Impedance spectroscopy analysis of SnO2 thick-films gas sensors

A careful analysis of the impedance response of SnO2 thick films under vacuum and air atmosphere is reported in the present work. The AC electrical resistance was analyzed and it was shown that it is highly frequency dependent. Different models and its equivalent circuit representation were proposed and carefully analyzed based on the microstructure features of the device. Basically, an interpretation of the frequency dependent resistance was proposed based on the fact that different grains characteristics and junctions exist. These different grains and junctions are the main source of resistance dependent feature. An equivalent circuit model, considering different grain sizes associated with different grain boundary junctions characteristics, was introduced so that a consistent interpretation of the results was possible.

SnO2 nanoparticles functionalized in amorphous silica and glass

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Preparação e caracterização do complexo sólido de estanho(II)-EDTA e influência do tratamento térmico sobre a morfologia do resíduo SnO2

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Vidros recobertos com camadas delgadas transparentes de SnO2

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Analysis of Er3+ incorporation in SnO2 by optical investigation

Er3+ emission in the wide bandgap matrix SnO2 is observed either through a direct Er ion excitation process as well as by an indirect process, through energy transfer in samples codoped with Yb3+ ions. Electron-hole generation in the tin dioxide matrix is also used to promote rare-earth ion excitation. Photoluminescence spectra as function of temperature indicate a slight decrease in the emission intensity with temperature increase, yielding low activation energy, about 3.8meV, since the emission even at room temperature is rather considerable.

Varistores à base de SnO2: estado da arte e perspectivas

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Desenvolvimento de sensores para gás à base de SnO2 nanoestruturado: influência da microestrutura no desempenho do sensor

Pós nanométricos SnO2.Nb2O5 foram estudados para o desenvolvimento de sensores de etanol. Estes pós foram preparados pelo método Pechini, caracterizados quanto à sua morfologia por difração de raios X, determinação de área superficial específica por BET e Microscopia Eletrônica de Transmissão e foram submetidos a testes de sensibilidade ao vapor de etanol. Foi estabelecida uma correlação entre a microestrutura do material, os efeitos do dopante e a resposta do sensor.

Cerâmicas eletrônicas à base de SnO2 e TiO2

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Efeito do Pr2O3 nas propriedades elétricas de varistores à base de SnO2

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Sinterização e caracterização de segunda fase em sistemas SnO2-ZnO

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Influência de dopantes doadores na degradação do varistor à base de SnO2 e o efeito do oxigênio pós-degradação

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Desenvolvimento de varistores à base de SnO2 para aplicação em redes de alta tensão

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Visible emission from Er-doped SnO2 thin films deposited by sol-gel

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Revisão: efeito dos metais doadores nas propriedades elétricas e microestruturais dos varistores cerâmicos à base de SnO2

O estudo da adição de dopantes trivalentes é uma das principais pesquisas na área de varistores. Vários autores têm buscado entender os efeitos destes dopantes nas propriedades elétricas e microestruturais destas cerâmicas eletrônicas. Tanto metais de transição quanto terras raras são adicionados em cerâmicas à base de SnO2 a fim de verificar o seu comportamento. O que se tem observado é que alguns destes óxidos tais como Cr2O3 e La2O3 melhoram significativamente as propriedades elétricas dos varistores, enquanto que outros como o Bi2O3 e Er2O3, por exemplo, não produzem tal efeito. A evolução do desempenho do comportamento varistor tem sido também atribuída às espécies de oxigênio produzidas pela reação com estes dopantes. Esta revisão apresenta resultados de estudos recentes do comportamento varistor frente a adição de metais doadores.