1 x 4 Ge-on-SOI PIN Photodetector Array for Parallel Optical Interconnects

High-quality Ge film was epitaxially grown on silicon on insulator using the ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. In this paper, we demonstrated that the efficient 1 4 germanium-on-silicon p-i-n photodetector arrays with 1.0 mu m Ge film had a responsivity as high as 0.65 A/W at 1.31 mu m and 0.32 A/W at 1.55 mu m, respectively. The dark current density was about 0.75 mA/cm(2) at 0 V and 13.9 mA/cm(2) at 1.0 V reverse bias. The detectors with a diameter of 25 mu m were measured at 1550 nm incident light under 0 V bias, and the result showed that the 3-dB bandwidth is 2.48 GHz. At a reverse bias of 3 V, the bandwidth is about 13.3 GHz. The four devices showed a good consistency.

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮萃取~(46)Sc的研究

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)做萃取剂,氯仿和环己烷为稀释剂,观察了在HCl溶液46Sc的溶剂萃取行为。实验结果表明,从10-3~10-2mol/L的HCl溶液中用PMBP-氯仿(或环己烷)能有效地萃取46Sc,萃取率可达95%以上。另外,对PMBP从HCl溶液中萃取46Sc和234Th的结果也做了比较,结果表明,通过控制水溶液中HCl的浓度,能实现234Th与46Sc的分离。

1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮和磷酸三丁脂协同萃取镭的研究

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)为萃取剂,苯为稀释剂,从pH5的水相中萃取船224Ra,发现224Ra的萃取效率非常低。若往PMBP中加入少量的磷酸三丁脂(TBP),则会极大地提高镭的萃取效率,这说明TBP对PMBP萃取镭有显著的协同萃取效应。完成了萃取时间和反萃时间对224Ra萃取效率的影响以及224Ra萃取效率与TBP量之间的依赖关系等条件实验。

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮从硝酸介质中萃取钪

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)做萃取剂研究了从HNO_3介质中痕量钪的溶剂萃取行为。发现在很低的酸度下,PMBP几乎可以定量地萃取痕量的钪。同时,也讨论了用PMBP从~(18)O离子辐照过的铀靶溶液中萃取分离钍时钪的沾污。

1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)萃取钍流程的改进

在用PMBP(1 苯基 3 甲基 4 苯甲酰基 5 吡唑啉酮 )从 14MeV中子照射过的天然U靶溶液中萃取Th流程的基础上 ,将萃取介质改为HNO3溶液 ,并将单次萃取 反萃改为两次萃取 反萃 ;在反萃溶液中加入I- 载体和NaNO2溶液 ,在Fe(OH) 3沉淀溶液中加入Br- 载体。用改进后的流程从 6 0MeV/u18O离子轰击天然U的HNO3溶液中分离Th ,从制得的Th样品的γ射线谱可以看出 ,该流程能去除绝大部分产物元素 ,特别是能完全去除溴和碘

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮从硝酸中萃取痕量钍

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)为萃取剂,~(234)Th作示踪剂,完成了在硝酸介质中痕量钍溶剂萃取行为的研究。在~(234)Th萃取效率与酸度、萃取剂浓度、平衡时间等依赖关系的条件实验的基础上,获得了萃取钍的最佳条件。使用改进的PMBP萃取钍的流程,从~(18)O离子辐照过的铀靶中分离钍,钍样品的γ射线单谱显示绝大部分反应产物和大量铀的去除是满意的。

1,2,4-三氯苯胁迫对大豆下胚轴膜脂过氧化的影响

以盆栽法研究了不同浓度1,2,4-三氯苯(TCB)胁迫对大豆下胚轴膜脂过氧化作用的影响。结果表明,100—300μg·g-1TCB胁迫初期(1—3d)促使萌发大豆下胚轴内过氧化氢(H2O2)的积累显著增加,同时伴随质膜电解质渗漏率和组织自动氧化速率升高,显示发生膜脂质过氧化作用。TCB胁迫1—6d使活性氧清除酶功能紊乱,其中过氧化物酶(POD)活性升高,过氧化氢酶(CAT)活性开始上升后转为下降。推测大豆下胚轴受TCB胁迫伤害过程中,活性氧代谢失衡造成的膜脂质过氧化起着重要作用。