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随着社会的发展,人均寿命的延长,人口老龄化已经成为我国不可回避的社会 问题。老年人在医疗卫生保健方面的花费远远超过普通人群。健康长寿老人能避 免或者延缓年龄相关疾病的发生,从而减少在卫生保健方面的花费;另外,长寿 老人的子女在年龄相关疾病方面的患病率也显著低于年龄相匹配的对照组。因 此,开展健康长寿方面的研究,一方面可以提高老年人的生活质量,另一方面可 以改善由于人口老龄化而引起的社会问题。 我国长寿老人大多零散分布在乡区,并且由于长寿老人的身体条件等原因, 给完整的收集相关数据带来困难。国内关于长寿的研究主要集中在城镇,而且由 于人群、地域、生活方式等差异我们也不能完全借鉴国外的研究成果。因此,我 们对四川和云南汉族健康长寿老人进行横断面研究,并对其长寿机理进行探索。 从亲缘关系上我们把样品分为:长寿组、血缘组和无血缘组三个组;从年龄上分 为:≤59、60-89、90-94 和≥95 四个组。在实验中,我们测定了常规体检指标, 常见促炎细胞因子和抗炎细胞因子水平以及其调控区的单核苷酸多态性。 一般认为随着年龄增加血糖水平升高,并且高水平的 HDL-C 和高比率的 HDL-C/TC 以及低TC,TG 和LDL-C 水平有利于长寿。都江堰长寿老人血糖水平偏 低,显著低于血缘组和无血缘组以及其他年龄组;调整年龄后,都江堰≥95 岁 年龄组的血糖水平显著高于90-94 年龄组;血糖水平在性别间不存在显著差异。 都江堰长寿老人LDL-C 水平在90-94 和≥95 年龄组显著低于其他年龄组,≥95 年龄组显著低于90-94 年龄组;调整性别后,90-94 年龄组女性的LDL-C 水平显 著高于男性水平,其他年龄组在性别间差异不显著;女性≥95 年龄组显著低于 90-94 年龄组,但在男性中差异不显著。TG 和TC 水平在都江堰和红塔两地各组 中的变化趋势都存在着差异,在性别间比较发现两地各年龄组变化趋势都一致, 仅在90-94 年龄组女性都显著高于男性。HDL-C 水平和HDL-C/TC 在都江堰和红 塔两地各组中变化趋势不一致,调整性别后HDL-C/TC 在90-94 年龄组两地女性 的比率都显著大于男性。通常IL6、IL10 和TNFα 水平随着年龄增加而升高。云 南长寿老人的IL6 水平显著高于血缘组和无血缘组,性别之间的差异不显著。 IL10 水平长寿组显著高于无血缘组,TNFα 水平在各组间差异不显著,由于这两 种细胞因子在绝大多数个体中呈本底水平表达,很难分析年龄与它们水平的相关性。在这三种细胞因子调控区的常见SNPs 位点上,许多研究表明il10-1082 和 il6-174 位点和长寿存在着一定的相关性,tnfα-308 位点与长寿不存在相关性。 在我们收集的样品中il6-174 位点不存在多态性。男性个体的il10-592A 和-819T 的等位基因频率在长寿组显著高于无血缘组,在-1082 位点与长寿不存在相关性。 tnfα-238A 和-308A 等位基因频率在长寿组中显著高于无血缘组,在各组单倍型 间的差异显著,G-G 单倍型在长寿组中呈下降趋势;调整性别后,两位点的等位 基因频率在各组间的差异不显著,但单倍型在各组间差异显著,变化趋势同调整 性别前一致。 总之,四川都江堰长寿人群的血糖水平和LDL-C 水平比较低,都江堰和云南 红塔两地长寿老人的血脂水平存在着地域差异。与前人的研究结果比较,汉族人 群的IL6、IL10 和TNFα水平以及常见的启动区SNPs 位点可能存在人种差异。

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研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98 meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光峰的压力系数为-17 meV/GPa,具有X谷的特性.所以这种小量子点为Ⅱ型量子点.测得ZnS:Mn纳米粒子中Mn发光峰的压力系数为-34.6meV/GPa,与晶体场理论的预计一致.而DA对发光峰基本不随压力变化,表明它应该与ZnS基体中的表面缺陷有关.测得ZnS:Cu纳米粒子中Cu的发光峰的压力系数为63.2meV/GPa,与ZnS体材料的带隙压力系数相同.表明Cu引入的受主能级具有浅受主的某些特点.测得ZnS:Eu纳米粒子中Eu发光峰的压力系数为24.1meV/GPa,与晶体场理论的预计不同.可能和Eu的激发态与ZnS导带间的相互作用有关.

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根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理,以2 * 2区域调制多模干涉光开关为基础,采用级联的方式设计了4 * 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。用有限差分二维BPM方法模拟了器件在不同工作状态下的光场传输情况。器件工作波长为1.55 μm,在不计耦合损耗时器件的平均插入损耗小于2.0 dB/cm。

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利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。

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Planar punch through heterojunction phototransistors with a novel emitter control electrode and ion- implanted isolation (CE-PTHPT) are investigated. The phototransistors have a working voltage of 3-10V and high sensitivity at low input power. The base of the transistor is completely depleted under operating condition. Base current is zero. The CE-PTHPT has an increased speed and a decreased noise. The novel CE-PTHPT has been fabricated in this paper. The optical gain of GaAlAs/GaAs CE-PTHPT for the incident light power 1.3 and 43nw with the wavelength of 0.8 mu m reached 1260 and 8108. The input noise current calculated is 5.46 x 10(-16) A/H-z(1/2). For polysilicon emitter CE-PTHPT, the optical gain is 3083 at the input power of 0.174 mu w. The optical gain of InGaAs/InP CE-PTHPT reaches 350 for an incident power of 0.3 mu w at the wavelength of 1.55 mu m. The CE-PTHPT detectors is promising as photo detectors for optical fiber communication system.

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CdSe nanoclusters overcoated with CdS shell were prepared with macapoacetic acid as stabilizer. The optical properties of CdSe nanoclusters and the influence of CdS shell on the electronic structures of CdSe cores were studied by optical absorption, photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectroscopies. Based on PL and PLE results and the theoretical calculation on fine structure of bandedge exciton, a model of formation of excimer within the small clusters was proposed to explain the large Stokes shift of luminescence from absorption edge observed in PL results. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.