928 resultados para high speed counter-current chromatography


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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Este trabalho estuda a técnica de acionamento vetorial aplicado ao motor de indução trifásico (MIT), utilizando como estratégia de controle a combinação de controle fuzzy com controladores chaveados do tipo modo deslizante, em uma configuração aqui denominada de Controlador Fuzzy Modo Deslizante (FSMC – Do inglês: Fuzzy Sliding Mode Control). Um modelo dinâmico do MIT é desenvolvido em variáveis ‘d-q’ o que conduziu a um modelo eletromecânico em espaço de estados que exibe fortes não linearidades. A este modelo são aplicadas as condições de controle vetorial que permitem desacoplar o torque e o fluxo no MIT, de maneira que o seu comportamento dinâmico se assemelha àquele verificado em uma máquina de corrente contínua. Nesta condição, são implementados controladores do tipo proporcional e integral (PI) às malhas de controle de corrente e velocidade do motor, e são realizadas simulações computacionais para o rastreamento de velocidade e perturbação de carga, o que levam a resultados satisfatórios do ponto de vista dinâmico. Visando investigar o desempenho das estratégias não lineares nesta abordagem é apresentado o estudo da técnica de controle a estrutura chaveada do tipo modo deslizante. Um controlador modo deslizante convencional é implementado, onde se verifica que, a despeito do excelente desempenho dinâmico a ocorrência do fenômeno do “chettering” inviabiliza a aplicação desta estratégia em testes reais. Assim, é proposta a estratégia de controle FSMC, buscando associar o bom resultado dinâmico obtido com o controlador modo deslizante e a supressão do fenômeno do chettering, o que se atinge pela definição de uma camada de chaveamento do tipo Fuzzy. O controlador FSMC proposto é submetido aos mesmos testes computacionais que o controlador PI, conduzindo a resultados superiores a este último no transitório da resposta dinâmica, porém com a presença de erro em regime permanente. Para atacar este problema é implementada uma combinação Fuzzy das estratégias FSMC com a ação de controle PI, onde o primeiro busca atuar em regiões afastadas da superfície de chaveamento e o segundo busca introduzir o efeito da ação integral próximo à superfície. Os resultados obtidos mostram a viabilidade da estratégia em acionamento de velocidade variável que exigem elevado desempenho dinâmico.

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Pós-graduação em Engenharia Mecânica - FEG

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Synthetic-heterodyne demodulation is a useful technique for dynamic displacement and velocity detection in interferometric sensors, as it can provide an output signal that is immune to interferometric drift. With the advent of cost-effective, high-speed real-time signal-processing systems and software, processing of the complex signals encountered in interferometry has become more feasible. In synthetic heterodyne, to obtain the actual dynamic displacement or vibration of the object under test requires knowledge of the interferometer visibility and also the argument of two Bessel functions. In this paper, a method is described for determining the former and setting the Bessel function argument to a set value, which ensures maximum sensitivity. Conventional synthetic-heterodyne demodulation requires the use of two in-phase local oscillators; however, the relative phase of these oscillators relative to the interferometric signal is unknown. It is shown that, by using two additional quadrature local oscillators, a demodulated signal can be obtained that is independent of this phase difference. The experimental interferometer is aMichelson configuration using a visible single-mode laser, whose current is sinusoidally modulated at a frequency of 20 kHz. The detected interferometer output is acquired using a 250 kHz analog-to-digital converter and processed in real time. The system is used to measure the displacement sensitivity frequency response and linearity of a piezoelectric mirror shifter over a range of 500 Hz to 10 kHz. The experimental results show good agreement with two data-obtained independent techniques: the signal coincidence and denominated n-commuted Pernick method.

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Retinal nerve fiber evaluation is important in the diagnosis and management of several diseases of the anterior visual pathway. In this report we review the clinical findings and the current techonologies avalilable to analyse the retinal nerve fiber layer. We furthermore review the main findings in several disease of the anterior visual pathways including inflammatory, ischemic, toxics, hereditary, compressive and traumatic optic neuropathies as well as lesion of the optic chiasm, optic tract and lateral geniculate body.

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III-nitride materials are very promising for high speed electronics/optical applications but still suffer in performance due to problems during high quality epitaxial growth, evolution of dislocation and defects, less understanding of fundamental physics of materials/processing of devices etc. This thesis mainly focus on GaN based heterostructures to understand the metal-semiconductor interface properties, 2DE(H)G influence on electrical and optical properties, and deep level states in GaN and InAlN, InGaN materials. The detailed electrical characterizations have been employed on Schottky diodes at GaN and InAl(Ga)N/GaN heterostructures in order to understand the metal-semiconductor interface related properties in these materials. I have observed the occurrence of Schottky barrier inhomogenity, role of dislocations in terms of leakage and creating electrically active defect states within energy gap of materials. Deep level transient spectroscopy method is employed on GaN, InAlN and InGaN materials and several defect levels have been observed related to majority and minority carriers. In fact, some defects have been found common in characteristics in ternary layers and GaN layer which indicates that those defect levels are from similar origin, most probably due to Ga/N vacancy in GaN/heterostructures. The role of structural defects, roughness has been extensively understood in terms of enhancing the reverse leakage current, suppressing the mobility in InAlN/AlN/GaN based high electron mobility transistor (HEMT) structures which are identified as key issues for GaN technology. Optical spectroscopy methods have been employed to understand materials quality, sub band and defect related transitions and compared with electrical characterizations. The observation of 2DEG sub band related absorption/emission in optical spectra have been identified and proposed for first time in nitride based polar heterostructures, which is well supported with simulation results. In addition, metal-semiconductor-metal (MSM)-InAl(Ga)N/GaN based photodetector structures have been fabricated and proposed for achieving high efficient optoelectronics devices in future.