Characterization of stress induced in SOS and Si/gamma-Al2O3/Si heteroepitaxial thin films by Raman spectroscopy

Raman spectroscopy technique has been performed to investigate the stress induced in as-grown silicon-on-sapphire (SOS), solid-phase-epitaxy (SPE) re-grown SOS, and Si/gamma-Al2O3/Si double-heteroepitaxial thin films. It was demonstrated that the residual stress in SOS film, arising from mismatch and difference of thermal expansion coefficient between silicon and sapphire, was reduced efficiently by SPE process, and that the stress in Si/gamma-Al2O3/Si thin film is much smaller than that of as-grown SOS and SPE upgraded SOS films. The stress decrease for double heteroepitaxial film Si/gamma-Al2O3/Si mainly arises from the smaller lattice mismatching of 2.4% between silicon top layer and the gamma-Al2O3/Si epitaxiial composite substrate, comparing with the large lattice mismatch of 13% for SOS films. It indicated that gamma-Al2O3/Si as a silicon-based epitaxial substrate benefits for reducing the residual stress for further growth of silicon layer, compared with on bulk sapphire substrate. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

The cost estimate for a novel cheap solar cell

The estimate for the lowest cost of SODL (silicon on defect layer) solar cell is made according to the price standard of present market. The estimate shows that the PV (photovoltaics) energy costs can be reduced from today's 25-30 cents/(kW h) to 7-8 cents/(kW h) which is comparable with the present cost of electricity generated by traditional energy sources such as fossil and petroleum fuels. The PV energy costs could be reduced to a value lower than 7-8 cents(kW h) by developing SODL technology. The SODL solar cell manufacture featuring simple processes is suitable to large scale automated assembly lines with high yield of large area cells. Some new ideas are suggested, favoring the further reduction in the cost of commercial solar cells.

JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects

A process for fabricating n channel JFET/SOS (junction field-effect transistors on silicon-on-sapphire) has been researched. The gate p(+)n junction was obtained by diffusion, and the conductive channel was gotten by a double ion implantation. Both enhancement and depletion mode transistors were fabricated in different processing conditions. From the results of the Co-50 gamma ray irradiation experimental we found that the devices had a good total dose radiation-hardness. When the tot;ll dose was 5Mrad(Si), their threshold voltages shift was less than 0.1V. The variation of transconductance and the channel leakage current were also little.

Adubação foliar com silício na cultura do milho

Inúmeros trabalhos têm demonstrado o efeito benéfico da adubação com silício sobre o acréscimo da produção de diversas culturas, como, por exemplo, arroz, cana-de-açúcar e batata. No entanto, são escassas as informações sobre os benefícios nutricionais do silício para a cultura do milho. Desta maneira, objetivou-se, neste estudo, avaliar o efeito de doses e épocas de aplicação de silício, via foliar, nas características agronômicas e na produtividade do milho, cultivado no ano agrícola 2007/2008. O delineamento experimental adotado foi o de blocos casualizados, em esquema fatorial (4 x 3) + 1, com quatro repetições, envolvendo doses de silício (130, 260, 390 e 520 g ha-1 de Si) aplicadas via foliar, épocas de aplicação (2, 5 e 8 folhas expandidas) e uma testemunha (sem aplicação de Si). As variáveis analisadas foram altura das plantas e a inserção da primeira espiga, diâmetro de colmo, índice de clorofila foliar, teor foliar de silício, número de grãos por espiga, massa de 100 grãos e produtividade de grãos. O silício aplicado via foliar influenciou somente o teor foliar de Si.

Silício como indutor de resistência no controle do tripes do prateamento Enneothrips flavens Moulton, 1941 (Thysanoptera: Thripidae) e seus reflexos na produtividade do amendoinzeiro

O tripes do prateamento, Enneothrips flavens Moulton, 1941, é considerado a principal praga do amendoim no Brasil, por sua ocorrência generalizada, pelos elevados níveis populacionais e pelos danos causados a cultura. Objetivou-se, com este trabalho, avaliar o efeito do silício sobre a população de E. flavens e sobre a produtividade do amendoinzeiro. Avaliaram-se, semanalmente, 10 folíolos abertos ou semi-abertos no terço superior das plantas do cultivar IAC 886, por parcela. Os tratamentos foram constituídos por: uma aplicação foliar de silício realizada aos 20 dias após a emergência, duas aplicações foliares de silício realizadas aos 20 e 55 dias, e o controle. Uma aplicação de silício proporcionou proteção às plantas de amendoim, reduzindo o número de adultos e ninfas do tripes de E. flavens e aumentou a produtividade da cultura em 31,30% de amendoim em casca e 28,85% em grãos.

Silício na tolerância ao alumínio por plantas de arroz

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Efeito das concentrações de nitrogênio e silício em plantas de milho e de trigo sob cultivo hidropônico

Pós-graduação em Agronomia (Produção Vegetal) - FCAV

Efeito do silício aplicado no solo e em pulverização foliar na incidência da lagarta do cartucho na cultura do milho

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Genótipos de feijoeiro, silício e nim no controle de Bemisia tabaci (Gennadius, 1889) biótipo B (Hemiptera: Aleyrodidae)

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Calacarus heveae Feres (Eriophyidae) e Tenuipalpus heveae Baker (Tenuipalpidae) em seringueira: planos de amostragem, efeito da adubação silicatada no desenvolvimento populacional e validação de escala de notas para avaliação do desfolhamento

Pós-graduação em Agronomia - FEIS

Acúmulo de massa seca na soja em resposta a aplicação foliar com silício sob condições de déficit hídrico

The foliar fertilization with silicon has promoted several actions beneficial to plants, among them is greater drought tolerance, however, for the soybean, there is little information on these benefits in this condition. Thus, the aim of this study was to evaluate the effect of silicon on leaf, the dry matter accumulation of soybean in their reproductive stages, where the crop water stress suffered during the same. The experiment was carried out at the Plant Science Unit Aquidauana University - State University of Mato Grosso do Sul. The statistical design was a randomized block split plot with four replications. The plots were represented by cultivar 5DR615, the subplots consisted of the application (with or without) silicon, whose source was used KSi. Was measured the height and identified the development stage of all plants, separating them into stem + branches, leaves + petioles, pods capsules and seed. Foliar applications of silicon increased dry matter accumulation during the reproductive stage of soybean, where the highest values occurred in the R6 stage. Under conditions of water deficit, foliar application of silicon on soybean provided normal plant development, generating greater dry mass of stem + branches, leaves + petioles, pods capsules and seeds throughout their reproductive phase, with the highest values obtained at R6 stage (35 days after R2).

Silício e amônio na nutrição e no crescimento de brássicas

Pós-graduação em Agronomia (Produção Vegetal) - FCAV

Repensando o sentido formativo da atividade filosófica à luz do “Trabalho sobre si-mesmo” de Wittgenstein: se filosofar é trabalhar sobre si, o que se trabalha quando se filosofa?

Pós-graduação em Educação - FFC