999 resultados para Villon, François, b. 1431.


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IEECAS SKLLQG

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室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对 5keVB子预注入后的n -型单晶Si( 1 0 0 )进行了辐照 ,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B子的分布剖面及其变化 .结果表明 ,高剂量Si,F和O离子的附加辐照可以抑制热激活退火中B子发生的瞬间增强扩散 .在相同的辐照条件下 ,Si近表面区域中SiO2层的存在更有助于限制B子的瞬间增强扩散 .结合卢瑟福沟道背散射分析和DICADA程序计算对实验结果进行了讨论