Original observations regarding the inability of ships to perform their duty with promptitude & safety...

Pages [iii]-v bound after p.ix.

Anales de la Universidad de Buenos Aires.

Vol. 5 (corrected numbering) was also reissued.

The episcopal succession in England, Scotland and Ireland A.D. 1400 to 1875, with appointments to monasteries and extracts from consistorial acts taken from mss. in public and private libraries in Rome, Florence, Bologna, Ravenna and Paris,

"Additions and corrections" to v. I-III: v. III, p. [477]-522.

Reports of cases decided in the Supreme court and county courts of Pennsylvania. [1887-1889]

"Complete bibliography of the legal periodicals of Luzerne and Lackawanna counties": p.[iii]-v.

Histoire des conciles œcuméniques. Publiée sous la direction de Gervais Dumeige.

v. 1. Ortiz de Urbina, I. Nicée et Constantinople.--v. 2. Camelot, T. Ephèse et Chalcédoine.--v. 3. Murphy, F.-X.and Sherwood, P. Constantinople II and Constantinople III.--v. 4. Nicée II.--v. 5. Constantinople IV.--v. 6. Foreville, R. Latran I, II, III, et Latran IV.--v. 7. Lyon I et Lyon II.--v. 8. Lecler, J. Vienne.--v. 9. Gill, J. Constance et Bale-Florence.--v. 10. Latran V et Trente.--v. 11. Lecler, J. [et al.] Trente.--v. 12. Aubert, R. Vatican I.

Construction equipment ownership and operating expense schedule.

"September 1997."

Construction equipment ownership and operating expense schedule.

"August 1993."

Trabajos del cuarto Congreso científico (1.⁰ Pan-americano) celebrado en Santiago de Chile del 25 de diciembre de 1908 al 5 de enero de 1909 ...

"Indice general" is included in "Cuarto Congreso científico (1° Pan-americano) ... Organización, actos solemnes, resultados generales ... ": p. [251]-266.

Construction equipment ownership and operating expense schedule.

"August 1995."

On the dual structure of the auditory brainstem response in dogs

Objective: To use the over-complete discrete wavelet transform (OCDWT) to further examine the dual structure of auditory brainstem response (ABR) in the dog. Methods: ABR waveforms recorded from 20 adult dogs at supra-threshold (90 and 70 dBnHL) and threshold (0-15 dBSL) levels were decomposed using a six level OCDWT and reconstructed at individual scales (frequency ranges) A6 (0-391 Hz), D6 (391-781 Hz), and D5 (781-1563 Hz). Results: At supra-threshold stimulus levels, the A6 scale (0-391 Hz) showed a large amplitude waveform with its prominent wave corresponding in latency with ABR waves II/III; the D6 scale (391-781 Hz) showed a small amplitude waveform with its first four waves corresponding in latency to ABR waves I, II/III, V, and VI; and the D5 scale (781-1563 Hz) showed a large amplitude, multiple peaked waveform with its first six waves corresponding in latency to ABR waves I, II, III, IV, V, and VI. At threshold stimulus levels (0-15 dBSL), the A6 scale (0-391 Hz) continued to show a relatively large amplitude waveform, but both the D6 and D5 scales (391781 and 781-1563 Hz, respectively) now showed relatively small amplitude waveforms. Conclusions: A dual structure exists within the ABR of the dog, but its relative structure changes with stimulus level. Significance: The ABR in the dog differs from that in the human both in the relative contributions made by its different frequency components, and the way these components change with stimulus level. (c) 2006 International Federation of Clinical Neurophysiology. Published by Elsevier Ireland Ltd. All rights reserved.

Étude spectroscopique des états localisés dans la bande interdite de composés GaAs₁₋ₓ Nₓ (x<0.1%)

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

An investigation by AFM and TEM of the mechanism of anodic formation of nanoporosity in n-InP in KOH

The early stages of nanoporous layer formation, under anodic conditions in the absence of light, were investigated for n-type InP with a carrier concentration of ∼3× 1018 cm-3 in 5 mol dm-3 KOH and a mechanism for the process is proposed. At potentials less than ∼0.35 V, spectroscopic ellipsometry and transmission electron microscopy (TEM) showed a thin oxide film on the surface. Atomic force microscopy (AFM) of electrode surfaces showed no pitting below ∼0.35 V but clearly showed etch pit formation in the range 0.4-0.53 V. The density of surface pits increased with time in both linear potential sweep and constant potential reaching a constant value at a time corresponding approximately to the current peak in linear sweep voltammograms and current-time curves at constant potential. TEM clearly showed individual nanoporous domains separated from the surface by a dense ∼40 nm InP layer. It is concluded that each domain develops as a result of directionally preferential pore propagation from an individual surface pit which forms a channel through this near-surface layer. As they grow larger, domains meet, and the merging of multiple domains eventually leads to a continuous nanoporous sub-surface region.

Étude spectroscopique des états localisés dans la bande interdite de composés GaAs₁₋� N� (x<0.1%)

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Isis a través de los textos: El culto isíaco en la literatura grecolatina de época altoimperial

El culto a la diosa Isis, de origen egipcio aunque helenizado a partir del dominio macedónico, se expande por el mundo grecorromano hasta abarcar un espacio geográfico muy amplio, como nunca antes había conocido. Los testimonios literarios que se refieren a él en época altoimperial son abundantes y de distinta naturaleza, desde descripciones precisas de elementos clave hasta escritos hostiles por parte de autores cristianos con una intencionalidad muy clara. El análisis pormenorizado de estos textos se antoja necesario si se quiere llegar a conocer el estado en el que se encuentra el culto isíaco en un período como el Alto Imperio.

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.