Como se aprende no jardim-de-infância utilizando o modelo do Movimento da Escola Moderna

Relatório da Prática Profissional Supervisionada Mestrado em Educação Pré-Escolar

Structural modification of TiO2 nanorod films with an influence on the photovoltaic efficiency of a dye-sensitized solar cell (DSSC).

TiO2 nanorod films have been deposited on ITO substrates by dc reactive magnetron sputtering technique. The structures of these nanorod films were modified by the variation of the oxygen pressure during the sputtering process. Although all these TiO2 nanorod films deposited at different oxygen pressures show an anatase structure, the orientation of the nanorod films varies with the oxygen pressure. Only a very weak (101) diffraction peak can be observed for the TiO2 nanorod film prepared at low oxygen pressure. However, as the oxygen pressure is increased, the (220) diffraction peak appears and the intensity of this diffraction peak is increased with the oxygen pressure. The results of the SEM show that these TiO2 nanorods are perpendicular to the ITO substrate. At low oxygen pressure, these sputtered TiO2 nanorods stick together and have a dense structure. As the oxygen pressure is increased, these sputtered TiO2 nanorods get separated gradually and have a porous structure. The optical transmittance of these TiO2 nanorod films has been measured and then fitted by OJL model. The porosities of the TiO2 nanorod films have been calculated. The TiO2 nanorod film prepared at high oxygen pressure shows a high porosity. The dye-sensitized solar cells (DSSCs) have been assembled using these TiO2 nanorod films prepared at different oxygen pressures as photoelectrode. The optimum performance was achieved for the DSSC using the TiO2 nanorod film with the highest (220) diffraction peak and the highest porosity.

Modelo de competências dos enfermeiros com funções de gestão em Portugal: estudo exploratório

Nas últimas décadas assistimos a transformações económicas, tecnológicas, políticas e sociais, que influenciaram diretamente o modo de pensar e agir nas organizações. O conceito de competências, com uma valorização crescente, surge como uma alternativa à abordagem da gestão de recursos humanos por funções, respondendo aos desafios atuais do mercado: necessidade de flexibilidade, de adaptação a mudanças contínuas, exigências crescentes do mercado e competitividade das organizações nesse mercado. A área da saúde, e concretamente a profissão de Enfermagem também tem evoluído, surgindo em 2009, uma nova forma de operacionalizar a carreira destes profissionais. No que diz respeito aos enfermeiros com funções de gestão, o conteúdo funcional está descrito, contudo, não existe uma definição clara das competências requeridas para estes profissionais. Este trabalho de investigação, de cariz exploratório, utilizando uma metodologia qualitativa, pretendeu propor uma estratégia de definição de um modelo de competências para os enfermeiros com funções de gestão em Portugal. Para isso, definimos categorias de competências, através da análise da literatura e da legislação. Seguiu-se a realização de entrevistas a um painel de doze peritos, e uma análise de conteúdo dos dados (categorização do tipo misto). Procedemos a uma comparação da recolha empírica de competências com as da recolha teórica, e definimos uma lista de 10 competências para as funções de gestão dos enfermeiros: Competências Técnicas de Gestão; Competências Interpessoais; Comunicação; Gestão de Recursos Humanos; Pensamento Crítico; Conhecimento de Políticas de Saúde; Competências Técnicas de Enfermagem; Organização e Planeamento; Trabalho de Equipa; Preocupação pela Qualidade. De forma a complementar o estudo, pretendemos identificar a perceção das lacunas de competências nos enfermeiros com funções de gestão, e identificar os processos de desenvolvimento de competências considerados mais relevantes para estes profissionais. As lacunas identificadas nas competências dos atuais enfermeiros com funções de gestão, face às mais valorizadas, são reduzidas e dispersas, pelo que consideramos pouco significativas. A forma de desenvolvimento de competências mais valorizado pelo painel de peritos foi a formação (académica e em contexto profissional). Foi também realçada a importância do empenho individual neste processo, assim como a avaliação de competências antes dos enfermeiros assumirem funções de gestão.Consideramos que esta investigação traz contributos quer para a literatura da Gestão por Competências, quer para a literatura da definição de competências das funções dos enfermeiros com funções de gestão, quer para a profissão de enfermagem, (nomeadamente, para as funções de gestão dos enfermeiros), quer para o próprio SNS, já que faz algumas propostas e sugestões para a evolução das práticas de gestão de pessoas.

Luz ao fundo do túnel? Análise de um modelo de prevenção e intervenção face ao sobreendividamento das famílias

Na actual conjuntura económica portuguesa tem-se registado uma evolução crescente de situações de sobreendividamento ou de insolvência dos agregados familiares. Associada a esta tendência, surge a preocupação, por parte dos decisores, em encontrar formas de intervenção, mais ou menos ajustadas, face aos problemas verificados. Contudo, esta problemática exige uma actuação integrada, que contemple medidas direccionadas não apenas para a intervenção mas também para a prevenção deste tipo de situações na sociedade portuguesa. Pretendemos, com a apresentação deste modelo, propor um vasto conjunto de medidas, entre as quais se conta a educação financeira, que conduzam a uma dupla actuação face à problemática do sobreendividamento (preventiva e de tratamento), atendendo aos antecedentes, de natureza diversa, que podem estar na sua origem. Este modelo será alvo de uma reflexão e análise, com vista a identificar a pertinência da sua aplicação ao actual panorama sócio-económico português.

Effects of sulphurization time on Cu2ZnSnS4 absorbers and thin films solar cells obtained from metallic precursors

We report the results of a study of the sulphurization time effects on Cu2ZnSnS4 absorbers and thin film solar cells prepared from dc-sputtered tackedmetallic precursors. Three different time intervals, 10 min, 30min and 60 min, at maximum sulphurization temperature were considered. The effects of this parameter' change were studied both on the absorber layer properties and on the final solar cell performance. The composition, structure, morphology and thicknesses of the CZTS layers were analyzed. The electrical characterization of the absorber layer was carried out by measuring the transversal electrical resistance of the samples as a function of temperature. This study shows an increase of the conductivity activation energy from 10 meV to 54meV for increasing sulphurization time from 10min to 60min. The solar cells were built with the following structure: SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni:Al grid. Several ac response equivalent circuit models were tested to fit impedance measurements. The best results were used to extract the device series and shunt resistances and capacitances. Absorber layer's electronic properties were also determined using the Mott–Schottky method. The results show a decrease of the average acceptor doping density and built-in voltage, from 2.0 1017 cm−3 to 6.5 1015 cm−3 and from 0.71 V to 0.51 V, respectively, with increasing sulphurization time. These results also show an increase of the depletion region width from approximately 90 nm–250 nm.

Admittance spectroscopy of Cu2ZnSnS4 based thin film solar cells

In this report, we propose an AC response equivalent circuit model to describe the admittance measurements of Cu2ZnSnS4 thin film solar cell grown by sulphurization of stacked metallic precursors. This circuit describes the contact resistances, the back contact, and the heterojunction with two trap levels. The study of the back contact resistance allowed the estimation of a back contact barrier of 246 meV. The analysis of the trap series with varying temperature revealed defect activation energies of 45 meV and 113 meV. The solar cell’s electrical parameters were obtained from the J-V curve: conversion efficiency, 1.21%; fill factor, 50%; open circuit voltage, 360 mV; and short circuit current density, 6.8 mA/cm2.

Cu2ZnSnS4 solar cells prepared with sulphurized dc-sputtered stacked metallic precursors

In the present work we report the details of the preparation and characterization results of Cu2ZnSnS4 (CZTS) based solar cells. The CZTS absorber was obtained by sulphurization of dc magnetron sputtered Zn/Sn/Cu precursor layers. The morphology, composition and structure of the absorber layer were studied by scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction and Raman scattering. The majority carrier type was identified via a hot point probe analysis. The hole density, space charge region width and band gap energy were estimated from the external quantum efficiency measurements. A MoS2 layer that formed during the sulphurization process was also identified and analyzed in this work. The solar cells had the following structure: soda lime glass/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Al grid. The best solar cell showed an opencircuit voltage of 345 mV, a short-circuit current density of 4.42 mA/cm2, a fill factor of 44.29% and an efficiency of 0.68% under illumination in simulated standard test conditions: AM 1.5 and 100 mW/cm2.

Growth and characterization of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films for solar cells

Cu2ZnSnS4 (CZTS) and Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) with their band gap energies around 1.45 eV and 1.0 eV, respectively, can be used as the absorber layer in thin film solar cells. By using a mixture of both compounds, Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe), a band gap tuning may be possible. The latter material has already shown promising results such as solar cell efficiencies up to 10.1%. In this work, CZTSSe thin films were grown in order to study its structure and to establish the best growth precursors. SEM micrographs reveal an open columnar structure for most samples and EDS composition profiling of the cross sections show different selenium gradients. X-ray diffractograms show different shifts of the kesterite/stannite (1 1 2) peak, which indicate the presence of CZTSSe. From Raman scattering analysis, it was concluded that all samples had traces of CZTS and CZTSSe. The composition of the CZTSSe layer was estimated using X-ray diffraction and Raman scattering and both results were compared. It was concluded that Se diffused more easily in precursors with ternary Cu–Sn–S phases and metallic Zn than in precursors with ZnS and/or CZTS already formed. It was also showed that a combination of X-ray diffraction and Raman scattering can be used to estimate the ratio of S per Se in CZTSSe samples.

Desempenho energético no âmbito do aquecimento solar térmico para as condições de utilização recomendadas pelo RSECE/RCCTE

Trabalho Final de Mestrado para obtenção do grau de Mestre em Engenharia Mecânica

Comunidades de prática nas organizações de saúde: proposta de modelo numa organização hospitalar

Mestrado em Intervenção Sócio-Organizacional na Saúde - Ramo de especialização: Políticas de Administração e gestão de Serviços de Saúde

Estágio na empresa SPECMAN para a prática de técnicas de controlo da condição

Trabalho Final de Mestrado para obtenção do grau de Mestre em Engenharia Mecânica

Estudo e desenvolvimento de modelo de dispositivo controlado por temperatura no contexto de eficiência energética: potencial de aplicação para DSR-SF

Dissertação para a obtenção do grau de Mestre em Engenharia Electrotécnica Ramo de Energia

Análise do produtor-consumidor enquanto interveniente da rede elétrica inteligente

Dissertação para obtenção do grau de Mestre em Engenharia Electrotécnica Ramo de Energia

Modelo do pensamento visual-espacial: transformações geométricas no início da escolaridade

Tese de doutoramento em Ciênicas da Educação: especialidade de Teoria Curricular e Ensino das Ciências

Reabilitação de edifícios com novas tendências NZEB: caso de estudo: edifício de serviços em Setúbal

Trabalho Final de Mestrado para obtenção do grau de Mestre em Engenharia Civil