991 resultados para Fernando III, Rey de Castilla, Santo crónica


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Fil: Vizzotti, Martín Miguel. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Humanidades y Ciencias de la Educación; Argentina.

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Fil: Buisel, María Delia. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Humanidades y Ciencias de la Educación; Argentina.

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A partir del análisis de la dimensión formal (retórica y narratológica) y de contenido (ejemplar y política) de los retratos de rey en Claros varones de Castilla y Generaciones y semblanzas, se estudian las estrategias que se ponen en juego en las descripciones de los monarcas para demostrar un involucramiento político activo de parte de los autores, que desafía los propósitos estipulados en los respectivos prólogos.

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El trabajo se centra en el análisis de la representación del espacio en tres episodios particulares: la leyenda de los jueces de Castilla (tal y como se presenta en el Ms. 431 de la BNM), la leyenda de los peños de los fijosdalgo (según la Primera Crónica General) y el levantamiento de la nobleza en Lerma en 1272 (siguiendo la Crónica de Alfonso X). Cada uno de estos episodios se desenvuelve precisamente en la glera de Burgos, que se constituye, de este modo, en un escenario privilegiado en la confrontación de la nobleza con el rey y contribuye asimismo a la configuración de la subjetividad de estos actores sociales en virtud de un particular entrelazamiento de temas históricos y legendarios. El espacio adquiere a la luz de estos acontecimientos centrales en la genealogía legendaria de la confrontación con el rey una nueva significación que lo liga social y políticamente a este estamento convirtiéndose en un emblema con una fuerte carga simbólica.

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Las tensiones políticas que signaron el reinado de Sancho IV (1284-1295) llegan a un punto de inflexión en la entrevista que en 1288 se lleva a cabo en Alfaro, en la cual resulta asesinado el principal enemigo del rey, el conde Lope Díaz de Haro. El episodio se recoge tanto en la Crónica de tres reyes como en la sección conocida como *Historia hasta 1288 dialogada, transmitida en la Estoria del fecho de los godos . La orientación que al hecho se le asigna en ambas versiones es diversa ?entre otras cosas? en el grado de responsabilidad que se le asigna al rey en la decisión de matar al conde. La Crónica de tres reyes tiende a mitigar la injerencia del monarca en los hechos al punto de organizar una serie de situaciones previas que generan las condiciones necesarias para que el asesinato se presente como un hecho inevitable que excede el radio de acción de Sancho.

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A partir del análisis de la dimensión formal (retórica y narratológica) y de contenido (ejemplar y política) de los retratos de rey en Claros varones de Castilla y Generaciones y semblanzas, se estudian las estrategias que se ponen en juego en las descripciones de los monarcas para demostrar un involucramiento político activo de parte de los autores, que desafía los propósitos estipulados en los respectivos prólogos.

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El trabajo se centra en el análisis de la representación del espacio en tres episodios particulares: la leyenda de los jueces de Castilla (tal y como se presenta en el Ms. 431 de la BNM), la leyenda de los peños de los fijosdalgo (según la Primera Crónica General) y el levantamiento de la nobleza en Lerma en 1272 (siguiendo la Crónica de Alfonso X). Cada uno de estos episodios se desenvuelve precisamente en la glera de Burgos, que se constituye, de este modo, en un escenario privilegiado en la confrontación de la nobleza con el rey y contribuye asimismo a la configuración de la subjetividad de estos actores sociales en virtud de un particular entrelazamiento de temas históricos y legendarios. El espacio adquiere a la luz de estos acontecimientos centrales en la genealogía legendaria de la confrontación con el rey una nueva significación que lo liga social y políticamente a este estamento convirtiéndose en un emblema con una fuerte carga simbólica.

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El siguiente trabajo analiza la configuración de poder que adoptan las oligarquías urbanas, en el área septentrional del reino de Castilla, a partir de las condiciones de violencia generalizada instaurada por llamada "lucha de bandos linajes y parcialidades"

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El mito fundacional del reino de Castilla incluye una serie de acontecimientos en los cuales la rebeldía de determinados héroes resulta fundamental en la operación de ruptura y distanciamiento respecto de la figura de autoridad. Rodrigo Díaz de Vivar y el conde Fernán González son los ejemplos más sobresalientes en una tradición de personajes heroicos que encuentra su origen en la leyenda de los Jueces de Castilla. Este arquetipo de héroe noble rebelde pervive en el imaginario popular y lo hallamos presente en numerosos romances de tema épico al tiempo que es recuperado en textos cronísticos redactados en centros nobiliarios con la finalidad de subrayar el rol preponderante de la nobleza en la historia castellana

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Las tensiones políticas que signaron el reinado de Sancho IV (1284-1295) llegan a un punto de inflexión en la entrevista que en 1288 se lleva a cabo en Alfaro, en la cual resulta asesinado el principal enemigo del rey, el conde Lope Díaz de Haro. El episodio se recoge tanto en la Crónica de tres reyes como en la sección conocida como *Historia hasta 1288 dialogada, transmitida en la Estoria del fecho de los godos . La orientación que al hecho se le asigna en ambas versiones es diversa ?entre otras cosas? en el grado de responsabilidad que se le asigna al rey en la decisión de matar al conde. La Crónica de tres reyes tiende a mitigar la injerencia del monarca en los hechos al punto de organizar una serie de situaciones previas que generan las condiciones necesarias para que el asesinato se presente como un hecho inevitable que excede el radio de acción de Sancho.

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Con la presente comunicación, queremos presentar un proyecto de investigación, encaminado a la realización del Mapa Metalogénico de Castilla - La Mancha. En este proyecto van a participar profesores y personal investigador, de las Escuelas Universitarias Politécnicas de Almadén y de Manresa, pertenecientes respectivamente a la Universidad de Castilla- La Mancha, y a la Universidad Politécnica de Catalunya.

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We investigated the atomic surface properties of differently prepared silicon and germanium (100) surfaces during metal-organic vapour phase epitaxy/chemical vapour deposition (MOVPE/MOCVD), in particular the impact of the MOVPE ambient, and applied reflectance anisotropy/difference spectroscopy (RAS/RDS) in our MOVPE reactor to in-situ watch and control the preparation on the atomic length scale for subsequent III-V-nucleation. The technological interest in the predominant opto-electronic properties of III-V-compounds drives the research for their heteroepitaxial integration on more abundant and cheaper standard substrates such as Si(100) or Ge(100). In these cases, a general task must be accomplished successfully, i.e. the growth of polar materials on non-polar substrates and, beyond that, very specific variations such as the individual interface formation and the atomic step structure, have to be controlled. Above all, the method of choice to grow industrial relevant high-performance device structures is MOVPE, not normally compatible with surface and interface sensitive characterization tools, which are commonly based on ultrahigh vacuum (UHV) ambients. A dedicated sample transfer system from MOVPE environment to UHV enabled us to benchmark the optical in-situ spectra with results from various surfaces science instruments without considering disruptive contaminants. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) provided direct observation of different terminations such as arsenic and phosphorous and verified oxide removal under various specific process parameters. Absorption lines in Fourier-transform infrared (FTIR) spectra were used to identify specific stretch modes of coupled hydrides and the polarization dependence of the anti-symmetric stretch modes distinguished different dimer orientations. Scanning tunnelling microscopy (STM) studied the atomic arrangement of dimers and steps and tip-induced H-desorption proved the saturation of dangling bonds after preparati- n. In-situ RAS was employed to display details transiently such as the presence of H on the surface at lower temperatures (T <; 800°C) and the absence of Si-H bonds at elevated annealing temperature and also surface terminations. Ge buffer growth by the use of GeH4 enables the preparation of smooth surfaces and leads to a more pronounced amplitude of the features in the spectra which indicates improvements of the surface quality.

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Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on silicon for photovoltaic applications. Such integration would offer a cost breakthrough for photovoltaic technology, unifying the low cost of silicon and the efficiency potential of III-V multijunction solar cells. In this study, we analyze several factors influencing the performance of the bottom subcell of this dual-junction, namely, 1) the formation of the emitter as a result of the phosphorus diffusion that takes place during the prenucleation temperature ramp and during the growth of the III-V layers; 2) the degradation in surface morphology during diffusion; and 3) the quality needed for the passivation provided by the GaP layer on the emitter.

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The work presented here aims to reduce the cost of multijunction solar cell technology by developing ways to manufacture them on cheap substrates such as silicon. In particular, our main objective is the growth of III-V semiconductors on silicon substrates for photovoltaic applications. The goal is to create a GaAsP/Si virtual substrates onto which other III-V cells could be integrated with an interesting efficiency potential. This technology involves several challenges due to the difficulty of growing III-V materials on silicon. In this paper, our first work done aimed at developing such structure is presented. It was focused on the development of phosphorus diffusion models on silicon and on the preparation of an optimal silicon surface to grow on it III-V materials.