Effets de la concentration des défauts sur la surface d'énergie potentielle du silicium amorphe


Autoria(s): Kallel, Houssem
Contribuinte(s)

Mousseau, Normand

Data(s)

28/05/2012

28/05/2012

07/08/2008

2008

Resumo

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

Identificador

http://hdl.handle.net/1866/8027

Idioma(s)

fr

Palavras-Chave #Silicium amorphe #Relaxation #Structure #Défauts de liaison #Surface d'énergie potentielle #Nano-calorimétrie différentielle à balayage #Amorphous silicon #Relaxation #Structure #Radial distribution function #Bond defects #Potential energy surface #Differential scanning nano-calorimetry
Tipo

Thèse ou Mémoire numérique / Electronic Thesis or Dissertation