Effect of Eu(2)O(3) doping on Ta(2)O(5) crystal growth by the laser-heated pedestal technique

High energy band gap hosts doped with lanthanide ions are suitable for optical devices applications To study the potential of Ta(2)O(5) as a host compound pure and Eu(2)O(3)-doped Ta(2)O(5) crystal fibers were grown by the laser-heated pedestal growth technique in diameters ranging from 250 to 2600 pm and in lengths of up to 50 mm The axial temperature gradient at the solid/liquid interface of pure Ta(2)O(5) fibers revealed a critical diameter of 2200 gm above which the fiber cracks X-ray diffraction measurements of the pure Ta(2)O(5) single crystals showed a monoclinic symmetry and a growth direction of [1 (1) over bar 0] An analysis of the pulling rate as a function of the fiber diameter for Eu(2)O(3)-doped Ta(2)O(5) fibers indicated a well defined region in which constitutional supercooling is absent Photoluminescence measurements of pure Ta(2)O(5) crystals using excitation above the band gap (3 8 eV) were dominated by a broad unstructured green band that peaked at 500 nm Three Eu(3+)-related optical centers were identified in the doped samples with nominal concentrations exceeding 1 mol% Two of these centers were consistent with the ion in the monoclinic phase with different oxygen coordinations The third one was visible in the presence of the triclinic phase (C) 2010 Elsevier B V All rights reserved

Electronic structure and spectra of a new molecular species: SI. A theoretical contribution

A high level theoretical approach is used to characterize for the first time a manifold of doublet and quartet A + S and Omega states correlating with the first two dissociation channels of an as yet experimentally unknown molecular species, SI, sulfur monoidide. A set of spectroscopic constants is determined, including vibrationally averaged spin-orbit coupling constants, vibrationally averaged dipole moments, and dissociation energies. The transition dipole moment function for the spin-forbidden transition a (4)Sigma -X (2)Pi, and the associated radiative lifetimes were also evaluated. Two possibilities to detect transitions experimentally and to derive spectroscopic constants are suggested. (C) 2011 Elsevier B. V. All rights reserved.

A method for Ca, Fe, Ga, Na, Si and Zn determination in alumina by inductively coupled plasma optical emission spectrometry after aluminum precipitation

In this present work a method for the determination of Ca, Fe, Ga, Na, Si and Zn in alumina (Al(2)O(3)) by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) with axial viewing is presented. Preliminary studies revealed intense aluminum spectral interference over the majority of elements and reaction between aluminum and quartz to form aluminosilicate, reducing drastically the lifetime of the torch. To overcome these problems alumina samples (250 mg) were dissolved with 5 mL HCl + 1.5 mLH(2)SO(4) + 1.5 mL H(2)O in a microwave oven. After complete dissolution the volume was completed to 20 mL and aluminum was precipitated as Al(OH)(3) with NH(3) (by bubbling NH(3) into the solution up to a pH similar to 8, for 10 min). The use of internal standards (Fe/Be, Ga/Dy, Zn/In and Na/Sc) was essential to obtain precise and accurate results. The reliability of the proposed method was checked by analysis of alumina certified reference material (Alumina Reduction Grade-699, NIST). The found concentrations (0.037%w(-1) CaO, 0.013% w w(-1) Fe(2)O(3), 0.012%w w(-1)Ga(2)O(3), 0.49% w w(-1) Na(2)O, 0.014% w w(-1) SiO(2) and 0.013% w w(-1) ZnO) presented no statistical differences compared to the certified values at a 95% confidence level. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.

The role of solvent on the doping of polyaniline with Fe(III) ions

The products formed from the reaction of emeraldine base polyaniline (EB-PANI) with Fe(III) ions in N-methyl-pyrrolidone (NMP), dimethylacetamide (DMA), dimethylformamide (DMF) and m-cresol media have been investigated using UV-VIS-NIR and resonance Raman (lambda(0) = 632.8 and 1064 nm) spectroscopies. Through these results it was verified that the different PANI forms in solution can be formed by the suitable choice of the solvent. The behavior of Fe(III)/EB-PANI in different solvents was rationalized in terms of the interactions among Fe(III) ions, EB-PANI and solvent. In basic NMP, DMA and DMF media, the reaction of Fe(III) with EB-PANI yields EB-PANI doping giving ES-PANI and/or the EB-PANI oxidation to PB-PANI. The formation of ES-PANI is favored in DMF while PB-PANI is formed in a greater extension in NMP and DMA. In acidic m-cresol, only ES-PANI is produced in Fe(III)/EB-PANI solutions indicating the important role played by the solvent in the nature of the product. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.

Photocatalyst TiO(2)-Co: the effect of doping depth profile on methylene blue degradation

In this work, we study the effect of doping depth profile on the photocatalytic and surface properties of TiO(2) films. Two thin film layers of TiO(2) (200 nm) and Co (5 nm), respectively, were deposited by physical evaporation on glass substrate. These films were annealed for 1 s at 100 and 400 A degrees C and the Co layer was removed by chemical etching. Atomic force microscopy (AFM) phase images showed changes in the surface in function of thermal treatment. The grazing-incidence X-ray fluorescence (GIXRF) measurements indicated that the thermal treatment caused migration of Co atoms to below the surface, the depths found were between 19 and 29 nm. The contact angle showed distinct values in function of the doped profile or Co surface concentration. The UV-vis spectra presented a red shift with the increasing of thermal treatment. Photocatalytical assays were performed by methylene blue discoloration and the higher activity was found for TiO(2)-Co treated at 400 A degrees C, the ESI-MS showed the fragments formed during the methylene blue decomposition.

The interaction between atoms of Au and Cu with clean Si(111) surface: A study combining synchrotron radiation grazing incidence X-ray fluorescence analysis and theoretical calculations

In order to evaluate the interactions between Au/Cu atoms and clean Si(l 11) surface, we used synchrotron radiation grazing incidence X-ray fluorescence analysis and theoretical calculations. Optimized geometries and energies on different adsorption sites indicate that the binding energies at different adsorption sites are high, suggesting a strong interaction between metal atom and silicon surface. The Au atom showed higher interaction than Cu atom. The theoretical and experimental data showed good agreement. Crown Copyright (C) 2009 Published by Elsevier B.V. All rights reserved.

Photocatalytic decomposition of methylene blue via Fenton mechanisms by silicon wafer doped with Au and Cu: a theoretical and experimental study

In this work, we studied the photocatalytic and the structural aspects of silicon wafers doped with Au and Cu submitted to thermal treatment. The materials were obtained by deposition of metals on Si using the sputtering method followed by fast heating method. The photocatalyst materials were characterized by synchrotron-grazing incidence X-ray fluorescence, ultraviolet-visible spectroscopy, X-ray diffraction, and assays of H(2)O(2) degradation. The doping process decreases the optical band gap of materials and the doping with Au causes structural changes. The best photocatalytic activity was found for thermally treated material doped with Au. Theoretical calculations at density functional theory level are in agreement with the experimental data.

Cambios en el uso de la lengua meta en el aula tras la introducción de Lgy 11 : Una revisión sistemática de literatura con el objetivo de investigar si ha cambiado el uso de la lengua meta en la enseñanza de lenguas modernas tras la introducción de Lgy 11

Resumen: La tesina investiga si ha cambiado el uso de la lengua meta en la enseñanza de lenguas modernas en la escuela sueca tras el inicio de Lgy 11. El estudio se realiza a través de una revisión sistemática de literatura. Vemos que en nuestro campo de investigación faltan estudios profundos. Los estudios encontrados indican un aumento del uso de la lengua meta en el aula tras el inicio de Lgy 11. Sin embargo, en pocas situaciones parece cumplirse la norma que indica que todo lo esencial de la enseñanza debe realizarse en la lengua meta. Las unidades de gramática parecen ser el segmento de la enseñanza en el cual los profesores usan el sueco más extensamente. Según los estudios analizados solamente una profesora incorpora la lengua meta cuando enseña la gramática. No obstante, la mayoría de los profesores expresan que la gramática es una parte esencial de la enseñanza de lenguas modernas

Estudo do efeito inibidor do solicato de sódio na corrosão de uma liga de ali-mg-si, em meio de diferentes concentrações de cloreto

No presente trabalho, estudou-se o efeito inibidor do silicato de sódio na corrosão de uma liga de AI-Mg-Si em meio arejado e desarejado, contendo quantidades variadas de Ion cloreto no pW = 10,O . Nos diferentes tipos de ensaios realizados, tais como, traçado de curvas de polarização, ensaios galvanostáticos e com par galvânico, utilizou-se corpos de prova anodizados ou polidos. Os resultados experimentais mostraram que 1 g/l de silicato de sódio neutro de composição Na2O : 3.3 SiO2, demonstrou total efeito inibidor da corrosão da liga de A1-Mg-Si, em solução contendo até 60 p.p.m. de NaC1. Em concentrações de 1060 p.p,m. e maiores de NaC1, o silicato mostrou apenas efeito retardador da corrosão, com diminuição da incidência de pites. A análise dos produtos de corrosão, formadas sobre a superficie dos pites, feita usando-se raio-X e espectroscopia de infravermelho, mostrou que esses produtos têm estrutura amorfa e contêm silicato e grupos hidroxila. Finalmente, medidas de capacitância da dupla camada, confirmaram a existência de uma película que se forma sobre a superfície da liga de alumínio, quando em solução de silicato.

Clown, o avesso de si : uma análise do clownesco na pós-modernidade

A partir das novas configurações da sociedade contemporânea, esta dissertação tem como objetivo principal analisar como o clown (ou palhaço) habita a cultura pós-moderna, fazendo ver e reverberar o seu potencial de clínica e a inseparabilidade entre palco e vida. Tratamos o clown como caso-pensamento e como figura que foi apropriada pelo imaginário social, com uma história de transgressões, o que permite que se diga ser ele produtor dos "avessos" a partir da perspectiva do humorismo. Além disso, é considerado como um devir que se espalha no cotidiano da cidade. A sociedade pós-moderna (e a cultura) é percebida como dada pelas transformações do capitalismo mundial, onde há uma multiplicidade de escolhas e achatamento da experiência subjetiva. Baseados na experiência da pesquisadora, entrevistas com profissionais e análise de espetáculos clownescos, passamos a entender como pode estar atuando o clown hoje (que se faz na exposição dos ridículos de si mesmo) e sua importância clínica numa cultura onde o glamour de um espetáculo serve cada vez mais para vender sabonetes.

Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si

O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo método de deposição química de organometálicos na fase vapor (MOCVD) sobre Si, contendo uma camada interfacial oxinitretada em NO (óxido nítrico). A caracterização foi realizada utilizando-se técnicas de análise por feixes de íons e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). Também foram realizadas medidas elétricas sobre os filmes. Os estudos indicaram que esta estrutura é essencialmente estável aos tratamentos térmicos quando é feito um pré-tratamento térmico em atmosfera inerte de argônio, antes de tratamento em atmosfera reativa de oxigênio, exibindo uma maior resistência à incorporação de oxigênio do que quando foi diretamente exposta à atmosfera de oxigênio. Tal estabilidade é atribuída a um sinergismo entre as propriedades do sistema HfO2/Si e a barreira à difusão de oxigênio constituída pela camada interfacial oxinitretada. A composição química dos filmes após os tratamentos térmicos é bastante complexa, indicando que a interface entre o filme e o substrato tem uma composição do tipo HfSixOyNz. Foi observada a migração de Hf para dentro do substrato de Si, podendo esta ser a causa de degradação das características elétricas do filme.

Obtenção de material magnético macio de Fe-Si pelo processo de injeção de pós metálicos

O presente trabalho tem como objetivo estabelecer uma rota alternativa para obtenção de ímãs de Fe-Si pelo processo de injeção de pós metálicos. Utilizando uma matéria-prima de custo mais baixo do que a tradicional e o processo de Mecano Síntese, deseja-se obter um ímã de baixo custo e boas propriedades magnéticas.

Estudo de propriedades magnéticas de filmes finos de cobalto sobre Si(111)

O crescimento de lmes nos ferromagnéticos sobre uma superfícies vicinal induz uma anisotropia uniaxial que atua juntamente com a anisotropia magnetocrislanina. Neste estudo, lmes nos de Co foram depositados sobre Si(111) para investigar o papel dessa anisotropia nas propriedades magnéticas do lme. Os substratos foram preparados quimicamente via uma solução de NH4F e caracterizados via microscopia de força atômica. Os lmes, depositados via desbaste iônico, foram caracterizados estruturalmente via difratometria de raio-x e microscopia de tunelamento. As propriedades magnéticas foram determinadas via magnetometria a efeito Kerr magnetoóptico, onde observou-se a presen ça de uma anisotropia uniaxial dominante. Um modelo fenomelógico de reversão da magnetização via rotação coerente foi aplicado para ajustar as curvas de histerese, e as constantes de anisotropia uniaxial para cada espessura foram determinadas.

Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si

Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Esses filmes foram submetidos a diferentes seqüências de tratamentos térmicos em atmosferas inerte e de O2, e foram caracterizados através de análises de feixe de íons e espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS). Nesse estudo foi observado que a incorporação de oxigênio se dá através da troca com N ou O previamente existente nos filmes. Em filmes de aproximadamente 50 nm de espessura foi observado que a presença do N limita a difusão de oxigênio de forma que a frente de incorporação avança em direção ao interior do filme com o aumento do tempo de tratamento, enquanto nos filmes de HfSiO/Si o oxigênio é incorporado ao longo de todo o filme, mesmo para o tempo mais curto de tratamento. Diferentemente de outros materiais high- estudados, não foi possível observar migração de Si do substrato em direção a superfície dos filmes de HfSiON/Si com aproximadamente 2,5 nm de espessura. Os resultados obtidos nesse trabalho mostram que filmes de HfSiON/Si são mais estáveis termicamente quando comparados com outros filmes dielétricos depositados sobre Si anteriormente estudados, mas antes que ele se torne o dielético de porta é ainda necessário que se controle a difusão de N em direção ao substrato como observado nesse trabalho.