Filtragem adaptativa aplicada à redução de desvios em séries temporais de previsão numérica climática.

Esta dissertação apresenta resultados da aplicação de filtros adaptativos, utilizando os algoritmos NLMS (Normalized Least Mean Square) e RLS (Recursive Least Square), para a redução de desvios em previsões climáticas. As discrepâncias existentes entre o estado real da atmosfera e o previsto por um modelo numérico tendem a aumentar ao longo do período de integração. O modelo atmosférico Eta é utilizado operacionalmente para previsão numérica no CPTEC/INPE e como outros modelos atmosféricos, apresenta imprecisão nas previsões climáticas. Existem pesquisas que visam introduzir melhorias no modelo atmosférico Eta e outras que avaliam as previsões e identificam os erros do modelo para que seus produtos sejam utilizados de forma adequada. Dessa forma, neste trabalho pretende-se filtrar os dados provenientes do modelo Eta e ajustá-los, de modo a minimizar os erros entre os resultados fornecidos pelo modelo Eta e as reanálises do NCEP. Assim, empregamos técnicas de processamento digital de sinais e imagens com o intuito de reduzir os erros das previsões climáticas do modelo Eta. Os filtros adaptativos nesta dissertação ajustarão as séries ao longo do tempo de previsão. Para treinar os filtros foram utilizadas técnicas de agrupamento de regiões, como por exemplo o algoritmo de clusterização k-means, de modo a selecionar séries climáticas que apresentem comportamentos semelhantes entre si. As variáveis climáticas estudadas são o vento meridional e a altura geopotencial na região coberta pelo modelo de previsão atmosférica Eta com resolução de 40 km, a um nível de pressão de 250 hPa. Por fim, os resultados obtidos mostram que o filtro com 4 coeficientes, adaptado pelo algoritmo RLS em conjunto com o critério de seleção de regiões por meio do algoritmo k-means apresenta o melhor desempenho ao reduzir o erro médio e a dispersão do erro, tanto para a variável vento meridional quanto para a variável altura geopotencial.

Tonle Sap scoping report

The scoping mission team was composed of 14 people representing research institutions (RUPP), government (FiA, IFReDI), NGOs (ANKO, ADIC) and CGIAR institutions (WorldFish and Bioversity). The scoping trip was carried out over a 7-day period from April 28 to May 4 within eight (8) communities in Kampong Thom, Siem Reap, Battambang, Pursat and Kampong Chhnang. In addition, panel discussions were held with local government, fishery, agriculture and water management institutions, NGOs, the private sector and communities, and were convened in Siem Reap, Battambang and Pursat. The AAS scoping team focused their enquiries on five themes, and the findings of this report are presented in sections that highlight the opportunities, challenges and knowledge gaps related to each theme. The sections have been lightly edited to maintain the style and intention of the authors. The themes are: 1) AAS production systems--fish, rice, aquaculture. 2) Livelihoods, poverty, and gender equity . 3) Value chains and markets. 4) Institutions and governance. 5) Knowledge management and partnerships.

1.4 kV, 25 A, PT and NPT Trench IGBTs with optimum forward characteristics

In this paper we report the development of 1.4 kV 25 A PT and NPT Trench IGBTs with ultra-low on-resistance, latch-up free operation and highly superior overall performance when compared to previously reported DMOS IGBTs in the same class. We have fabricated both PT and transparent anode NPT devices to cover a wide range of applications which require very low on-state losses or very fast time with ultra-low switching losses. The minimum forward voltage drop at the standard current density of 100A/cm2 was 1.1 V for PT non-irradiated devices and 2.1 V for 16 MRad PT irradiated devices. The non-irradiated transparent emitter NPT structure has a typical forward voltage drop of 2.2 V, a turn-off time below 100 ns and turn-off energy losses of 11.2 mW/cm2 at 125 C. The maximum controllable current density was in excess of 1000A/cm2.

Defined etching of carbon-diamond films on silicon using an oxygen plasma with titanium masking

A technique for pattern transfer onto carbon-diamond films deposited by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition is reported. Such a technique involves standard photolithography processes and reactive ion etching by oxygen and is compatible with present day microelectronic technology. The patterns transferred are well defined with very good resolution. © 1992.