896 resultados para relaxation spectrum


Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

Relativistic Auger rates for the 2p spectra of Mg-like ions have been calculated in the atomic range 13 < Z < 36. We used the multiconfiguration Dirac-Fock method but beyond a simple frozen-orbital approach we include also relaxation for the bound electrons and the interchannel interaction between the continuum states. Both effects may alter the individual transition rates remarkably. This is analysed for a few selected states within the isoelectronic sequence. Weak transitions within the 2p spectra can be changed by an order of magnitude because of the continuum coupling. The influence of both effects for higher-Z ions is reduced but still remain visible.

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

KLL-Auger transitions of the three electron system in Ne have been recorded in a coincidence experiment frec of contaminants from other systems. Energies as well as intensities are compared with calculated values.

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

The InGaN system provides the opportunity to fabricate light emitting devices over the whole visible and ultraviolet spectrum due to band-gap energies E[subscript g] varying between 3.42 eV for GaN and 1.89 eV for InN. However, high In content in InGaN layers will result in a significant degradation of the crystalline quality of the epitaxial layers. In addition, unlike other III-V compound semiconductors, the ratio of gallium to indium incorporated in InGaN is in general not a simple function of the metal atomic flux ratio, f[subscript Ga]/f[subscript In]. Instead, In incorporation is complicated by the tendency of gallium to incorporate preferentially and excess In to form metallic droplets on the growth surface. This phenomenon can definitely affect the In distribution in the InGaN system. Scanning electron microscopy, room temperature photoluminescence, and X-ray diffraction techniques have been used to characterize InGaN layer grown on InN and InGaN buffers. The growth was done on c-plane sapphire by MOCVD. Results showed that green emission was obtained which indicates a relatively high In incorporation.

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

Nanoporous GaN films are prepared by UV assisted electrochemical etching using HF solution as an electrolyte. To assess the optical quality and morphology of these nanoporous films, micro-photoluminescence (PL), micro-Raman scattering, scanning electron microscopy (SEM), and atomic force microscopy (AFM) techniques have been employed. SEM and AFM measurements revealed an average pore size of about 85-90 nm with a transverse dimension of 70-75 nm. As compared to the as-grown GaN film, the porous layer exhibits a substantial photoluminescence intensity enhancement with a partial relaxation of compressive stress. Such a stress relaxation is further confirmed by the red shifted E₂(TO) phonon peak in the Raman spectrum of porous GaN.

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

A few files for background reading

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

Please load your posters to this share!

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

Resumen en español. Resumen basado en el de la publicación

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

Guía que proporciona a los que trabajan con niños autistas mayores de cinco años cien ideas de cómo apoyar y desarrollar su aprendizaje. Las ideas van desde el desarrollo de la comprensión de los alumnos a las habilidades de comunicación para garantizar que estén bien en su entorno de aprendizaje.

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

Guía práctica para comprender el efecto que el autismo tiene tanto en la vida de los niños como en la de sus familias y la mejor manera de apoyarlos. Muestra cómo desarrollar estrategias para la integración de estos niños en la escuela, producir técnicas de gestión de un comportamiento eficaz y crear métodos para el éxito en la enseñanza y en el aprendizaje. Cada capítulo ofrece una gama de actividades y estudios de casos reales que ayuda a consolidar el aprendizaje.

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

Manual que ofrece un enfoque positivo a la comprensión y la educación de los niños con autismo. Ofrece una mayor comprensión de la perspectiva y el comportamiento de un niño con autismo y explora cómo pueden utilizarse sus preferencias de aprendizaje, fortalezas e intereses para facilitar el aprendizaje y aumentar la motivación. La autora ha utilizado una mezcla de teorías de la personalidad, inteligencias múltiples y aprendizaje para crear un método de trabajo, Aprendizaje Preferencias y Fortalezas (LPS), para el desarrollo de habilidades de aprendizaje para la vida independiente en niños con autismo entre dos y doce años. Describe los principios básicos, preferencias de aprendizaje y los puntos fuertes típicos de los niños con autismo y ofrece una estructura de programa detallado, pero flexible, basada en estos conceptos. Fácil de seguir, se describen en cada capítulo actividades y orientaciones junto con ejemplos e ilustraciones.

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Resumo:

El espectro autista, a veces también se conoce como trastorno generalizado del desarrollo, se caracteriza por presentar la persona déficit en la interacción social, la comunicación y en la restricción de actividades e intereses. Se han identificado seis áreas principales en las que los niños con este trastorno tienen más dificultad en las escuelas: comportamiento, aprendizaje y pensamiento, conversación, experiencias sensoriales y motoras, lenguaje y comunicación y habilidades sociales. Este manual ofrece ayuda a los adultos interesados en identificar, comprender la razón de esta conducta particular y da consejos prácticos para cambiar, moderar o administrar estas dificultades dentro de escuelas normales. Tiene recursos fotocopiables.