865 resultados para Chiapas-Descripción y viajes


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Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.

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Descripción y análisis critic de una metodología de taller de posgrado a realizar entre dos universidades en idioma ingles y con el apoyo de las nuevas tecnologías

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Esta tesis doctoral, que es la culminación de mis estudios de doctorado impartidos por el Departamento de Lingüística Aplicada a la Ciencia y a la Tecnología de la Universidad Politécnica de Madrid, aborda el análisis del uso de la matización (hedging) en el lenguaje legal inglés siguiendo los postulados y principios de la análisis crítica de género (Bhatia, 2004) y empleando las herramientas de análisis de córpora WordSmith Tools versión 6 (Scott, 2014). Como refleja el título, el estudio se centra en la descripción y en el análisis contrastivo de las variedades léxico-sintácticas de los matizadores del discurso (hedges) y las estrategias discursivas que con ellos se llevan a cabo, además de las funciones que éstas desempeñan en un corpus de sentencias del Tribunal Supremo de EE. UU., y de artículos jurídicos de investigación americanos, relacionando, en la medida posible, éstas con los rasgos determinantes de los dos géneros, desde una perspectiva socio-cognitiva. El elemento innovador que ofrece es que, a pesar de los numerosos estudios que se han podido realizar sobre los matizadores del discurso en el inglés general (Lakoff, 1973; Hübler, 1983; Clemen, 1997; Markkanen and Schröder, 1997; Mauranen, 1997; Fetzer 2010; y Finnegan, 2010 entre otros) académico (Crompton, 1997; Meyer, 1997; Skelton, 1997; Martín Butragueňo, 2003) científico (Hyland, 1996a, 1996c, 1998c, 2007; Grabe and Kaplan, 1997; Salager-Meyer, 1997 Varttala, 2001) médico (Prince, 1982; Salager-Meyer, 1994; Skelton, 1997), y, en menor medida el inglés legal (Toska, 2012), no existe ningún tipo de investigación que vincule los distintos usos de la matización a las características genéricas de las comunicaciones profesionales. Dentro del lenguaje legal, la matización confirma su dependencia tanto de las expectativas a macro-nivel de la comunidad de discurso, como de las intenciones a micro-nivel del escritor de la comunicación, variando en función de los propósitos comunicativos del género ya sean éstos educativos, pedagógicos, interpersonales u operativos. El estudio pone de relieve el uso predominante de los verbos modales epistémicos y de los verbos léxicos como matizadores del discurso, estos últimos divididos en cuatro tipos (Hyland 1998c; Palmer 1986, 1990, 2001) especulativos, citativos, deductivos y sensoriales. La realización léxico-sintáctica del matizador puede señalar una de cuatro estrategias discursivas particulares (Namsaraev, 1997; Salager-Meyer, 1994), la indeterminación, la despersonalización, la subjectivisación, o la matización camuflada (camouflage hedging), cuya incidencia y función varia según género. La identificación y cuantificación de los distintos matizadores y estrategias empleados en los diferentes géneros del discurso legal puede tener implicaciones pedagógicos para los estudiantes de derecho no nativos que tienen que demostrar una competencia adecuada en su uso y procesamiento. ABSTRACT This doctoral thesis, which represents the culmination of my doctoral studies undertaken in the Department of Linguistics Applied to Science and Technology of the Universidad Politécnica de Madrid, focusses on the analysis of hedging in legal English following the principles of Critical Genre Analysis (Bhatia, 2004), and using WordSmith Tools version 6 (Scott, 2014) corpus analysis tools. As the title suggests, this study centers on the description and contrastive analysis of lexico-grammatical realizations of hedges and the discourse strategies which they can indicate, as well as the functions they can carry out, in a corpus of U.S. Supreme Court opinions and American law review articles. The study relates realization, incidence and function of hedging to the predominant generic characteristics of the two genres from a socio-cognitive perspective. While there have been numerous studies on hedging in general English (Lakoff, 1973; Hübler, 1983; Clemen, 1997; Markkanen and Schröder, 1997; Mauranen, 1997; Fetzer 2010; and Finnegan, 2010 among others) academic English (Crompton, 1997; Meyer, 1997; Skelton, 1997; Martín Butragueňo, 2003) scientific English (Hyland, 1996a, 1996c, 1998c, 2007; Grabe and Kaplan, 1997; Salager-Meyer, 1997 Varttala, 2001) medical English (Prince, 1982; Salager-Meyer, 1994; Skelton, 1997), and, to a lesser degree, legal English (Toska, 2012), this study is innovative in that it links the different realizations and functions of hedging to the generic characteristics of a particular professional communication. Within legal English, hedging has been found to depend on not only the macro-level expectations of the discourse community for a specific genre, but also on the micro-level intentions of the author of a communication, varying according to the educational, pedagogical, interpersonal or operative purposes the genre may have. The study highlights the predominance of epistemic modal verbs and lexical verbs as hedges, dividing the latter into four types (Hyland, 1998c; Palmer, 1986, 1990, 2001): speculative, quotative, deductive and sensorial. Lexical-grammatical realizations of hedges can signal one of four discourse strategies (Namsaraev, 1997; Salager-Meyer, 1994), indetermination, depersonalization, subjectivization and camouflage hedging, as well as fulfill a variety of functions. The identification and quantification of the different hedges and hedging strategies and functions in the two genres may have pedagogical implications for non-native law students who must demonstrate adequate competence in the production and interpretation of hedged discourse.

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En los últimos años, el Ge ha ganado de nuevo atención con la finalidad de ser integrado en el seno de las existentes tecnologías de microelectrónica. Aunque no se le considera como un canddato capaz de reemplazar completamente al Si en el futuro próximo, probalemente servirá como un excelente complemento para aumentar las propiedades eléctricas en dispositivos futuros, especialmente debido a su alta movilidad de portadores. Esta integración requiere de un avance significativo del estado del arte en los procesos de fabricado. Técnicas de simulación, como los algoritmos de Monte Carlo cinético (KMC), proporcionan un ambiente atractivo para llevar a cabo investigación y desarrollo en este campo, especialmente en términos de costes en tiempo y financiación. En este estudio se han usado, por primera vez, técnicas de KMC con el fin entender el procesado “front-end” de Ge en su fabricación, específicamente la acumulación de dañado y amorfización producidas por implantación iónica y el crecimiento epitaxial en fase sólida (SPER) de las capas amorfizadas. Primero, simulaciones de aproximación de clisiones binarias (BCA) son usadas para calcular el dañado causado por cada ión. La evolución de este dañado en el tiempo se simula usando KMC sin red, o de objetos (OKMC) en el que sólamente se consideran los defectos. El SPER se simula a través de una aproximación KMC de red (LKMC), siendo capaz de seguir la evolución de los átomos de la red que forman la intercara amorfo/cristalina. Con el modelo de amorfización desarrollado a lo largo de este trabajo, implementado en un simulador multi-material, se pueden simular todos estos procesos. Ha sido posible entender la acumulación de dañado, desde la generación de defectos puntuales hasta la formación completa de capas amorfas. Esta acumulación ocurre en tres regímenes bien diferenciados, empezando con un ritmo lento de formación de regiones de dañado, seguido por una rápida relajación local de ciertas áreas en la fase amorfa donde ambas fases, amorfa y cristalina, coexisten, para terminar en la amorfización completa de capas extensas, donde satura el ritmo de acumulación. Dicha transición ocurre cuando la concentración de dañado supera cierto valor límite, el cual es independiente de las condiciones de implantación. Cuando se implantan los iones a temperaturas relativamente altas, el recocido dinámico cura el dañado previamente introducido y se establece una competición entre la generación de dañado y su disolución. Estos efectos se vuelven especialmente importantes para iones ligeros, como el B, el cual crea dañado más diluido, pequeño y distribuido de manera diferente que el causado por la implantación de iones más pesados, como el Ge. Esta descripción reproduce satisfactoriamente la cantidad de dañado y la extensión de las capas amorfas causadas por implantación iónica reportadas en la bibliografía. La velocidad de recristalización de la muestra previamente amorfizada depende fuertemente de la orientación del sustrato. El modelo LKMC presentado ha sido capaz de explicar estas diferencias entre orientaciones a través de un simple modelo, dominado por una única energía de activación y diferentes prefactores en las frecuencias de SPER dependiendo de las configuraciones de vecinos de los átomos que recristalizan. La formación de maclas aparece como una consecuencia de esta descripción, y es predominante en sustratos crecidos en la orientación (111)Ge. Este modelo es capaz de reproducir resultados experimentales para diferentes orientaciones, temperaturas y tiempos de evolución de la intercara amorfo/cristalina reportados por diferentes autores. Las parametrizaciones preliminares realizadas de los tensores de activación de tensiones son también capaces de proveer una buena correlación entre las simulaciones y los resultados experimentales de velocidad de SPER a diferentes temperaturas bajo una presión hidrostática aplicada. Los estudios presentados en esta tesis han ayudado a alcanzar un mejor entendimiento de los mecanismos de producción de dañado, su evolución, amorfización y SPER para Ge, además de servir como una útil herramienta para continuar el trabajo en este campo. In the recent years, Ge has regained attention to be integrated into existing microelectronic technologies. Even though it is not thought to be a feasible full replacement to Si in the near future, it will likely serve as an excellent complement to enhance electrical properties in future devices, specially due to its high carrier mobilities. This integration requires a significant upgrade of the state-of-the-art of regular manufacturing processes. Simulation techniques, such as kinetic Monte Carlo (KMC) algorithms, provide an appealing environment to research and innovation in the field, specially in terms of time and funding costs. In the present study, KMC techniques are used, for the first time, to understand Ge front-end processing, specifically damage accumulation and amorphization produced by ion implantation and Solid Phase Epitaxial Regrowth (SPER) of the amorphized layers. First, Binary Collision Approximation (BCA) simulations are used to calculate the damage caused by every ion. The evolution of this damage over time is simulated using non-lattice, or Object, KMC (OKMC) in which only defects are considered. SPER is simulated through a Lattice KMC (LKMC) approach, being able to follow the evolution of the lattice atoms forming the amorphous/crystalline interface. With the amorphization model developed in this work, implemented into a multi-material process simulator, all these processes can be simulated. It has been possible to understand damage accumulation, from point defect generation up to full amorphous layers formation. This accumulation occurs in three differentiated regimes, starting at a slow formation rate of the damage regions, followed by a fast local relaxation of areas into the amorphous phase where both crystalline and amorphous phases coexist, ending in full amorphization of extended layers, where the accumulation rate saturates. This transition occurs when the damage concentration overcomes a certain threshold value, which is independent of the implantation conditions. When implanting ions at relatively high temperatures, dynamic annealing takes place, healing the previously induced damage and establishing a competition between damage generation and its dissolution. These effects become specially important for light ions, as B, for which the created damage is more diluted, smaller and differently distributed than that caused by implanting heavier ions, as Ge. This description successfully reproduces damage quantity and extension of amorphous layers caused by means of ion implantation reported in the literature. Recrystallization velocity of the previously amorphized sample strongly depends on the substrate orientation. The presented LKMC model has been able to explain these differences between orientations through a simple model, dominated by one only activation energy and different prefactors for the SPER rates depending on the neighboring configuration of the recrystallizing atoms. Twin defects formation appears as a consequence of this description, and are predominant for (111)Ge oriented grown substrates. This model is able to reproduce experimental results for different orientations, temperatures and times of evolution of the amorphous/crystalline interface reported by different authors. Preliminary parameterizations for the activation strain tensors are able to also provide a good match between simulations and reported experimental results for SPER velocities at different temperatures under the appliance of hydrostatic pressure. The studies presented in this thesis have helped to achieve a greater understanding of damage generation, evolution, amorphization and SPER mechanisms in Ge, and also provide a useful tool to continue research in this field.

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El trabajo consiste en la realización de un plan de implantación de un sistema tranviario en la ciudad de Valladolid. El documento memoria del plan se estructura según las fases de planificación de una actuación en transporte público: descripción y diagnóstico territorial, formulación de fines y objetivos, generación de un total de 8 alternativas, selección de alternativas mediante métodos multicriterio y evaluación de la rentabilidad socioeconómica de la inversión. Además, se incluyeron aspectos de sostenibilidad y planeamiento colaborativo en las distintas fases del proceso. Se empleó un software de Sistemas de Información Geográfica como herramienta básica para el diagnóstico y la evaluación multicriterio de las alternativas.

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El proyecto tenía como objeto resolver ciertas ineficiencias del sistema actual así como la adaptación a cambios de la estructura urbana de la ciudad de Logroño. Para ello se siguieron las distintas fases de un proceso de planificación (descripción y diagnóstico del territorio y el sistema actual, formulación de fines y objetivos, generación de alternativas, selección de alternativas). Además, se incluyó un análisis económico así como unas directrices para la puesta en marcha del plan.

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Este trabalho analisa os caminhos percorridos pelas Instituições de Ensino Superior na utilização da Internet como intermediadora da relação com os veículos de comunicação. O objeto de estudo são as Salas de Imprensa Virtuais de seis universidades paulistas e, a partir da descrição e análise desses espaços, buscou-se destacar se estão sendo amplamente utilizados em todo seu potencial comunicativo. A principal motivação deste trabalho foi sanar uma lacuna quanto a um panorama de como esta ferramenta de comunicação está sendo utilizada no País a partir da experiência universitária. As Salas de Imprensa foram investigadas a partir de Estudo de Casos Múltiplos, com análise comparativa de seus conteúdos e vivências, além de informações coletadas em entrevistas com especialistas, equipes de Comunicação e reitores das Universidades. O diagnóstico da experiência universitária evidencia muitos equívocos na utilização dessa ferramenta, principalmente quanto à interatividade, pois muitos deles não disponibilizam serviços de interação com o jornalista via web. Os resultados deste estudo alertam para a implementação das Salas de Imprensa Virtuais com toda a potencialidade que a Internet oferece.(AU)

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Este trabalho analisa os caminhos percorridos pelas Instituições de Ensino Superior na utilização da Internet como intermediadora da relação com os veículos de comunicação. O objeto de estudo são as Salas de Imprensa Virtuais de seis universidades paulistas e, a partir da descrição e análise desses espaços, buscou-se destacar se estão sendo amplamente utilizados em todo seu potencial comunicativo. A principal motivação deste trabalho foi sanar uma lacuna quanto a um panorama de como esta ferramenta de comunicação está sendo utilizada no País a partir da experiência universitária. As Salas de Imprensa foram investigadas a partir de Estudo de Casos Múltiplos, com análise comparativa de seus conteúdos e vivências, além de informações coletadas em entrevistas com especialistas, equipes de Comunicação e reitores das Universidades. O diagnóstico da experiência universitária evidencia muitos equívocos na utilização dessa ferramenta, principalmente quanto à interatividade, pois muitos deles não disponibilizam serviços de interação com o jornalista via web. Os resultados deste estudo alertam para a implementação das Salas de Imprensa Virtuais com toda a potencialidade que a Internet oferece.(AU)

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La promoción de la seguridad de los periodistas es una cuestión por la que Naciones Unidas (NU) se interesó por primera vez a principios de los años setenta. No obstante, los primeros intentos de crear mecanismos que protegieran el ejercicio del periodismo fueron infructuosos. Los enfrentamientos propios de la Guerra Fría fueron la causa de este fracaso. El desgaste que supuso relegó a un segundo plano esta cuestión hasta finales de los años noventa. Ya en el Siglo XXI esta cuestión fue paulatinamente recobrando un espacio en los debates internacionales hasta que en el año 2012 se aprobó la primera Estrategia común en la historia del sistema de NU. El Plan de Acción de NU sobre la promoción de la seguridad de los periodistas y la cuestión de la impunidad ha sido un catalizador de nuevas iniciativas, especialmente en el ámbito normativo de NU. En menos de tres años se han puesto en marcha más acciones que en toda la historia de la organización. Los retos, sin embargo, son muchos. Promover la seguridad de los periodistas desde NU requiere del apoyo al establecimiento de políticas públicas, la creación y cumplimiento de normas legales, el establecimiento de mecanismos de protección, el fin de la impunidad, y, por encima de todo, voluntad política. internacional, desde su creación hasta la actualidad. Asimismo, se sirve de entrevistas a sus protagonistas para complementar la descripción y análisis de carácter histórico.

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P. 71-73, 98, 101-103, 113, 116, 122-124, 128, 131, 137, 140, 142, 145, 148, 151, 155, 159-161, 167, 170, 173, 177, 181, 184, 188, 192, 195, 210 [i.e. 198], 203, 207, 217, 223, 231, 234, 238, 241, 249, 256, 159 [i.e. 259], 260, 268-270, 276-277, 298, 306-308 numeradas como h.

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Mode of access: Internet.

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Este trabalho analisa os caminhos percorridos pelas Instituições de Ensino Superior na utilização da Internet como intermediadora da relação com os veículos de comunicação. O objeto de estudo são as Salas de Imprensa Virtuais de seis universidades paulistas e, a partir da descrição e análise desses espaços, buscou-se destacar se estão sendo amplamente utilizados em todo seu potencial comunicativo. A principal motivação deste trabalho foi sanar uma lacuna quanto a um panorama de como esta ferramenta de comunicação está sendo utilizada no País a partir da experiência universitária. As Salas de Imprensa foram investigadas a partir de Estudo de Casos Múltiplos, com análise comparativa de seus conteúdos e vivências, além de informações coletadas em entrevistas com especialistas, equipes de Comunicação e reitores das Universidades. O diagnóstico da experiência universitária evidencia muitos equívocos na utilização dessa ferramenta, principalmente quanto à interatividade, pois muitos deles não disponibilizam serviços de interação com o jornalista via web. Os resultados deste estudo alertam para a implementação das Salas de Imprensa Virtuais com toda a potencialidade que a Internet oferece.(AU)

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La tesis El animal como mediador en los discursos escultóricos actuales, aúna la investigación sobre los procesos de creación en torno a la animalística durante los siglos XX y XXI (documental, gráfica, histórica y conceptual) con el desarrollo de la creación artística personal como sustrato. Se trata de una investigación marcadamente transversal, que recurre a disciplinas tales como: lenguajes artísticos (en especial la escultura), biología, antropología, filosofía, crítica artística, historia del arte, zoología y ética. Todas estas ramas resultan necesarias para abordar un tema de tanta complejidad como lo es la diversidad de discursos que el arte actual establece en relación al tema. La tesis busca como objetivo establecer un marco desde el que discutir, analizar y proponer el quehacer artístico personal, dialogado y contextualizado, con el arte animalista del momento. Tras un profundo estudio del panorama, que se encuentra muy escasamente desarrollado en España, se establecen siete territorios discursivos (incluido el propio personal) cuyo denominador común es recurrir al animal; en unos casos como instrumento para transmitir el discurso de los artistas y, en otros, como eje central de las obras. En ellos se otorga especial interés a aspectos como: la metodología chamánica, empleada por los actuales artistas con un afán sanador y una preocupación por la relación arte/vida; las consideraciones relativas al símbolo y la transcendencia; la mediación del animal para los discursos políticos sociales; el valor terapéutico, incluyendo en ellos los procesos catárticos; y la metáfora que suponen para los alegatos ecológicos. Todo esto sin olvidar la enorme sugerencia formal que los animales aportan como objetos estéticos, y como sugerencias para la creación de mundos fantásticos. Las inquietantes e interesantes propuestas que se han analizado determinan, en último extremo, el posicionamiento de la autora de la tesis dentro de un discurso a favor del animal, su dignidad, su valor sanador y su poder como aliado. Tras el estudio de 94 artistas reconocidos en este campo, se alcanza a ofrecer un horizonte clarificado de los mecanismos que operan en la animalística, dividiendo su estudio en los siguientes 7 apartados: En un primer capítulo, dedicado al símbolo de la trascendencia, se analiza la reutilización del símbolo, lo que conduce a determinar el comportamiento simbólico y el sentimiento poético; se recorren los diferentes procedimientos de anamnesis y viajes de iniciación propios de las tradiciones religiosas; y se observa el papel que juega el animal como espíritu auxiliar, recorriendo dentro de la escultura un camino hacia la abstracción y por tanto hacia la captación de la esencia. En estos desarrollos la materia es utilizada como vehículo de lo sagrado, de tal modo que la creación artística aspira a la inmortalidad y a la trascendencia del ser...

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This article is a description and analysis of the press of seniors in Spain, from two points of view: 1. media mapping, and 2. study of the advertising and editorial content that offer two important magazines of the sector: Sesenta y Más, magazine of the IMSERSO, and Senda Senior, as a commercial proposal. As well, of the study is that the sector does not go through its best moment, lack of advertising interest, but headers offer models of life that best fit the new times, profiling a person who without worrying about their health, be more active in the communication field, in the playful and especially in the cultural.

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This study investigates the Spanish indefinite pronoun uno (“one”). After a detailed analysis of its occurrences in authentic language, we find that its interpretation varies depending on the linguistic context. Therefore, we examine which elements of the context - we focus on the broader context, beyond the sentence – have an impact on its interpretation and develop a typology of the indefinite pronoun as to its interpretation. The pronoun may be interpreted as completely generic or specific (referring to the speaker, the listener or a third person). Its interpretation can also be located in an intermediate position between these interpretive extremes.In addition, we compare its use in various discursive genres - spontaneous conversations, academic essays and web forum - which are distinguished by the presence or absence of interactivity and of more or less subjectivity / intersubjectivity. The comparison shows that pronoun use depends on these characteristics.