970 resultados para Semiconductor wafers


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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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The spin injector part of spintronic FET and diodes suffers from fatigue due to rising heat on the depletion layer. In this study the stiffness of Ga1-xMnxAs spin injector in terms of storage modulus with respect to a varying temperature, 45 degrees C <= T <= 70 degrees C was determined. It was observed that the storage modulus for MDLs (Manganese Doping Levels) of 0%, 1% and 10% decreased with increase in temperature while that with MDLs of 20% and 50% increase with increase in temperature. MDLs of 20% and 50% appear not to allow for damping but MDLs <= 20% allow damping at temperature range of 45 degrees C <= T <= 70 degrees C. The magnitude of storage moduli of GaAs is smaller than that for ferromagnetic Ga1-xMnxAs systems. The loss moduli for GaAs were found to reduce with increase in temperature. Its magnitude of reducing gradient is smaller than Ga1-xMnxAs systems. The two temperature extremes show a general reduction in loss moduli for different MDLs at the study temperature range. From damping factor analysis, damping factors for ferromagnetic Ga1-xMnxAs was found to increase with decrease in MDLs contrary to GaAs which recorded the largest damping factor at 45 degrees C <= T <= 70 degrees C Hence, MDL of 20% shows little damping followed by 50% while MDL of 0% has the most damping in an increasing trend with temperature. (C) 2013 Elsevier Ltd. All rights reserved.

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Structural health monitoring (SHM) refers to the procedure of assessing the structure conditions continuously so it is an alternative to conventional nondestructive evaluation (NDE) techniques [1]. With the growing developments in sensor technology acoustic emission (AE) technology has been attracting attention in SHM applications. AE are characterized by waves produced by the sudden internal stress redistribution caused by the changes in the internal structure, such as fatigue, crack growth, corrosion, etc. Piezoelectric materials such as Lead Zirconate Titanate (PZT) ceramic have been widely used as sensor due to its high electromechanical coupling factor and piezoelectric d coefficients. Because of the poor mechanical characteristic and the lack in the formability of the ceramic, polymer matrix-based piezoelectric composites have been studied in the last decade in order to obtain better properties in comparison with a single phase material. In this study a composite film made of polyurethane (PU) and PZT ceramic particles partially recovered with polyaniline (PAni) was characterized and used as sensor for AE detection. Preliminary results indicate that the presence of a semiconductor polymer (PAni) recovering the ceramic particles, make the poling process easier and less time consuming. Also, it is possible to observe that there is a great potential to use such type of composite as sensor for structure health monitoring.

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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Dissipadores de calor recobertos com filmes de diamante CVD foram desenvolvidos para acoplar a semicondutores, utilizando-se do Laboratório de Deposição de Filmes de Diamante CVD, na UNESP - Campus de Guaratinguetá e o Laboratório de Diamantes da Universidade São Francisco, em Itatiba, SP. Analisou-se o filme de diamante CVD sobre o silício, para emprego como dissipador de calor, porque o filme de diamante CVD pode ter o valor da condutividade térmica até cinco vezes superior ao do cobre e de dez vezes a do alumínio. Os filmes foram obtidos via deposição através de reator de filamento quente, trabalhando-se com vários filamentos retilíneos em paralelo, resultando assim em um processo que visou obter um filme mais uniforme e com grande área de deposição. Os dados para análises da composição química superficial dos filmes foram obtidos por Difração de Raios-X, Dispersão de Energia de Raios-X e para a verificação da morfologia e espessura do filme foi utilizada a Microscopia Eletrônica de Varredura. Para a verificação do comportamento da temperatura sobre o dissipador com o filme de diamante CVD foi utilizada uma câmera de imagem termográfica, marca Fluke, modelo Ti 40 FT. Foram obtidos filmes de 2 e 10 ?m sobre o silício. Estas espessuras ainda não oferecem um desempenho mecânico que o torne autosustentado. Do ponto de vista de desempenho térmico as análises mostraram que, mesmo com pequena espessura, o filme de diamante CVD apresentou bom resultado experimental. Os principais desafios de construção para esse dissipador de calor são a obtenção do filme com espessura acima de um mm e a garantia da qualidade do filme com a repetitividade do processo em cujo caso torna-se necessário definir as dimensões do dissipador antes da deposição do filme.

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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)