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HfO2 thin films deposited on Si substrate using electron beam evaporation, are evaluated for back-gated graphene transistors. The amount of O-2 flow rate, during vaporation is optimized for 35 nm thick HfO2 films, to achieve the best optical, chemical and electrical properties. It has been observed that with increasing oxygen flow rate, thickness of the films increased and refractive index decreased due to increase in porosity resulting from the scattering of the evaporant. The films deposited at low O-2 flow rates (1 and 3 SCCM) show better optical and compositional properties. The effects of post-deposition annealing and post-metallization annealing in forming gas ambience (FGA) on the optical and electrical properties of the films have been analyzed. The film deposited at 3 SCCM O-2 flow rate shows the best properties as measured on MOS capacitors. To evaluate the performance of device properties, back-gated bilayer graphene transistors on HfO2 films deposited at two O-2 flow rates of 3 and 20 SCCM have been fabricated and characterized. The transistor with HfO2 film deposited at 3 SCCM O-2 flow rate shows better electrical properties consistent with the observations on MOS capacitor structures. This suggests that an optimum oxygen pressure is necessary to get good quality films for high performance devices.
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We have investigated the effect of post- deposition annealing on the composition and electrical properties of alumina (Al2O3) thin films. Al2O3 were deposited on n-type Si < 100 >. substrates by dc reactive magnetron sputtering. The films were subjected to post- deposition annealing at 623, 823 and 1023 K in vacuum. X-ray photoelectron spectroscopy results revealed that the composition improved with post- deposition annealing, and the film annealed at 1023 K became stoichiometric with an O/Al atomic ratio of 1.49. Al/Al2O3/Si metal-oxide-semiconductor (MOS) structures were then fabricated, and a correlation between the dielectric constant epsilon(r) and interface charge density Q(i) with annealing conditions were studied. The dielectric constant of the Al2O3 thin films increased to 9.8 with post- deposition annealing matching the bulk value, whereas the oxide charge density decreased to 3.11 x 10(11) cm(-2.) Studies on current-voltage IV characteristics indicated ohmic and Schottky type of conduction at lower electric fields (<0.16 MV cm(-1)) and space charge limited conduction at higher electric fields.
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In this paper, we report drain-extended MOS device design guidelines for the RF power amplifier (RF PA) applications. A complete RF PA circuit in a 28-nm CMOS technology node with the matching and biasing network is used as a test vehicle to validate the RF performance improvement by a systematic device design. A complete RF PA with 0.16-W/mm power density is reported experimentally. By simultaneous improvement of device-circuit performance, 45% improvement in the circuit RF power gain, 25% improvement in the power-added efficiency at 1-GHz frequency, and 5x improvement in the electrostatic discharge robustness are reported experimentally.
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A low Schottky barrier height (SBH) at source/drain contact is essential for achieving high drive current in atomic layer MoS(2-)channel-based field effect transistors. Approaches such as choosing metals with appropriate work functions and chemical doping are employed previously to improve the carrier injection from the contact electrodes to the channel and to mitigate the SBH between the MoS2 and metal. Recent experiments demonstrate significant SBH reduction when graphene layer is inserted between metal slab (Ti and Ni) and MoS2. However, the physical or chemical origin of this phenomenon is not yet clearly understood. In this work, density functional theory simulations are performed, employing pseudopotentials with very high basis sets to get insights of the charge transfer between metal and monolayer MoS2 through the inserted graphene layer. Our atomistic simulations on 16 different interfaces involving five different metals (Ti, Ag, Ru, Au, and Pt) reveal that (i) such a decrease in SBH is not consistent among various metals, rather an increase in SBH is observed in case of Au and Pt; (ii) unlike MoS2-metal interface, the projected dispersion of MoS2 remains preserved in any MoS2-graphene- metal system with shift in the bands on the energy axis. (iii) A proper choice of metal (e.g., Ru) may exhibit ohmic nature in a graphene-inserted MoS2-metal contact. These understandings would provide a direction in developing high-performance transistors involving heteroatomic layers as contact electrodes. (c) 2016 AIP Publishing LLC.
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Speech enhancement in stationary noise is addressed using the ideal channel selection framework. In order to estimate the binary mask, we propose to classify each time-frequency (T-F) bin of the noisy signal as speech or noise using Discriminative Random Fields (DRF). The DRF function contains two terms - an enhancement function and a smoothing term. On each T-F bin, we propose to use an enhancement function based on likelihood ratio test for speech presence, while Ising model is used as smoothing function for spectro-temporal continuity in the estimated binary mask. The effect of the smoothing function over successive iterations is found to reduce musical noise as opposed to using only enhancement function. The binary mask is inferred from the noisy signal using Iterated Conditional Modes (ICM) algorithm. Sentences from NOIZEUS corpus are evaluated from 0 dB to 15 dB Signal to Noise Ratio (SNR) in 4 kinds of additive noise settings: additive white Gaussian noise, car noise, street noise and pink noise. The reconstructed speech using the proposed technique is evaluated in terms of average segmental SNR, Perceptual Evaluation of Speech Quality (PESQ) and Mean opinion Score (MOS).
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This paper reveals an early quasi-saturation (QS) effect attributed to the geometrical parameters in shallow trench isolation-type drain-extended MOS (STI-DeMOS) transistors in advanced CMOS technologies. The quasi-saturation effect leads to serious g(m) reduction in STI-DeMOS. This paper investigates the nonlinear resistive behavior of the drain-extended region and its impact on the particular behavior of the STI-DeMOS transistor. In difference to vertical DMOS or lateral DMOS structures, STI-DeMOS exhibits three distinct regions of the drain extension. A complete understanding of the physics in these regions and their impact on the QS behavior are developed in this paper. An optimization strategy is shown for an improved g(m) device in a state-of-the-art 28-nm CMOS technology node.
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The high-kappa gate dielectrics, specifically amorphous films offer salient features such as exceptional mechanical flexibility, smooth surfaces and better uniformity associated with low leakage current density. In this work, similar to 35 nm thick amorphous ZrO2 films were deposited on silicon substrate at low temperature (300 degrees C, 1 h) from facile spin-coating method and characterized by various analytical techniques. The X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy reveal the formation of amorphous phase ZrO2, while ellipsometry analysis together with the Atomic Force Microscope suggest the formation of dense film with surface roughness of 1.5 angstrom, respectively. The fabricated films were integrated in metal-oxide-semiconductor (MOS) structures to check the electrical capabilities. The oxide capacitance (C-ox), flat band capacitance (C-FB), flat band voltage (V-FB), dielectric constant (kappa) and oxide trapped charges (Q(ot)) extracted from high frequency (1 MHz) C-V curve are 186 pF, 104 pF, 0.37V, 15 and 2 x 10(-11) C, respectively. The small flat band voltage 0.37V, narrow hysteresis and very little frequency dispersion between 10 kHz-1 MHz suggest an excellent a-ZrO2/Si interface with very less trapped charges in the oxide. The films exhibit a low leakage current density 4.7 x 10(-9)A/cm(2) at 1V. In addition, the charge transport mechanism across the MOSC is analyzed and found to have a strong bias dependence. The space charge limited conduction mechanism is dominant in the high electric field region (1.3-5 V) due to the presence of traps, while the trap-supported tunneling is prevailed in the intermediate region (0.35-1.3 V). Low temperature solution processed ZrO2 thin films obtained are of high quality and find their importance as a potential dielectric layer on Si and polymer based flexible electronics. (C) 2016 Published by Elsevier B.V.
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Entre los meses de mayo 2006 a febrero 20 07, s e realizó un diagnóstico sobre la aplicación de Buenas Prácticas Agrícolas (BPA) en seis Unidades de Producción (U/P): 3 U/P del cultivo Yuca ( Manihot esculenta Crantz. L ) y 3 U/P del cultivo de Quequisque ( Xanthosoma s sp ) en el Municipio de Nueva Gui nea RAAS, Nicaragua. Para realizar este estudio se utilizó el formato oficial que el Ministerio Agropecuario y Forestal (MAGFOR) emplea para este tipo de diagnostico en finca. Dicho instrumento contiene 15 secciones, cada sección cuanta con un número varia ble de preguntas con su respectiva puntuación que suman un total de 401 puntos , lo que corresponde al (100 %). Este instrumento esta diseñado para determinar la situación actual en que se encuentran cada una de las U/P . E n lo relativo al cumplimiento de los requisitos mínimos obligatorios establec idos por el estado Nicaragüense, para otorgar una certificación de sistema BPA de producción en campo, las U/P a evaluar deben de alcanzar como mínimo un (80%) de aprobación que corresponde a los requerimientos míni mos para la obtención de certificación de U/P e implementación y aprobación del sistema BPA. Una vez levantada la información se hizo una verifi cación in situ de las mismas para observar directamente las condiciones en las U/P. Posteriormente realizado el diagnostico y verificada la información, se procedió a procesar la información, tabulando la misma y estableciendo el grado de cumplimiento en porcentaje (%) y promedio de aplicación por cada sección y productor en las U/P evaluadas. En todos los casos de las diferentes U/P evaluadas no hubo el mínimo cumplimiento (80 %) del total de la puntuación establecido para otorgar la certificación BPA. En general, los sistemas de producció n de yuca y q uequisque empleados en las U/P en estudio, son poc o tecnificados, los agricultores y agricultoras tienen poca o nula capacitación técnica y conocimientos para la implementación de las BPA, así como los escasos recursos para implementar los planes de mejora que el diagnóstico indica. Se recomienda capacitar a lo s agricult ores en los temas: Buenas Prácticas Agrícolas, Agrotecnia del cultivo de yuca, quequisque y Manejo Integrado de Plagas o Cultivo con énfasis en los cultivos en estudio. Los agricultores deben realizar y cumplir a medidas de las posibilidades con las recome ndaciones de la guía manual elaborada en base a las condiciones en que se encontraron las U/P, que enmarca las medidas correctivas para iniciar y alcanzar la certificación BPA definido en relación a las medidas a aplicar y los períodos de tiempo para su cu mplimiento. También se recomienda que los agricultores gestionen financiamiento para implementar las medidas correctivas necesarias
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En vista de la escasez creciente de tierras, se vuelve impos - tergable la necesidad de conocer mejor los procesos de de - gradación y mejoramiento de suelos. Pese a que en el ámbito científico – técnico, se cuenta con parámetros para evaluar la condición física, química y biológica de los suelos, es nece - sario contar con indicadores locales para que sean los mis - mos agricultores quienes evalúen la calidad de los mismos. El objetivo de estudio fue evaluar el estado de los suelos de la planicie y laderas de Nandaime, mediante el uso de indica - dores técnicos y locales de calidad de suelos. La metodología incluyó la selección de 17 fincas, en cada una las cuales se seleccionaron parcelas con cultivo, pasto y bosque. Se de - finieron los indicadores infiltración, estabilidad estructural, compactabilidad, organismos, profundidad, mediante méto - dos sencillos; además, se tomaron muestras de suelos para determinar en laboratorio densidad aparente, porosidad, pH, CIC, N, K, P. Se hicieron entrevistas y un taller con los pro - pietarios, para identificar los indicadores utilizados para de - signar la calidad de los suelos. Los resultados indican que los suelos bajo agricultura han perdido el horizonte super - ficial, están compactados, tienen baja infiltración, CIC baja y niveles bajos de P y K. Se ha reducido la fertilidad natural y capacidad productiva de los suelos producto de prácticas inadecuadas tales como la deforestación, quemas, agricultura migratoria, sobrepastoreo, labranza inadecuada. Entre los in - dicadores usados por los agricultores se encuentran el color, profundidad, rendimiento, soltura, así como la presencia y abundancia de ciertas plantas.
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Resumen: En fuentes epigráficas y literarias Vetio Agorio Pretextato es identificado como uno de los representantes más notables de la aristocracia senatorial pagana romana de la cuarta centuria. Dichos testimonios lo presentan como vívida encarnación y real custodio del mos maiorum, la imagen de los óptimos padres de Roma y símbolo de fidelidad a la misión arcana que hizo de los miembros de dicha elite, los legítimos depositarios de la divina tarea de conducir los destinos imperiales. Inferir el verdadero alcance de su figura, construida y trasmitida por sus contemporáneos, constituye el centro de interés de este estudio.
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Contenido: Editorial – La relación de la justicia y el derecho / Justo López – Mos Italicus, Mos Gallicus y el humanismo racionalista : una contribución a la historia de la metodología jurídica / Francisco Carpintero – La lesión subjetiva, una consecuencia negativa de la socialización : la solución del problema a través de la reforma de 1968: algunos aspectos / Antonio E. Maínez – Escolios – Documentos – Notas bibliográficas
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O êxodo rural gera o inchaço nos grandes centros urbanos. Moradores de rua reclamam da falta de moradia. Aleixo Furtado, presidente do Instituto de Arquitetos do Brasil - IAB, defende o fortalecimento dos núcleos urbanos e das cidades médias, e de leis que possibilitam a reversão do quadro atual. Ulisses de Oliveira (PMDB-MG), relator da Subcomissão da Questão Urbana e de Transportes da Assembleia Nacional Constituinte (ANC), propõe inovações no seu relatório: a moradia não pode ser penhorada por causa de dívida e pessoas acima de 68 anos não pagam tarifa de transporte público. Dirceu Carneiro (PMDB-SC), presidente da Subcomissão, afirma que o problema da moradia precisa ser visto de forma global. Vitor Buaiz (PT-ES) propõe, na reunião de lideranças do PT, a campanha "Leve seu título para rua". Tal sugestão tem a finalidade de solucionar a questão das assinaturas nas emendas populares. Com o titulo em mãos os cidadãos podem assinar as emendas populares.
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Estudo de caso que analisa a aprovação da emenda de plenário nº 387 de 2010, chamada de emenda Ibsen Pinheiro/Humberto Souto, que pretendeu redistribuir as riquezas advindas dos royalties do petróleo, a partir do estabelecimento de critérios de maior equalização como o da distribuição via Fundo de Participação de Estados e Municípios (FPE/FPM). A partir do entendimento segundo o qual tal aprovação se deu por causa da fragmentação (derrocada) do pacto federativo, dado a centralização histórica do processo de arrecadação tributária nas mãos da União, posição alcançada e motivada, diga-se de passagem, pela abdicação de Estados e Municípios do papel de principal arrecadador, se tornando atores secundários. O estudo argumenta que a principal dificuldade enfrentada pelos entes subnacionais é de ordem econômica e os desenhos constitucionais desde a promulgação da Constituição republicana de 1891, não foi capaz de dirimir tal situação. E mesmo com a promulgação da Constituição de 1988, chamada de a mais descentralizadora, uma melhor distribuição de recursos falhou em suas tentativas.
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João Franco Barreto, escritor português, nasceu em Lisboa em 1600, ignorando-se a data de sua morte. Em 1624, integrou expedição de libertação da Bahia das mãos dos holandeses. Ao regressar a Portugal dedicou-se às letras: escreveu obras como ‘Cyparisso’, ‘Biblioteca Portuguesa’, ‘Ortografia portuguesa’; traduziu a Eneida, de Virgílio; e dirigiu a edição de um Dicionário dos nomes próprios que se encontram nos Lusíadas de Luis de Camões. Segundo Inocêncio, essa tradução de Barreto, publicada em 1763, corresponde à segunda edição, ainda que esta informação não figure no corpo da obra, e ‘seja em demasia parafrástica, e que muitas vezes não reproduza fielmente o sentido do original, em razão das dificuldades da rima, a que o tradutor quis sujeitar-se, todavia, a pureza e correção de linguagem com que foi escrita juntas à louçania do estilo, e a uma versificação quase sempre fluida e harmoniosa, fazem e farão sempre com que este trabalho não seja de todo esquecido, apesar de terem aparecido depois outras versões sem dúvida mais perfeitas’. A coleção, dividida em dois volumes, traz os livros I a Vl e VII a XII. A primeira parte, que corresponde à ‘Odisséia’, narra as viagens de Enéas até a sua chegada à Itália. A segunda, a exemplo da ‘llíada’, descreve as guerras pela conquista do Lácio até a fundação do reino de Lavinio.
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O relator da Constituinte o Deputado Bernardo Cabral concluiu o parecer sobre das emendas do 1º Turno, ele estabeleceu calendário para a votação no 2º Turno e falou como foi o trabalho. O artigo que recebeu mais emendas causou surpresa ao relator da Constituinte. A respeito dos pontos polêmicos o Deputado Bernardo Cabral definiu item por item, começando pelo voto aos 16 anos, a licença maternidade e paternidade e jornada de trabalho. Bernardo Cabral disse como acha que ficará o problema da Anistia Fiscal e a Nova Constituição. O Presidente da Constituinte, Ulysses Guimarães, recebeu das mãos do Relator, Bernardo Cabral, o parecer de cada uma das 1844 emendas dos Constituintes para o 2º Turno.