994 resultados para Silicium noir
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The relationships between vine water status, soil texture, and vine size were observed in four Niagara, Ontario Pinot noir vineyards in 2008 and 2009. The vineyards were divided into water status zones using geographic information systems (GIS) software to map the seasonal mean midday leaf water potential (,P), and dormant pruning shoot weights following the 2008 season. Fruit was harvested from all sentinel vines, bulked by water status zones and made into wine. Sensory analysis included a multidimensional sorting (MDS) task and descriptive analysis (DA) of the 2008 wines. Airborne multispectral images, with a spatial resolution of 38 cm, were captured four times in 2008 and three times in 2009, with the final flights around veraison. A semi-automatic process was developed to extract NDVI from the images, and a masking procedure was identified to create a vine-only NDVI image. 2008 and 2009 were cooler and wetter than mean years, and the range of water status zones was narrow. Yield per vine, vine size, anthocyanins and phenols were the least consistent variables. Divided by water status or vine size, there were no variables with differences between zones in all four vineyards in either year. Wines were not different between water status zones in any chemical analysis, and HPLC revealed that there were no differences in individual anthocyanins or phenolic compounds between water status zones within the vineyard sites. There were some notable correlations between vineyard and grape composition variables, and spatial trends were observed to be qualitatively related for many of the variables. The MDS task revealed that wines from each vineyard were more affected by random fermentation effects than water status effects. This was confirmed by the DA; there were no differences between wines from the water status zones within vineyard sites for any attribute. Remotely sensed NDVI (normalized difference vegetation index) correlated reasonably well with a number of grape composition variables, as well as soil type. Resampling to a lower spatial resolution did not appreciably affect the strength of correlations, and corresponded to the information contained in the masked images, while maintaining the range of values of NDVI. This study showed that in cool climates, there is the potential for using precision viticulture techniques to understand the variability in vineyards, but the variable weather presents a challenge for understanding the driving forces of that variability.
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Les siliciures métalliques constituent un élément crucial des contacts électriques des transistors que l'on retrouve au coeur des circuits intégrés modernes. À mesure qu'on réduit les dimensions de ces derniers apparaissent de graves problèmes de formation, liés par exemple à la limitation des processus par la faible densité de sites de germination. L'objectif de ce projet est d'étudier les mécanismes de synthèse de siliciures métalliques à très petite échelle, en particulier le NiSi, et de déterminer l’effet de l’endommagement du Si par implantation ionique sur la séquence de phase. Nous avons déterminé la séquence de formation des différentes phases du système Ni-Si d’échantillons possédant une couche de Si amorphe sur lesquels étaient déposés 10 nm de Ni. Celle-ci a été obtenue à partir de mesures de diffraction des rayons X résolue en temps et, pour des échantillons trempés à des températures critiques du processus, l’identité des phases et la composition et la microstructure ont été déterminées par mesures de figures de pôle, spectrométrie par rétrodiffusion Rutherford et microscopie électronique en transmission (TEM). Nous avons constaté que pour environ la moitié des échantillons, une réaction survenait spontanément avant le début du recuit thermique, le produit de la réaction étant du Ni2Si hexagonal, une phase instable à température de la pièce, mélangée à du NiSi. Dans de tels échantillons, la température de formation du NiSi, la phase d’intérêt pour la microélectronique, était significativement abaissée.
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La version intégrale de ce mémoire est disponible uniquement pour consultation individuelle à la Bibliothèque de musique de l'Université de Montréal (www.bib.umontreal.ca/MU).
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Nous présenterons le procédé de fabrication, la caractérisation, ainsi qu’un modèle numérique permettant l’optimisation d’un nouveau dispositif permettant d’effectuer des mesures de nanocalorimétrie sur un échantillon de silicium monocristallin. Ce dernier possède entre autre des propriétés thermiques nous permettant d’effectuer des mesures à des températures supérieures à 900 C, avec une résolution meilleure que 16 C. Ceci nous a permis d’étudier la dynamique des défauts induits par implantation ionique dans le silicium monocristallin. Deux comportements différents sont observés dans la germination de la phase amorphe induite par implantation à 10 et 80 keV. Ces résultats ont été confrontés à des simulations Monte-Carlo basées sur le modèle des paires lacunesinterstitiels. La comparaison entre les simulations et les mesures expérimentales ont montré que ce modèle est incomplet car il ne reproduit qualitativement que certaines caractéristiques observées expérimentalement. Des mesures réalisées à partir de -110 C dans le silicium monocristallin et amorphisé implanté avec des ions légers, ont mis en évidence des différences claires entre la relaxation dans le silicium amorphe et le recuit des défauts dans le silicium monocristallin. Deux processus à des énergies d’activation de 0.48 et 0.6 eV ont été observés pour les implantations réalisées dans le silicium monocristallin tandis qu’un relâchement de chaleur uniforme ne révélant qu’un spectre continu d’énergie d’activation a été observé dans le silicium amorphe.
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Il y a des indications que les nanocristaux de silicium (nc-Si) présentent un gain optique qui est potentiellement assez grand pour permettre l'amplification optique dans la gamme de longueurs d'ondes où une photoluminescence (PL) intense est mesurée (600- 1000 nm). Afin de fabriquer des cavités optiques, nous avons implantés des morceaux de silice fondue avec des ions de Si pour former une couche de nc-Si d'une épaisseur d'environ 1 μm. Le Si a été implanté à quatre énergies comprises entre 1 MeV et 1,9 MeV de manière à obtenir une concentration atomique de Si en excès variant entre 25% et 30%. Les pièces ont été flanquées de miroirs diélectriques composés de filtres interférentiels multicouches. Sur une plage de longueurs d'ondes d'environ 200 nm de large, un filtre réfléchit près de 100%, alors que l'autre a une réflexion moyenne d'environ 90%. Nous avons mesuré et comparé les spectres de PL de trois échantillons: le premier sans miroir, le second avec des filtres réfléchissant autour de 765 nm (entre 700 nm et 830 nm), et la troisième avec des filtres agissant autour de 875 nm (entre 810 nm et 940 nm). Lorsque les échantillons sont excités avec un laser pulsé à 390 nm, des mesures de photoluminescence résolue dans le temps (PLT) révèlent des taux de décroissance plus rapides en présence de miroirs dans le domaine de longueurs d'onde où ceux-ci agissent comparé aux échantillons sans miroirs. Aussi, l'intensité PL en fonction de la fluence d'excitation montre une augmentation plus rapide de la présence de miroirs, même si celle-ci reste sous-linéaire. Nous concluons que de l'émission stimulée pourrait être présente dans la cavité optique, mais sans dominer les autres mécanismes d'émission et de pertes.
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Thèse numérisée par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal
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Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal
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Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal