Electrochemical pore formation on InP in alkaline solutions

The surface properties of InP electrodes were examined following anodization in (NH4)2S and KOH electrolytes. In both solutions, the observation of current peaks in the cyclic voltammetric curves was attributed to selective etching of the substrate and a film formation process. AFM images of samples anodized in the sulfide solution, revealed surface pitting and TEM micrographs revealed the porous nature of the film formed on top of the pitted substrate. After anodization in the KOH electrolyte, TEM images revealed that a porous layer extending 500 nm into the substrate had been formed. Analysis of the composition of the anodic products indicates the presence of In2S3 in films grown in (NH4)2S and an In2O3 phase within the porous network formed in KOH.

Growth and characterization of anodic Films on InP in KOH and (NH4)2S

The current-voltage characteristics of InP were investigated in (NH4)2S and KOH electrolytes. In both solutions, the observation of current peaks in the cyclic voltammetric curves was attributed to the growth of passivating films. The relationship between the peak currents and the scan rates suggests that the film formation process is diffusion controlled in both cases. The film thickness required to inhibit current flow was found to be much lower on samples anodized in the sulphide solution. Focused ion beam (FIB) secondary electron images of the surface films show that film cracking of the type reported previously for films grown in (NH4)2S is also observed for films grown in KOH. X-ray and electron diffraction measurements indicate the presence of In2O3 and InPO4 in films grown in KOH and In2S3 in films grown in (NH4)2S.

Electrochemical formation of ordered pore arrays in InP in KCl

Pores are formed electrochemically in n-InP in KCl electrolytes with concentrations of 2 mol dm-3 or greater. The pore morphology is similar to what is seen in other halide-based electrolytes. At low potentials, crystallographically oriented (CO) pores are formed. At higher potentials, current-line oriented (CLO) pores are formed. Crystallographically oriented pore walls are observed for both pore morphologies. When formed at a constant current, potential oscillations are observed which have been correlated to oscillations in the pore width. The CLO pore wall smoothness and overall uniformity increase as KCl concentration is increased. The porous structures formed in KCl compare favourably with those formed in the more acidic or alkaline electrolytes that are typically used to form these structures.

Mechanism that dictates pore width and <111>a pore propagation in InP

We report a mechanism for pore growth and propagation based on a three-step charge transfer model. The study is supported by electron microscopy analysis of highly doped n-InP samples anodised in aqueous KOH. The model and experimental data are used to explain propagation of pores of characteristic diameter preferentially along the <111>A directions. We also show evidence for deviation of pore growth from the <111>A directions and explain why such deviations should occur. The model is self-consistent and predicts how carrier concentration affects the internal dimensions of the porous structures.

Probing Individual Quantum Dots: Noise in Self-Assembled Systems

In this work we explore the noise characteristics in lithographically-defined two terminal devices containing self-assembled InAs/InP quantum dots. The experimental ensemble of InAs dots show random telegraph noise (RTN) with tuneable relative amplitude-up to 150%-in well defined temperature and source-drain applied voltage ranges. Our numerical simulation indicates that the RTN signature correlates with a very low number of quantum dots acting as effective charge storage centres in the structure for a given applied voltage. The modulation in relative amplitude variation can thus be associated to the altered electrostatic potential profile around such centres and enhanced carrier scattering provided by a charged dot.

Modeling the optical properties of AlSb, GaSb, and InSb

Optical constants of AlSb, GaSb, and InSb are modeled in the 1-6 eV spectral range. We employ an extension of Adachi's model of the optical constants of semiconductors. The model takes into account transitions at E-0, E-0 + Delta(0), E-1, and E-1 + Delta(1) critical points, as well as higher-lying transitions which are modeled with three damped harmonic oscillators. We do not consider indirect transitions contribution, since it represents a second-order perturbation and its strength should be low. Also, we do not take into account excitonic effects at E-1, E-1 + Delta(1) critical points, since we model the room temperature data. In spite of fewer contributions to the dielectric function compared to previous calculations involving Adachi's model, our calculations show significantly improved agreement with the experimental data. This is due to the two main distinguishing features of calculations presented here: use of adjustable line broadening instead of the conventional Lorentzian one, and employment of a global optimization routine for model parameter determination.

Modification of cell volume and proliferative capacity of Pseudokirchneriella subcapitata cells exposed to metal stress

The impact of metals (Cd, Cr, Cu and Zn) on growth, cell volume and cell division of the freshwateralga Pseudokirchneriella subcapitata exposed over a period of 72 h was investigated. The algal cells wereexposed to three nominal concentrations of each metal: low (closed to 72 h-EC10values), intermediate(closed to 72 h-EC50values) and high (upper than 72 h-EC90values). The exposure to low metal concen-trations resulted in a decrease of cell volume. On the contrary, for the highest metal concentrations anincrease of cell volume was observed; this effect was particularly notorious for Cd and less pronouncedfor Zn. Two behaviours were found when algal cells were exposed to intermediate concentrations ofmetals: Cu(II) and Cr(VI) induced a reduction of cell volume, while Cd(II) and Zn(II) provoked an oppositeeffect. The simultaneous nucleus staining and cell image analysis, allowed distinguishing three phases inP. subcapitata cell cycle: growth of mother cell; cell division, which includes two divisions of the nucleus;and, release of four autospores. The exposure of P. subcapitata cells to the highest metal concentrationsresulted in the arrest of cell growth before the first nucleus division [for Cr(VI) and Cu(II)] or after thesecond nucleus division but before the cytokinesis (release of autospores) when exposed to Cd(II). Thedifferent impact of metals on algal cell volume and cell-cycle progression, suggests that different toxic-ity mechanisms underlie the action of different metals studied. The simultaneous nucleus staining andcell image analysis, used in the present work, can be a useful tool in the analysis of the toxicity of thepollutants, in P. subcapitata, and help in the elucidation of their different modes of action.

Hábitos Alimentares, Atividade Física e Escore de Risco Global de Framingham na Síndrome Metabólica

Fundamento: A síndrome metabólica é um transtorno complexo representado por um conjunto de fatores de risco cardiovascular. A adoção de um estilo de vida saudável está fortemente relacionada à melhora da Qualidade de Vida e interfere de forma positiva no controle dos fatores de risco presentes nessa condição clínica. Objetivo: Avaliar o efeito de um programa de modificação do estilo de vida sobre o Escore de Risco Cardiovascular Global de Framingham em indivíduos com síndrome metabólica. Método: Trata-se de uma subanálise de um ensaio clínico randomizado, controlado, cegado, com duração de três meses. Os participantes foram randomizados em quatro grupos: intervenção nutricional + placebo (INP), intervenção nutricional + suplementação de ácidos graxos ômega 3 (3 g/dia de óleo de peixe) (INS3), intervenção nutricional + atividade física + placebo (INEP) e intervenção nutricional + atividade física + suplementação de ácidos graxos ômega 3 (INES3). O Escore de Risco Cardiovascular Global de Framingham de cada indivíduo foi calculado antes e após a intervenção. Resultados: Participaram do estudo 70 indivíduos. Observou-se uma redução da média do escore após a intervenção de forma geral (p < 0,001). Obteve-se uma redução para risco intermediário em 25,7% dos indivíduos. Após a intervenção, observou-se redução significativa (p < 0,01) da "idade vascular", sendo esta mais expressiva nos grupos INP (5,2%) e INEP (5,3%). Conclusão: Todas as intervenções propostas produziram efeito benéfico para a redução do escore de risco cardiovascular. O presente estudo reforça a importância da modificação do estilo de vida na prevenção e no tratamento das doenças cardiovasculares.

Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE

Transmission electron microscopy studies have been performed to characterize InxAl1−xAs layers grown by molecular beam epitaxy on (100) InP substrates. The first observations of compositional nonuniformities in strained InAlAs layers are reported. The coarse quasiperiodic structure present in each sample has been found to be dependent upon the growth parameters and the sample characteristics.

Design and construction of precision heat fluxmeters

InAlAs/InGaAs/InP based high electron mobility transistor devices have been structurally and electrically characterized, using transmission electron microscopy and Raman spectroscopy and measuring Hall mobilities. The InGaAs lattice matched channels, with an In molar fraction of 53%, grown at temperatures lower than 530¿°C exhibit alloy decomposition driving an anisotropic InGaAs surface roughness oriented along [1math0]. Conversely, lattice mismatched channels with an In molar fraction of 75% do not present this lateral decomposition but a strain induced roughness, with higher strength as the channel growth temperature increases beyond 490¿°C. In both cases the presence of the roughness implies low and anisotropic Hall mobilities of the two dimensional electron gas.

Seletividade, eficiência de controle de plantas daninhas e persistência no solo de imazamox aplicado na cultura do feijoeiro

O presente trabalho teve como objetivo avaliar a seletividade, o controle de plantas daninhas e a persistência no solo de imazamox aplicado na cultura do feijoeiro, durante os anos de 1995 a 1997. Nos experimentos de seletividade foram testados: imazamox (20, 30 e 40 g i.a./ha), imazamox + bentazon (30+480 g i.a./ha), imazamox + fomesafen (30+125 g i.a./ha) e testemunha nas cultivares Pérola, Jalo Precoce, Novo Jalo e Xamego. Os experimentos foram mantidos livres de plantas daninhas e foram avaliadas a fitotoxicidade visual e a produção de grãos. Nos experimentos de eficiência de controle de plantas daninhas foram testados: imazamox (20, 30 e 40 g i.a./ha), bentazon (480 g i.a./ha), fomesafen (125 e 250 g i.a./ha), imazamox + bentazon (30+480 g i.a./ha), imazamox + fomesafen (30 + 125 g i.a./ha), bentazon / imazamox (480/30 g i.a/ha, aplicação seqüencial), fomesafen/imazmox (125/30 g i.a./ha, aplicação seqüencial), fomesafen/fomesafen (100/100 g i.a./ha, aplicação seqüencial) e testemunha. Foram avaliadas as porcentagens de controle de Euphorbia heterophylla e Bidens pilosa. Para o estudo da persistência de imazamox no solo, foram conduzidos experimentos em dois locais: Goiânia, GO (argiloso) e Jussara, GO (arenoso). Imazamox (40 g i.a./ha) causou injúrias à cultura do feijoeiro que acarretaram redução de 15% na produtividade (média dos experimentos). A mistura de imazamox e bentazon causou menor grau de injúrias no feijoeiro, obtendo-se ganhos de produtividade de 8% (médias dos experimentos). Imazamox mostrou-se ineficiente para o controle de Bidens pilosa, enquanto para Euphorbia heterophylla observou-se controle eficiente a partir da dose de 40 g i.a./ha. Aplicações seqüenciais de fomesafen/imazamox (125/30 g i.a/ha) apresentaram controle eficiente de Euphorbia heterophylla e Bidens pilosa. A persistência de imazamox no solo, para ambos os locais, foi maior em 1995 que 1996. Isto foi devido à maior umidade do solo em 1996. A sensibilidade das culturas sucedâneas aos resíduos de imazamox no solo foi, em ordem decrescente: sorgo, milho e arroz. O período entre a aplicação do herbicida e o plantio da cultura sucedânea (INP) variou de acordo com a sensibilidade das culturas aos resíduos de imazamox no solo e à sua persistência. Considerando ambos os locais e anos, o INP variou de 68 a 111 dias para milho, 78 a 139 dias para sorgo e 25 a 75 dias para o arroz.

L’étude de l’InP et du GaP suite à l’implantation ionique de Mn et à un recuit thermique

Cette thèse est dédiée à l’étude des matériaux InMnP et GaMnP fabriqués par implantation ionique et recuit thermique. Plus précisément nous avons investigué la possibilité de former par implantation ionique des matériaux homogènes (alliages) de InMnP et GaMnP contenant de 1 à 5 % atomiques de Mn qui seraient en état ferromagnétique, pour des possibles applications dans la spintronique. Dans un premier chapitre introductif nous donnons les motivations de cette recherche et faisons une revue de la littérature sur ce sujet. Le deuxième chapitre décrit les principes de l’implantation ionique, qui est la technique utilisée pour la fabrication des échantillons. Les effets de l’énergie, fluence et direction du faisceau ionique sur le profil d’implantation et la formation des dommages seront mis en évidence. Aussi dans ce chapitre nous allons trouver des informations sur les substrats utilisés pour l’implantation. Les techniques expérimentales utilisées pour la caractérisation structurale, chimique et magnétique des échantillons, ainsi que leurs limitations sont présentées dans le troisième chapitre. Quelques principes théoriques du magnétisme nécessaires pour la compréhension des mesures magnétiques se retrouvent dans le chapitre 4. Le cinquième chapitre est dédié à l’étude de la morphologie et des propriétés magnétiques des substrats utilisés pour implantation et le sixième chapitre, à l’étude des échantillons implantés au Mn sans avoir subi un recuit thermique. Notamment nous allons voir dans ce chapitre que l’implantation de Mn à plus que 1016 ions/cm2 amorphise la partie implantée du matériau et le Mn implanté se dispose en profondeur sur un profil gaussien. De point de vue magnétique les atomes implantés se trouvent dans un état paramagnétique entre 5 et 300 K ayant le spin 5/2. Dans le chapitre 7 nous présentons les propriétés des échantillons recuits à basses températures. Nous allons voir que dans ces échantillons la couche implantée est polycristalline et les atomes de Mn sont toujours dans un état paramagnétique. Dans les chapitres 8 et 9, qui sont les plus volumineux, nous présentons les résultats des mesures sur les échantillons recuits à hautes températures : il s’agit d’InP et du GaP implantés au Mn, dans le chapitre 8 et d’InP co-implanté au Mn et au P, dans le chapitre 9. D’abord, dans le chapitre 8 nous allons voir que le recuit à hautes températures mène à une recristallisation épitaxiale du InMnP et du GaMnP; aussi la majorité des atomes de Mn se déplacent vers la surface à cause d’un effet de ségrégation. Dans les régions de la surface, concentrés en Mn, les mesures XRD et TEM identifient la formation de MnP et d’In cristallin. Les mesures magnétiques identifient aussi la présence de MnP ferromagnétique. De plus dans ces mesures on trouve qu’environ 60 % du Mn implanté est en état paramagnétique avec la valeur du spin réduite par rapport à celle trouvée dans les échantillons non-recuits. Dans les échantillons InP co-implantés au Mn et au P la recristallisation est seulement partielle mais l’effet de ségrégation du Mn à la surface est beaucoup réduit. Dans ce cas plus que 50 % du Mn forme des particules MnP et le restant est en état paramagnétique au spin 5/2, dilué dans la matrice de l’InP. Finalement dans le dernier chapitre, 10, nous présentons les conclusions principales auxquels nous sommes arrivés et discutons les résultats et leurs implications.

Studies on Chemical Bath Deposited Semiconducting Copper Selenide and Iron Sulfide Thin Films Useful For Photovoltaic Applications

Chemical bath deposition (CBD)is one of the simplest, very convient and probably the cheapest method for thin film preparation. Photovoltaic is the cleanest and the most efficient mode of conversion of energy to electrical power. Silicon is the most popular material in this field. The present study on chemical bath deposited semiconducting copper selenide and iron sulfide thin films useful for photovoltaic applications. Semiconducting thin films prepared by chemical deposition find applications as photo detectors, solar control coatings and solar cells. Copper selenide is a p-type semiconductor that finds application in photovolitics. Several heterojunction systems such as Cu2-xSe/ZnSe (for injection electro luminescence), Cu2Se/AgInSe2 and Cu2Se/Si (for photodiodes), Cu2-xSe/CdS, Cu2-xSe/CdSe, CuxSe/InP and Cu2-xSe/Si for solar cells are reported. A maximum efficiency of 8.3% was achieved for the Cu2-xSe/Si cell, various preparation techniques are used for copper selenide like vacuum evaporation, direct reaction, electrodeposition and CBD. Instability of the as-prepared films was investigation and is accounted as mainly due to deviation from stoichiometry and the formation of iron oxide impurity. A sulphur annealing chamber was designed and fabricated for this work. These samples wee also analysed using optical absorption technique, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) and XRD.(X-Ray Diffraction).The pyrite films obtained by CBD technique showed amorphous nature and the electrical studies carried out showed the films to be of high resistive nature. Future work possible in the material of iron pyrite includes sulphur annealing of the non-stochiometric iron pyrite CBD thin films in the absence of atmospheric oxygen

Investigations on the structural and operational changes of Ring Seine Fishing Systems of Kerala and its Life Cycle Assessment (lCA)

The study covers theFishing capture technology innovation includes the catching of aquatic animal, using any kind of gear techniques, operated from a vessel. Utilization of fishing techniques varies, depending upon the type of fisheries, and can go from a basic and little hook connected to a line to huge and complex mid water trawls or seines operated by large fishing vessels.The size and autonomy of a fishing vessel is largely determined by its ability to handle, process and store fish in good condition on board, and thus these two characteristics have been greatly influenced by the introduction and utilization of ice and refrigeration machinery. Other technological developments especially hydraulic hauling machinery, fish finding electronics and synthetic twines have also had a major impact on the efficiency and profitability of fishing vessels.A wide variety of fishing gears and practices ranging from small-scale artisanal to advanced mechanised systems are used for fish capture in Kerala. Most important among these fishing gears are trawls, seines, lines, gillnets and entangling nets and traps The modern sector was introduced in 1953 at Neendakara, Shakthikulangara region under the initiative of Indo-Norwegian project (INP). The novel facilities introduced in fishing industry by Indo- Norwegian project accordingly are mechanically operated new boats with new fishing nets. Soon after mechanization, motorization programme gained momentum in Kerala especially in Alleppey, Ernakulam and Kollam districts.

Air-gap based vertical cavity micro-opto-electro-mechanical Fabry-Perot filters

Mikrooptische Filter sind heutzutage in vielen Bereichen in der Telekommunikation unersetzlich. Wichtige Einsatzgebiete sind aber auch spektroskopische Systeme in der Medizin-, Prozess- und Umwelttechnik. Diese Arbeit befasst sich mit der Technologieentwicklung und Herstellung von luftspaltbasierenden, vertikal auf einem Substrat angeordneten, oberflächenmikromechanisch hergestellten Fabry-Perot-Filtern. Es werden zwei verschiedene Filtervarianten, basierend auf zwei verschiedenen Materialsystemen, ausführlich untersucht. Zum einen handelt es sich dabei um die Weiterentwicklung von kontinuierlich mikromechanisch durchstimmbaren InP / Luftspaltfiltern; zum anderen werden neuartige, kostengünstige Siliziumnitrid / Luftspaltfilter wissenschaftlich behandelt. Der Inhalt der Arbeit ist so gegliedert, dass nach einer Einleitung mit Vergleichen zu Arbeiten und Ergebnissen anderer Forschergruppen weltweit, zunächst einige theoretische Grundlagen zur Berechnung der spektralen Reflektivität und Transmission von beliebigen optischen Schichtanordnungen aufgezeigt werden. Auß erdem wird ein kurzer theoretischer Ü berblick zu wichtigen Eigenschaften von Fabry-Perot-Filtern sowie der Möglichkeit einer mikromechanischen Durchstimmbarkeit gegeben. Daran anschließ end folgt ein Kapitel, welches sich den grundlegenden technologischen Aspekten der Herstellung von luftspaltbasierenden Filtern widmet. Es wird ein Zusammenhang zu wichtigen Referenzarbeiten hergestellt, auf denen diverse Weiterentwicklungen dieser Arbeit basieren. Die beiden folgenden Kapitel erläutern dann ausführlich das Design, die Herstellung und die Charakterisierung der beiden oben erwähnten Filtervarianten. Abgesehen von der vorangehenden Epitaxie von InP / GaInAs Schichten, ist die Herstellung der InP / Luftspaltfilter komplett im Institut durchgeführt worden. Die Herstellungsschritte sind ausführlich in der Arbeit erläutert, wobei ein Schwerpunktthema das trockenchemische Ä tzen von InP sowie GaInAs, welches als Opferschichtmaterial für die Herstellung der Luftspalte genutzt wurde, behandelt. Im Verlauf der wissenschaftlichen Arbeit konnten sehr wichtige technische Verbesserungen entwickelt und eingesetzt werden, welche zu einer effizienteren technologischen Herstellung der Filter führten und in der vorliegenden Niederschrift ausführlich dokumentiert sind. Die hergestellten, für einen Einsatz in der optischen Telekommunikation entworfenen, elektrostatisch aktuierbaren Filter sind aus zwei luftspaltbasierenden Braggspiegeln aufgebaut, welche wiederum jeweils 3 InP-Schichten von (je nach Design) 357nm bzw. 367nm Dicke aufweisen. Die Filter bestehen aus im definierten Abstand parallel übereinander angeordneten Membranen, die über Verbindungsbrücken unterschiedlicher Anzahl und Länge an Haltepfosten befestigt sind. Da die mit 357nm bzw. 367nm vergleichsweise sehr dünnen Schichten freitragende Konstrukte mit bis zu 140 nm Länge bilden, aber trotzdem Positionsgenauigkeiten im nm-Bereich einhalten müssen, handelt es sich hierbei um sehr anspruchsvolle mikromechanische Bauelemente. Um den Einfluss der zahlreichen geometrischen Strukturparameter studieren zu können, wurden verschiedene laterale Filterdesigns implementiert. Mit den realisierten Filter konnte ein enorm weiter spektraler Abstimmbereich erzielt werden. Je nach lateralem Design wurden internationale Bestwerte für durchstimmbare Fabry-Perot-Filter von mehr als 140nm erreicht. Die Abstimmung konnte dabei kontinuierlich mit einer angelegten Spannung von nur wenigen Volt durchgeführt werden. Im Vergleich zu früher berichteten Ergebnissen konnten damit sowohl die Wellenlängenabstimmung als auch die dafür benötigte Abstimmungsspannung signifikant verbessert werden. Durch den hohen Brechungsindexkontrast und die geringe Schichtdicke zeigen die Filter ein vorteilhaftes, extrem weites Stopband in der Größ enordnung um 550nm. Die gewählten, sehr kurzen Kavitätslängen ermöglichen einen freien Spektralbereich des Filters welcher ebenfalls in diesen Größ enordnungen liegt, so dass ein weiter spektraler Einsatzbereich ermöglicht wird. Während der Arbeit zeigte sich, dass Verspannungen in den freitragenden InPSchichten die Funktionsweise der mikrooptischen Filter stark beeinflussen bzw. behindern. Insbesondere eine Unterätzung der Haltepfosten und die daraus resultierende Verbiegung der Ecken an denen sich die Verbindungsbrücken befinden, führte zu enormen vertikalen Membranverschiebungen, welche die Filtereigenschaften verändern. Um optimale Ergebnisse zu erreichen, muss eine weitere Verbesserung der Epitaxie erfolgen. Jedoch konnten durch den zusätzlichen Einsatz einer speziellen Schutzmaske die Unterätzung der Haltepfosten und damit starke vertikale Verformungen reduziert werden. Die aus der Verspannung resultierenden Verformungen und die Reaktion einzelner freistehender InP Schichten auf eine angelegte Gleich- oder Wechselspannung wurde detailliert untersucht. Mittels Weisslichtinterferometrie wurden lateral identische Strukturen verglichen, die aus unterschiedlich dicken InP-Schichten (357nm bzw. 1065nm) bestehen. Einen weiteren Hauptteil der Arbeit stellen Siliziumnitrid / Luftspaltfilter dar, welche auf einem neuen, im Rahmen dieser Dissertation entwickelten, technologischen Ansatz basieren. Die Filter bestehen aus zwei Braggspiegeln, die jeweils aus fünf 590nm dicken, freistehenden Siliziumnitridschichten aufgebaut sind und einem Abstand von 390nm untereinander aufweisen. Die Filter wurden auf Glassubstraten hergestellt. Der Herstellungsprozess ist jedoch auch mit vielen anderen Materialien oder Prozessen kompatibel, so dass z.B. eine Integration mit anderen Bauelemente relativ leicht möglich ist. Die Prozesse dieser ebenfalls oberflächenmikromechanisch hergestellten Filter wurden konsequent auf niedrige Herstellungskosten optimiert. Als Opferschichtmaterial wurde hier amorph abgeschiedenes Silizium verwendet. Der Herstellungsprozess beinhaltet die Abscheidung verspannungsoptimierter Schichten (Silizium und Siliziumnitrid) mittels PECVD, die laterale Strukturierung per reaktiven Ionenätzen mit den Gasen SF6 / CHF3 / Ar sowie Fotolack als Maske, die nasschemische Unterätzung der Opferschichten mittels KOH und das Kritisch-Punkt-Trocken der Proben. Die Ergebnisse der optischen Charakterisierung der Filter zeigen eine hohe Ü bereinstimmung zwischen den experimentell ermittelten Daten und den korrespondierenden theoretischen Modellrechnungen. Weisslichtinterferometermessungen der freigeätzten Strukturen zeigen ebene Filterschichten und bestätigen die hohe vertikale Positioniergenauigkeit, die mit diesem technologischen Ansatz erreicht werden kann.