离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响
| Data(s) |
15/12/2001
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| Resumo |
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对 5keVB离子预注入后的n -型单晶Si( 1 0 0 )进行了辐照 ,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的分布剖面及其变化 .结果表明 ,高剂量Si,F和O离子的附加辐照可以抑制热激活退火中B原子发生的瞬间增强扩散 .在相同的辐照条件下 ,Si近表面区域中SiO2层的存在更有助于限制B原子的瞬间增强扩散 .结合卢瑟福沟道背散射分析和DICADA程序计算对实验结果进行了讨论 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘昌龙,B.J.Sealy,A.Nejim,R.M.Gwilliam.离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响, 高能物理与核物理, 2001-12-15, 2001( 12):1238-1244 |
| Palavras-Chave | #注入 #瞬间增强扩散 #二次离子质谱仪 #单晶Si |
| Tipo |
期刊论文 |
