989 resultados para AK3-185
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The polyetherketone (PEK-c) guest-host polymer thin films doped with 3-(1,1-dicyanothenyl)-1-phenyl-4,5-dihydro-1H-pryazole (DCNP) were prepared. The polymer films were investigated with in situ second-harmonic generation (SHG) measurement. The corona poling temperature was optimized by the temperature dependence of the in situ SHG signal intensity under the poling electric field applying. The temporal and temperature stability of the second-order properties of the poled polymer film were measured by the in situ SHG signal intensity probing. The second-order NLO coefficient chi ((2))(33) = 32.65 pm/V at lambda = 1064 nm was determined by using the Makel fringe method after poling under the optimal poling condition. The dispersion of the NLO coefficient of the guest-host polymer system was determined by the measured value of chi ((2))(33) at 1064 nm and the two-level model.
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Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) has been applied to investigate the electronic properties of self-organized InAs quantum dots. The energies of electronic ground states of 2.5ML and 1.7ML InAs quantum dots (QDs) with respect to the conduction band of bulk GaAs are about 0.21 eV and 0.09 eV, respectively. We have found that QDs capture electrons by lattice relaxation through a multi-phonon emission process. The samples are QDs embedded in superlattices with or without a 500 Angstrom GaAs spacing layer between every ten periods of a couple of GaAs and InAs layers. The result shows that the density of dislocations in the samples with spacer layers is much lower than in the samples without the spacer layers.
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Raman scattering measurements have been performed in diluted magnetic semiconductor Ga1-xMnxAs prepared by Mn-ion implantation, deposition, and post-annealing technique. It is found that the Raman spectrum measured from the implanted surface of the sample shows some new weak modes in addition to the GaAs-like modes which are observed from the unimplanted surface. The new vibrational modes observed are assigned to MnAs-like modes. The coupled LO-phonon plasmon mode, and Mn and As related vibrational modes caused by Mn-ion implantation, deposition, and post-annealing are also observed. Furthermore, the GaAs-like modes are found to be shifted by approximately 4 cm(-1) in the lower frequency side, compared with those observed from the unimplanted surface.
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需求变更是需求工程中不可避免的问题,会持续发生并贯穿于整个软件开发的生命周期中,并且会对项目的成本、进度、质量等多方面造成影响。需求度量工作是一个开发组织成长和进步的必要手段,也是对项目经验进行学习和总结最佳途径。只有做好了需求变更度量工作,才能逐渐了解需求变更的规律,这对于改善需求管理的质量,提高需求的可信度,都有着重要的作用。需求变更过程会导致大量的需求文档的版本产生,但是这些变更信息往往没有得到很好的记录,这使得需求度量工作变得很困难。 一般来讲,由于使用了配置管理工具,大的需求版本变更一般都可以直接从配置管理工具得到。但是很多小的变更仅仅反映在文档上,没有纳入配置管理或者没有填写变更信息,并且很多公司都仅仅使用word文档进行需求管理。一个项目会产生大量这种word文档,而变更的信息往往得不到很好的记录,这部分信息丢失了。一个项目的需求会发生很多次或大或小的变更,产生文档版本的数量是非常多的,这部分文档的变更信息如果完全采用人工阅读获取,工作量是非常巨大的,实施起来非常不实际。 本文采用文本相似度比较的方法,对word文档中的变更信息进行还原。识别文档的中需求的相似程度,然后根据设定的阈值来恢复出需求变更的增、删、改等信息。并且本文设计和实现了需求文档变更信息挖掘工具,采用工具恢复变更信息的方法相对手工查看,解决了手工查看费时费力的缺点,并且由于需求文档演化的逻辑连续性,大部分比较都是在相邻的变更版本之间,文档变化幅度不会特别大,准确性也可以得到较好的保证。本文最后采用了实际的项目文档数据对方法进行验证,验证了方法的有效性和准确度。
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在水分亏缺和正常供水(土壤含水量分别维持在田间持水量的40%~45%和75%~80%)两种水分条件下,采用土柱实验方法,研究了玉米杂交种户单四号(F1)及其父本803(♂)、母本天四(♀)根系剖面分布对水分亏缺的响应。结果表明:水分亏缺除了对父本的总根重无显著影响之外,使杂交种和母本的总根重以及3个品种的总根长和根系总表面积均显著下降。在剖面分布上,水分亏缺显著降低了杂交种和母本在表层土层中的根重和根表面积,使杂交种在表层和中层土层中的根长以及亲本在深层土层中的根长显著下降。可见,玉米杂交种响应中度干旱胁迫的形态学变化是减少上层干土中的根系生长,而增加深层土层中根系的相对生长,即其深层根系分布占总根系的比重较亲本高,这种根系剖面分布的优化导致杂交种较高的生物量积累和水分利用效率。
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控制聚合物的形态,就可以合理地控制聚合物的性能。形态控制这种方法在非辐射界中应用的例子很多,最有代表性的是动态硫化和反应增容技术。在此基础上,辐射加工领域的研究者迅速发展了辐射相态固化和辐射反应增容技术,并且也取得很好的结果。但是,我们发现对于结晶型聚合物共混体系的辐射交联,特别是连续相交联的控制,这些方法都存在一定的不足之处。所以,我们提出“辐射交联”的方法来控制共混体系连续相和分散相的形态。利用这种方法,通过控制辐射条件,可以得到共混体系中连续相交联,分散相几乎不交联的形态;同时得到比较好的力学性能和结晶性能。这种形态控制的方法不但补充了形态控制理论,而且会对今后的共混体系辐射加工提供理论依据和指导。由于尼龙类聚合物的辐射交联是下个世纪辐射行业的发展主要方向,所以我们选择的体系是连续相为辐射交联型聚合物PAl010,分散相为辐射稳定型聚合物HIPS。而尼龙共混体系的辐射交联,尤其是PAlOlO共混体系,至今鲜有报导。本文通过研究共混体系聚合物的力学性能、凝胶动力学、热学性能和不同方法得到的形态来阐述聚合物共混体系的形态、辐射交联、结晶和性能之间的关系。得到的结果如下:(1)HIPS是一种辐射交联型聚合物。由于体系比较复杂,所以利用Charlesby-Pinner公式处理HIPS的凝胶含量和辐射剂量的关系并不符合线性,但是利用张-孙-钱公式进行处理,得到了比较好的线性关系。随着辐射剂量的增加,体系的凝胶含量出现先增加,略有降低的趋势。随着辐射剂量的增加,弹性模量保持增加的趋势;断裂能和断裂伸长率下降;而拉伸强度出现先增加、后降低的趋势,当辐射剂量为0.80Mgy的时侯,拉伸强度达到最大值。从液氮断裂SEM电镜分析,基质上的圆形鼓包是具有增韧能力橡胶或HIPS中的接枝共聚物。随着辐射剂量的增加,这种鼓包逐渐减少,体系失去了增韧的能力。拉伸断面SEM照片表现为,随着辐射剂量的增加,断裂面上出现了未辐照HIPS基质中没有出现的圆形鼓包,我们认为是橡胶相交联所致。随着辐射剂量的进一步加大,交联密度的增加,体系的圆形鼓包消失。(2)PAlOlO和HIPS的共混体系辐射交联后,随着辐射剂量的增加,拉伸强度、断裂伸长率和断裂能同时出现了最大值,但是进一步增加辐射剂量,迅速下降。另外共混体系辐射交联后,随辐射剂量的增加,弹性模量出现先增加、后出现平台、然后继续增加的现象。(3)利用DSC非等温结晶现象分析,发现随着辐射剂量的增加,共混体系的结晶温度有下降的趋势,说明辐射对结晶能力的限制。而且我们发现辐射诱导结晶现象的出现,而且辐射诱导结晶达到最大的时候的辐射剂量为0.34MGy,此时恰好是力学性能最优的时候。(4)聚合物各种性能的体现和聚合物的形态是密不可分的。我们先后利用TEM,脆断样品SEM和拉伸样品SEM来对PAl010/HIPS共混体系进行了形态学上的研究。脆断形态发现,随着辐射剂量的增加,凝胶反应在共混体系的基质PAl010相和两相界面处比较明显。进一步增加辐射剂量发现,在分散相表面上的凝胶物质增加;利用TEM发现共混体系中分散相HIPS中橡胶粒子随着辐射增加,出现粒子尺寸减小的趋势,而且在0.34MGy时候,橡胶粒子尺寸比较小,而且分布很好,此时体系的力学性能也比较好;拉伸形态分析发现随着辐射剂量的增加,断面出现了明显的韧脆转变。(5)共混体系非等温结晶现象和纯PA1O1O的有些相似。随着辐射的增加,结晶温度和熔融温度都随之下降。讨论半晶型聚合物的熔融双峰现象很多,本实验得到的现象比较符合熔融重组(The melting recrystallization)的观点。辐射诱导结晶现象的出现,促进了力学性能的提高。辐射对于结晶表面的损伤,通过WAXD可以看出,而且我们发现在010面的衍射峰的强度在辐射剂量为0.34MGy的时候要比未辐照体系的衍射峰强,但是在辐射剂量为0.85MGy的时候,衍射峰的强度比未辐照的时候低。等温结晶的现象,说明利用Avrami公式可以处理共混体系的辐射交联。在在相同温度下,辐射剂量大的体系的结晶速率比辐射剂量小的低,说明结晶困难。相同辐射剂量下,不同结晶温度得到的n值不同,变化幅度从2.4~2.9。通过Hoffman-Weeks公式我们得到未辐照体系的平衡熔点是202.21 ℃。辐射剂量为0.34MGy的时候,平衡熔点为193.3 ℃。当辐射剂量为0.85MGy的时候,平衡熔点为185.79 ℃。