991 resultados para Muntaner, Ramon, 1265-1336


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以椭圆形和正方形介质柱组成的二维正方晶格为例,讨论了格点形状和取向变化时对光子晶体能带的影响,对比分析了波矢在周期性平面和不在周期性平面2种情况下的能带图.计算表明:格点形状和取向的适当变化可以使没有完全带隙的光子晶体出现完全带隙,低阶的完全带隙转变成高阶完全带隙.此外,经对比发现:波矢偏离周期性平面对椭圆形介质柱的正方晶格形成的完全带隙的影响,要比正方形介质柱正方晶格的完全带隙的影响要大得多.

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详细描述了基于FPGA方案的数字电源调节器。首先介绍了数字调节器的硬件功能模块设计,重点对用于采样电源输出电流的高速高精度AD7634的工作原理做了描述,并给出了AD7634采集一个电压信号的工作波形;其次介绍了数字调节器的软件设计,包括调节器算法、功能以及在FPGA内的实现方法;最后,以一台15 A/15 V校正磁铁电源为样机,进行了闭环调节实验,给出了测试结果。

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结瘤固氮树种叶部主要养分迁移特征何兴元张成刚杨思河苏道岩张粤刘惠昌(中国科学院沈阳应用生态研究所,110015)TransportCharacteristicsofMainNutrientsintheLeavesofNodulatedandNitro...

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通过对陕北黄土高原可持续发展评价指标体系和方法的初步研究 ,设计出了包括 1个高级综合指标——可持续发展综合指数、人口状况等 5个基本指标和人口自然增长率等 30个元素指标的层次性指标体系结构框架 ,熵技术支持下确定可持续发展指标权重的层次分析法 ,以及由递阶多层次综合评价、主成份分析和回归分析等数学方法所集成的可持续发展全面综合评价模型 ,并依次对该地区可持续发展现状及趋势进行了全面分析评价

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BiSrMn2O6 is prepared by solid state reaction at 850 degrees C. It is tetragonal with a= 0.7821nm c= 0.3790 nm. It is a black n-type semiconductor below 820K. Its resistivity is 3 Omega-CM at room temperature. A semiconductor -metal transition is observed around 820K, Bi1+xSr1-xMn2O6-y is a solid solution for -0.2 less than or equal to x less than or equal to 0.2. Its unit cell dimensions increase but resistivity decreases when the Bi contents increase.

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报道了钐β-丙氨酸配合物单晶的制备,并用元素分析、热分析、红外光谱和量子化学计算方法研究了该配合物的组成、性质、化学键特点及其电子结构.