaliação deposicional da Bacia de São José de Itaboraí com base em dados geológicos e geofísicos

A Bacia de São José de Itaboraí está localizada no Município de Itaboraí, no Estado do Rio de Janeiro. Ela foi descoberta em 1928, pelo Engenheiro Carlos Euler, que após analisar um suposto caulim encontrado na Fazenda São José pelo seu então proprietário, Sr. Ernesto Coube, verificou que se tratava de calcário. Os Professores Rui Lima e Silva e Othon H. Leonardos, enviados ao local para estudos, encontraram uma grande quantidade de fósseis de gastrópodes continentais, despertando o interesse científico pela região. Os estudos preliminares de campo e análises químicas evidenciaram boas perspectivas de exploração do calcário para a fabricação de cimento do tipo Portland. Por mais de 50 anos, a Companhia Nacional de Cimento Portland Mauá (CNCPM) explorou a pedreira. Desde sua descoberta, a Bacia de São José, paralelamente às atividades de mineração, foi objeto de pesquisas científicas realizadas por geólogos, paleontólogos e arqueólogos. No início da década de 80, a Cia. de Cimento Mauá decidiu abandonar a área em função do esgotamento econômico da reserva de minério. Com a retirada das bombas que impediam a inundação da pedreira, formou-se uma lagoa que passou a impedir o livre acesso aos afloramentos. Desde então as pesquisas sobre a Bacia ficaram concentradas aos materiais coletados no período de exploração de calcário. Material esse distribuído no Museu Nacional (MN), Departamento Nacional da Produção Mineral (DNPM), Instituto de Geociências da UFRJ, entre outros. Em 1990, a área que pertencia a CNCPM foi desapropriada por pressão da comunidade científica. A mesma passou a pertencer ao Município de Itaboraí, que criou o Parque Paleontológico de São José de Itaboraí, por meio da Lei 1.346, de 12 de dezembro de 1995. O objetivo desse trabalho foi gerar novos dados através do método geofísico conhecido como magnetometria. Para isso foram realizados levantamentos de campo utilizando um magnetômetro portátil e GPS, foram analisados e corrigidos dados utilizando softwares específicos, elaborados modelos e criados perfis a partir de descrições de testemunhos de sondagem. Os resultados obtidos visam possibilitar uma nova interpretação da geologia e da estratigrafia da bacia, dando condições para que se possa ter uma atualização dos conhecimentos relacionados à região, após quase meio século de atividade mineradora.

Capital, trabalho, saúde e meio ambiente: uma relação destrutiva analisada em uma indústria de pelotização

O presente trabalho visa analisar as condições do processo de trabalho de uma empresa mineradora, de capital multinacional, em usinas de pelotização, instaladas em Anchieta/ES. Pretende, também, examinar os determinantes desse processo e as conseqüências para a saúde dos trabalhadores, levando em consideração sua exposição aos riscos, relacionadas à destruição do meio ambiente. Os procedimentos metodológicos adotados na pesquisa consistiram basicamente de estudo bibliográfico, análise documental e aplicação de questionários aos trabalhadores da empresa residentes nesse município. O estudo parte da relação existente entre capital, trabalho e saúde do trabalhador, tendo como marco histórico a revolução industrial. Destacam-se nesse resgate os diferentes momentos do sistema produtivo capitalista, fazendo um paralelo com os sistemas de saúde em relação ao trabalhador. Verificamos que, com a expansão dos estudos sobre trabalho e saúde do trabalhador, as discussões não ficaram restritas ao chão da fábrica, passando a articular o mundo da produção e o ambiente de trabalho, introduzindo o debate sobre a deterioração das condições ambientais em escala planetária no atual estágio de desenvolvimento do capitalismo. O campo de análise em que os aspectos pontuados são examinados é a cidade de Anchieta/ES, onde se localiza a empresa pesquisada. O processo de operação das usinas de pelotização nessa localidade transformou o pequeno lugarejo praiano, que vivia apenas da pesca, da agricultura familiar e do turismo tradicional, no litoral sul do Espírito Santo, em sede de um possível conglomerado de empresas e indústrias ligadas ao minério, à siderurgia, ao petróleo e gás. Como resultantes dos efeitos desse processo de produção, nas condições de vida dos trabalhadores, observa-se que as alterações produzidas pela empresa influenciam destrutivamente as duas principais fontes de produção da sua riqueza: a natureza, configurada no meio-ambiente local e nacional, e a força de trabalho nela alocada que fica submetida a todos os fatores de risco a sua saúde.

Observation of ultrafast carrier dynamics in amorphous Ge2Sb2Te5 films induced by femtosecond laser pulses

The femtosecond pump-probe technique was used to study the carrier dynamics of amorphous Ge2Sb2Te5 films. With carrier density at around 10(20)-10(21) cm(-3), carriers were excited within 1 ps and recovered to the initial state for less than 3 ns. On the picosecond time scale, the carrier relaxation consists of two components: a fast process within 5 ps and a slow process after 5 ps. The relaxation time of the fast component is a function of carrier density, which increases from 1.9 to 4.3 ps for the carrier density changing from 9.7x10(20) cm(-3) to 3.1x10(21) cm(-3). A possible interpretation of the relaxation processes is elucidated. In the first 5 ps the relaxation process is dominated by an intraband carrier relaxation and the carrier trapping. It is followed by a recombination process of trapped carriers at later delay time. (c) 2007 American Institute of Physics.

Avaliação da eficácia da desinfecção de instrumentos usados durante o período transoperatório do tratamento endodôntico

Esta investigação objetivou a eficácia antimicrobiana de agentes desinfetantes utilizados na desinfecção dos instrumentos endodônticos, durante o período transoperatório do tratamento endodôntico. A atividade antimicrobiana dos desinfetantes álcool isopropílico, acetona e ácido peracético (PAA) foi avaliada sobre microrganismos planctônicos através de teste de contato (time kill assay), utilizando inóculo de 9,9 X 109 a 1,2 X 1012 unidades formadoras de colônia (UFC) e por determinação da concentração bactericida mínima (CBM), usando inóculo de aproximadamente 106 UFC. Os agentes químicos também foram avaliados sobre Enterococcus faecalis (E. faecalis) ATCC 29212 cultivada em matriz de dentina (ex vivo) visando a formação de biofilme. O biofilme (organismos sésseis) microbiano foi removido com limas tipo Kerr (LK), até as lâminas estarem visualmente preenchidas. As LK contaminadas foram usadas como carreadores (logo após a contaminação ou secas dentro de uma câmara de fluxo laminar por 10 minutos). As LK carreadoras foram imersas em álcool isopropílico ou acetona ambos a 80%, ou em Ácido peracético 2%, por 30 ou 60 segundos. As limas foram posteriormente colocadas em tubos de ensaio contendo caldo Enterococcosel para observar o crescimento dos enterococos viáveis. Depois, os experimentos in vivo foram realizados com LK contaminadas por material necrótico pulpar da região cervical de dentes indicados para tratamento endodôntico. As LK contaminadas foram imersas, por 30 ou 60 segundos, em 80% de acetona ou 80% de álcool isopropílico ou 2% de PAA. As limas foram então inoculadas em tubos de ensaio contendo meio tioglicolato. Os organismos que cresceram, foram identificados após o tratamento com PAA. A corrosão mediada pelos agentes químicos também foi testada, após a incubação de LK de aço inoxidável e de NiTi por 60 minutos, medindo o peso das LK antes e depois da imersão e por microscopia eletrônica de varredura (MEV). Todos os agentes químicos foram capazes de eliminar ou reduzir a viabilidade das bactérias de espécies planctônicas Gram-negativas e Gram-positivas, embora a atividade dos produtos químicos sobre E. faecalis sésseis em testes de carreadores de LK demonstrou que o álcool isopropílico ou acetona foram incapazes de eliminar a contaminação bacteriana, especialmente, quando as limas foram secas previamente à exposição aos produtos químicos, por 15 ou 30 segundos. O PAA demonstrou a melhor atividade antimicrobiana e eliminou a viabilidade das células sésseis E. faecalis de ambas as limas endodônticas tipo K úmidas ou secas, após exposição por 15 segundos (100% de eliminação). Os experimentos desenvolvidos in vivo demonstraram que o PAA foi o agente mais eficaz (p<0,05), capaz de eliminar a viabilidade dos organismos em 92% das LK imersas depois de 60 segundos, quando comparado com acetona (64%) ou com álcool isopropílico (50%). O crescimento microbiano após o contato com o PAA demonstrou que somente o grupo dos Lactobacillus sp foi resistente a essa substância química. Os agentes químicos não demonstraram ser corrosivos, após a imersão por 1 hora, tanto por pesagem quanto por MEV. Foi observado que o PAA foi o agente mais eficaz para ser utilizado como desinfetante de instrumentos, durante o período transoperatório do tratamento endodôntico.

Traçadores isotópicos (Pb) e concentrações de metais em sedimentos superficiais: ferramentas na caracterização da poluição no setor oeste da baía de Sepetiba-RJ (SE do Brasil)

Este estudo teve como objetivo principal utilizar os teores de elementos-traço e análise isotópica de Pb (204Pb,206Pb,207Pb,208Pb) como ferramentas na caracterização da poluição da Baía de Sepetiba-RJ. As coletas de sedimento superficiais de fundo foram realizadas em três campanhas, em novembro de 2010, no setor oeste da Baía de Sepetiba RJ. A malha amostral é composta por 66 amostras (BSEP 001 a BSEP 066) coletadas com busca-fundo Van Veen. O pré-processamento das amostras ocorreu no Laboratório Geológico de Preparação de Amostras do Departamento de Geologia da Universidade do Estado do Rio de Janeiro. A digestão parcial das amostras de sedimento (< 0.072 mm) para obtenção do teor parcial dos elementos-traço (Ag, As, Cd, Co, Cr, Cu, Li, Mn, Ni, Pb, Sr, U, Zn) e de isótopo de Pb (lixiviação) foi executada no Laboratório de Geoquímica Analítica do Instituto de Geociências da UNICAMP e a leitura foi executada através do ICP-MS. Já as análises das concentrações totais dos elementos-traço (inclusive, Hg) e de isótopos de Pb (dissolução total) foram realizadas no laboratório ACTLABS (Ontário-Canadá) através do ICP Varian Vista. As leituras isotópicas foram feitas somente nas amostras que apresentaram concentrações parciais de Pb, acima de 0,5 g/g, totalizando 21 estações. Pôde-se constatar a existência de um enriquecimento de elementos-traço no setor oeste da Baía de Sepetiba. As médias dos teores totais de Ag (0,4 g/g), Cd (0,76 g/g), Cu (62,59 g/g), Li (43,29 g/g), Ni (16,65 g/g), Pb (20,08 g/g), Sr (389,64 g/g) e Zn (184,82 g/g) excederam os limites recomendados ou valores naturais. Isto pode ser reflexo da influência antrópica na região, principalmente relacionada à atividade de dragagem e à permanência dos resíduos de minério da desativada companhia de minério Ingá, na Ilha da Madeira. Os mapas de distribuição da concentração dos metais-traço destacaram a presença de vários sítios de deposição ao longo do setor oeste da baía de Sepetiba, com destaque para a região entre a porção centro oeste da Ilha de Itacuruça e o continente; Saco da Marambaia e Ponta da Pombeba; e porção oeste da Ponta da Marambaia. As razões isotópicas 206Pb/207Pb da área estudada variaram entre 1,163 a 1,259 para dissolução total e 1,1749-1,1877 para técnica de lixiviação, valores considerados como assinaturas de sedimentos pós-industriais ou comparados à assinatura de gasolina. Ainda sobre a técnica de lixiviação, destaca-se que os sedimentos superficiais do setor oeste (206Pb/207Pb: 1,1789) da baía de Sepetiba apresentaram uma assinatura uniforme e menos radiogênica do que setor leste (206Pb/207Pb: 1,2373 e 1,2110) desta baía. Através da assinatura isotópica de Pb encontrada nesta região é possível destacar a pouca contribuição das águas oceânicas para esse sistema, entretanto, a circulação interna intensa das águas da baía permite a homogeneização destas. O emprego destes tipos de ferramentas no monitoramento ambiental da área mostrou-se bastante eficiente, sendo importante a continuidade desta abordagem de pesquisa a fim de auxiliar na implementação de um plano de manejo local.

Acoustic plasmons in extrinsic free-standing graphene

An acoustic plasmon is predicted to occur, in addition to the conventional two-dimensional (2D) plasmon, as the collective motion of a system of two types of electronic carriers coexisting in the same 2D band of extrinsic (doped or gated) graphene. The origin of this novel mode stems from the anisotropy present in the graphene band structure near the Dirac points K and K'. This anisotropy allows for the coexistence of carriers moving with two distinct Fermi velocities along the Gamma K and Gamma K' directions, which leads to two modes of collective oscillation: one mode in which the two types of carriers oscillate in phase with one another (this is the conventional 2D graphene plasmon, which at long wavelengths (q -> 0) has the same dispersion, q(1/2), as the conventional 2D plasmon of a 2D free electron gas), and the other mode found here corresponds to a low-frequency acoustic oscillation (whose energy exhibits at long-wavelengths a linear dependence on the 2D wavenumber q) in which the two types of carriers oscillate out of phase. This prediction represents a realization of acoustic

Navegantes e surfistas: as curvaturas do ciberespaço nas vizinhanças dos portais

De um território livre, construído em torno dos princípios da liberdade e da colaboração um ambiente onde pode ser exercida a liberdade de ser (ou parecer), de dizer (ou escrever) e de ouvir (ou ler), para o bem ou para o mal, a massificação do uso da Internet tem constituído um espaço social (virtual) contraditório e diversificado, onde forças cuja vocação parece ser homogeneizar (e possivelmente pasteurizar) esse território livre da diferença têm sido postas em cena. Dentre essas forças, lugar especial é ocupado pelo que se convencionou chamar portais de interesse geral. Tais sites, ao procurar responder a diferentes interesses, de modo a assegurar que o máximo possível de anseios de seus usuários seja satisfeito sem a necessidade de navegarem para fora dos seus domínios, são construídos como empreendimentos cujo sucesso requer o controle do comportamento de navegação dos usuários o que, neste caso, não pode ser feito senão através do discurso (persuasivo). A hipótese que salta aos olhos é evidente: e se este não for apenas um controle pelo discurso, mas um controle do discurso? A premissa é, evidentemente, que tais sites constituem uma categoria especial de artefatos de linguagem produzidos no interior de eventos comunicativos bem determinados, isto é, um gênero emergente do discurso. Assim, o objetivo primário da presente pesquisa consistiu em determinar como o modo de funcionamento discursivo do portal contribui para afetar os hábitos de navegação dos seus usuários, curvando e distorcendo o ciberespaço nas suas vizinhanças. Para isso procuramos abordar o que chamamos atratores retóricos, isto é, aquelas estratégias (discursivas) destinadas a seduzir, convencer ou mesmo fraudar os usuários de modo a assegurar sua permanência na órbita dos portais, fazendo desses websites vetores da ordem do discurso, um elemento de controle do caos típico do ciberespaço, um agente de exorcismo da diferença e subjugação do discurso desenfreado.