GROWTH OF HIGH-QUALITY GALLIUM-ARSENIDE ON HF-ETCHED SILICON (001) BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

HF etching followed by relatively low temperature (almost-equal-to 600-degrees-C) pretreatment is shown to provide a suitable substrate for the heteroepitaxial growth of GaAs on Si(100) by CBE using TEGa and AsH3 as sources. Rutherford backscattering (RBS), photoluminescence (PL), transmission electron microscopy (TEM), and Raman measurements show the low-defect nature of the GaAs epilayer.

HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备

利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0 28As06P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In072Ga0.28As06P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析.

HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备

利用动态掩膜腐蚀技术，研究了HF/CrO_3腐蚀液对各种不同组分的Al_xGa_(1-x)As (x = 0.3, 0.5, 0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌。随着HF(48wt%)/CrO_3(33wt%)的体积比由0.01变化到0.138，相应的腐蚀液对Al_(0.8)Ga_(0.2)As/Al_(0.3)Ga_(0.7)As的选择性由179降到8.6；通过调节腐蚀液的选择性，在Al_(0.3)Ga_(0.7)As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面。当HF(48wt%)/CrO_3(33wt%)的体积比为0.028时，Al组分分别为0.3、0.5和0.65时，相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为1.8、9.1和19.3nm。另外，还分析了腐蚀机理与腐蚀表面形貌之间的关系。

Hf同位素新衰变γ射线的观测

利用14MeV中子轰击天然钨靶,通过180,182,183,184,186W(n,2pxn)反应,产生铪的放射性同位素,以γ(X)谱学方法鉴别出铪,观测到了能量为75.2keV和88.7keV的2条新γ射线,测定其半衰期为(3.6±0.6)min。

重离子与~(nat)W相互作用中Hf的生成研究

用放射化学方法研究了6.3、8.5、11.8、14.7、18.4、24.6、40 MeV/nucleon ~(40)Ar + ~(nat)W、10.5 MeV/nucleon ~(84)Kr + ~(nat)W、80 MeV/nucleon ~(16)O + ~(nat)W、135 MeV/nucleon ~(12)C + ~(nat)W反应中的Hf的生成，得到了Hf同位素的激发函数、反冲性质和同位素分布。研究结果指出利用HIRFL能量的重离子和丰中子靶核作用，能以一定的截面生成A > 170区丰中子新核素。重炮弹更有利于丰中子新核素的生成。使用厚靶，可以明显地提高丰中子新核素的产额。过高的入射能量对丰中子新核素的生成无明显贡献，相反却极大地增加了缺中子同位素产额，这对丰中子新核素的分离和鉴别是非常不利的