In situ-forming injectable organogel implant for sustained release of rivastigmine

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

A Binaural Cochlear Implant Sound Coding Strategy Inspired by the Contralateral Medial Olivocochlear Reflex.

OBJECTIVES: In natural hearing, cochlear mechanical compression is dynamically adjusted via the efferent medial olivocochlear reflex (MOCR). These adjustments probably help understanding speech in noisy environments and are not available to the users of current cochlear implants (CIs). The aims of the present study are to: (1) present a binaural CI sound processing strategy inspired by the control of cochlear compression provided by the contralateral MOCR in natural hearing; and (2) assess the benefits of the new strategy for understanding speech presented in competition with steady noise with a speech-like spectrum in various spatial configurations of the speech and noise sources. DESIGN: Pairs of CI sound processors (one per ear) were constructed to mimic or not mimic the effects of the contralateral MOCR on compression. For the nonmimicking condition (standard strategy or STD), the two processors in a pair functioned similarly to standard clinical processors (i.e., with fixed back-end compression and independently of each other). When configured to mimic the effects of the MOCR (MOC strategy), the two processors communicated with each other and the amount of back-end compression in a given frequency channel of each processor in the pair decreased/increased dynamically (so that output levels dropped/increased) with increases/decreases in the output energy from the corresponding frequency channel in the contralateral processor. Speech reception thresholds in speech-shaped noise were measured for 3 bilateral CI users and 2 single-sided deaf unilateral CI users. Thresholds were compared for the STD and MOC strategies in unilateral and bilateral listening conditions and for three spatial configurations of the speech and noise sources in simulated free-field conditions: speech and noise sources colocated in front of the listener, speech on the left ear with noise in front of the listener, and speech on the left ear with noise on the right ear. In both bilateral and unilateral listening, the electrical stimulus delivered to the test ear(s) was always calculated as if the listeners were wearing bilateral processors. RESULTS: In both unilateral and bilateral listening conditions, mean speech reception thresholds were comparable with the two strategies for colocated speech and noise sources, but were at least 2 dB lower (better) with the MOC than with the STD strategy for spatially separated speech and noise sources. In unilateral listening conditions, mean thresholds improved with increasing the spatial separation between the speech and noise sources regardless of the strategy but the improvement was significantly greater with the MOC strategy. In bilateral listening conditions, thresholds improved significantly with increasing the speech-noise spatial separation only with the MOC strategy. CONCLUSIONS: The MOC strategy (1) significantly improved the intelligibility of speech presented in competition with a spatially separated noise source, both in unilateral and bilateral listening conditions; (2) produced significant spatial release from masking in bilateral listening conditions, something that did not occur with fixed compression; and (3) enhanced spatial release from masking in unilateral listening conditions. The MOC strategy as implemented here, or a modified version of it, may be usefully applied in CIs and in hearing aids.

Évaluation d'un implant résorbable à base d'amidon réticulé contenant de la ciprofloxacine pour la prévention et le traitement d'une ostéomyélite expérimentale chez le chien

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

L'implant laryngé ajustable pour le traitement de paralysies de la corde vocale : technique chirurgicale et qualité de vie

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

In situ-forming injectable organogel implant for sustained release of rivastigmine

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Influence of implant-abutment angulations and crown material on stress distribution on central incisor: a 3D FEA

Aim: To investigate the effect of implant-abutment angulation and crown material on stress distribution of central incisors. Finite element method was used to simulate the clinical situation of a maxillary right central incisor restored by two different implant-abutment angulations, 15° and 25°, using two different crown materials (IPS E-Max CAD and zirconia). Methods: Two 3D finite element models were specially prepared for this research simulating the abutment angulations. Commercial engineering CAD/CAM package was used to model crown, implant abutment complex and bone (cortical and spongy) in 3D. Linear static analysis was performed by applying a 178 N oblique load. The obtained results were compared with former experimental results. Results: Implant Von Mises stress level was negligibly changed with increasing abutment angulation. The abutment with higher angulation is mechanically weaker and expected to fail at lower loading in comparison with the steeper one. Similarly, screw used with abutment angulation of 25° will fail at lower (about one-third) load value the failure load of similar screw used with abutment angulated by 15°. Conclusions: Bone (cortical and spongy) is insensitive to crown material. Increasing abutment angulation from 15° to 25°, increases stress on cortical bone by about 20% and reduces it by about 12% on spongy bone. Crown fracture resistance is dramatically reduced by increasing abutment angulation. Zirconia crown showed better performance than E-Max one.

Polymeric implant of methylprednisolone for spinal injury: preparation and characterization

Purpose: To improve the effectiveness and reduce the systemic side effects of methylprednisolone in traumatic spinal injuries, its polymeric implants were prepared using chitosan and sodium alginate as the biocompatible polymers. Methods: Implants of methylprednisolone sodium succinate (MPSS) were prepared by molding the drug-loaded polymeric mass obtained after ionotropic gelation method. The prepared implants were evaluated for drug loading, in vitro drug release and in vivo performance in traumatic spinal-injury rat model with paraplegia. Results: All the implant formulations were light pale solid matrix with smooth texture. Implants showed 86.56 ± 2.07 % drug loading. Drug release was 89.29 ± 1.25 % at the end of 7 days. Motor function was evaluated in traumatic spinal injury-induced rats in terms of its movement on the horizontal bar. At the end of 7 days, the test group showed the activity score (4.75 ± 0.02) slightly higher than that of standard (4.62 ± 0.25), but the difference was not statistically different (p > 0.05). Conclusion: MPSS-loaded implants produces good recovery in traumatic spinal-injury rats.

Spoken Language in Hearing Impairment Children with Digital Hearing-Aid or Cochlear Implant: Grammatical Strenghts and Weaknesses

In this study, semi spontaneous samples of spoken language are analysed. Participants are 30 children with severe or profound deafness who employ digital hearing-aid or cochlear implant. The main goal is to find out the strengths and weaknesses of their grammatical skills in order to employ that information in dessigning speech therapy programs.

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. Le recuit est nécessaire afin de recristalliser la couche amorphisée lors de l’implantation, donnant lieu à un polycristal rempli de défauts de recristallisation. On constate cependant que les matériaux implantés Fe offrent de meilleures performances que ceux simplement endommagés au Ga. Dans le but de départager l’effet des défauts de recristallisation et des impuretés de Fe, des mesures de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et de DLTS en courant (I-DLTS), ainsi que de spectrométrie de masse d’ions secondaires par temps de vol (ToF-SIMS) ont été effectuées sur des échantillons non implantés et d’autres recristallisés. Les mesures DLTS et I-DLTS ont pour but de caractériser les niveaux profonds générés par ces deux procédures postcroissance, tout en identifiant le rôle que jouent les impuretés de Fe sur la formation de ces niveaux profonds. De plus, le voisinage des atomes de Fe dans le matériau recristallisé a été étudié à l’aide des mesures ToF-SIMS. Les mesures DLTS sur matériau recristallisé sont peu concluantes, car la mesure de capacité est faussée par la haute résistivité du matériau. Par contre, les mesures I-DLTS sur matériau recristallisé ont permis de conclure que les impuretés de Fe sont responsables de la formation d’une grande variété de niveaux d’énergie se trouvant entre 0,25 et 0,40 eV, alors que les défauts de structure induisent des niveaux de moins de 0,25 eV. La concentration de Fe est élevée par rapport au seuil de solubilité du Fe dans le matériau recristallisé. Il serait donc plausible que des agrégats de Fe se forment. Toutefois, cette hypothèse est infirmée par l'absence de pic aux masses correspondant à la molécule ^(56)Fe_2^+ sur les spectres ToF-SIMS. De plus, un modèle simple est utilisé afin d’estimer si certaines masses présentes sur les spectres ToF-SIMS correspondent à des liaisons non induites par la mesure dans le matériau recristallisé. Bien qu’aucune liaison avec le Ga et l'As n’est détectable, ce modèle n’exclut pas la possibilité de liens préférentiels avec l’In.

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. Le recuit est nécessaire afin de recristalliser la couche amorphisée lors de l’implantation, donnant lieu à un polycristal rempli de défauts de recristallisation. On constate cependant que les matériaux implantés Fe offrent de meilleures performances que ceux simplement endommagés au Ga. Dans le but de départager l’effet des défauts de recristallisation et des impuretés de Fe, des mesures de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et de DLTS en courant (I-DLTS), ainsi que de spectrométrie de masse d’ions secondaires par temps de vol (ToF-SIMS) ont été effectuées sur des échantillons non implantés et d’autres recristallisés. Les mesures DLTS et I-DLTS ont pour but de caractériser les niveaux profonds générés par ces deux procédures postcroissance, tout en identifiant le rôle que jouent les impuretés de Fe sur la formation de ces niveaux profonds. De plus, le voisinage des atomes de Fe dans le matériau recristallisé a été étudié à l’aide des mesures ToF-SIMS. Les mesures DLTS sur matériau recristallisé sont peu concluantes, car la mesure de capacité est faussée par la haute résistivité du matériau. Par contre, les mesures I-DLTS sur matériau recristallisé ont permis de conclure que les impuretés de Fe sont responsables de la formation d’une grande variété de niveaux d’énergie se trouvant entre 0,25 et 0,40 eV, alors que les défauts de structure induisent des niveaux de moins de 0,25 eV. La concentration de Fe est élevée par rapport au seuil de solubilité du Fe dans le matériau recristallisé. Il serait donc plausible que des agrégats de Fe se forment. Toutefois, cette hypothèse est infirmée par l'absence de pic aux masses correspondant à la molécule ^(56)Fe_2^+ sur les spectres ToF-SIMS. De plus, un modèle simple est utilisé afin d’estimer si certaines masses présentes sur les spectres ToF-SIMS correspondent à des liaisons non induites par la mesure dans le matériau recristallisé. Bien qu’aucune liaison avec le Ga et l'As n’est détectable, ce modèle n’exclut pas la possibilité de liens préférentiels avec l’In.