860 resultados para Felipe V, Rey de España-Exequias


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El artículo presenta la aplicación de un modelo de Planificación Ambiental Estratégica al diseño de un Plan de Ordenamiento Territorial en la zona de estudio, cuyo territorio se caracteriza por poseer un significativo patrimonio ambiental en términos de recursos naturales, paisaje, historia, etc. Junto a lo anterior, muestra un fuerte dinamismo económico por su localización en relación a la Macrozona Central de Chile, el Mercosur y el futuro corredor bioceánico. El objetivo fue diseñar una metodología que permitiera incorporar la dimensión ambiental en cada en cada una de las etapas características de elaboración de un Plan Regulador. El estudio ambiental se baso en tres etapas: diagnóstico ambiental, evaluación ambiental de alternativas y definición del proyecto, para lo cual se desarrollaron metodologías especificas apoyadas en sistemas de información geográfica (SIG) y modelos de simulación. La aplicación del modelo de planificación ambiental estratégica permitió obtener un Plan territorial con zonas y ordenanzas que protejan el patrimonio ambiental existente y aminore los impactos ambientales negativos de futuras actividades que se instalen en un territorio.

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En el año 1841 se publicó en la revista Anales de Minas, acompañando a una memoria explicativa sobre la geología y minería de la provincia de Burgos, una cartografía geológica a escala próxima a 1:350.000. En el mapa se definen ya los tres principales rasgos litoestructurales que forman la geología de la provincia de Burgos. La memoria, por su parte, además de la geología, incide en la minería de la zona estudiada, en la que destaca la descripción de las salinas de Poza de la Sal. El autor, Felipe Naranjo y Garza (1809-1877), fue uno de los primeros ingenieros de minas españoles que, desde los múltiples puestos que desempeñó en la administración, destacó por su contribución al desarrollo de la geología en España y en sus intentos de modernizar la industria minera. En el presente trabajo pretendemos dar a conocer esta precoz cartografía geológica y analizar dicha obra científica situándola en el contexto en que se encontraba la geología española en la primera mitad del siglo XLX.

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The work presented here aims to reduce the cost of multijunction solar cell technology by developing ways to manufacture them on cheap substrates such as silicon. In particular, our main objective is the growth of III-V semiconductors on silicon substrates for photovoltaic applications. The goal is to create a GaAsP/Si virtual substrates onto which other III-V cells could be integrated with an interesting efficiency potential. This technology involves several challenges due to the difficulty of growing III-V materials on silicon. In this paper, our first work done aimed at developing such structure is presented. It was focused on the development of phosphorus diffusion models on silicon and on the preparation of an optimal silicon surface to grow on it III-V materials.

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El Nomenclátor Geográfico Básico de España (NGBE) es un proyecto desarrollado por el Registro Central de Cartografía (RCC) del Instituto Geográfico Nacional (IGN) en cumplimiento con lo establecido en el Real Decreto 1545/2007, de 23 de noviembre, por el cual se regula el Sistema Cartográfico Nacional. La formación de la primera versión del Nomenclátor Geográfico Básico de España se ha realizado en el período comprendido entre los años 2010 y 2012 y ha consistido en la depuración de los nombres geográficos procedentes de la cartografía del Instituto Geográfico Nacional a escala 1:25.000 a través de una metodología generada en el marco de este proyecto y estructurando el resultado en función del modelo de nomenclátor de INSPIRE (D2.8.I.3 INSPIRE Data Specification on Geographical Names-Guidelines).

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Si(100) and Ge(100) substrates essential for subsequent III-V integration were studied in the hydrogen ambient of a metalorganic vapor phase epitaxy reactor. Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) enabled us to distinguish characteristic configurations of vicinal Si(100) in situ: covered with oxide, cleaned by thermal removing in H2, and terminated with monohydrides when cooling in H2 ambient. RAS measurements during cooling in H2 ambient after the oxide removal process revealed a transition from the clean to the monohydride terminated Si(100) surface dependent on process temperature. For vicinal Ge(100) we observed a characteristic RA spectrum after annealing and cooling in H2 ambient. According to results from X-ray photo electron spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy the spectrum corresponds to the monohydride terminated Ge(100) surface.

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Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon (Si) bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on Si for photovoltaic (PV) applications. Such integration would offer a cost breakthrough for PV technology, unifying the low cost of Si and the efficiency potential of III-V multijunction solar cells. The optimization of the Si solar cells properties in flat-plate PV technology is well-known; nevertheless, it has been proven that the behavior of Si substrates is different when processed in an MOVPE reactor In this study, we analyze several factors influencing the bottom subcell performance, namely, 1) the emitter formation as a result of phosphorus diffusion; 2) the passivation quality provided by the GaP nucleation layer; and 3) the process impact on the bottom subcell PV properties.

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El editor es Pedro Juan Mallén, segun consta en los preliminares

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Existe emisión con pie de imp.: "En la impression de Felipe Mey: a costa de Pablo Clapes"