Generación de energía eléctrica: estudio de posibilidades de fabricación local de equipos

Incluye Bibliografía

Evaluación de la demanda de maquinaria y equipo para la generación, transmisión y transformación eléctrica en América Latina

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Demanda latinoamericana de equipos y materiales en el sector de la distribución de energía eléctrica, 1986-1990

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Estrategia de autoabastecimiento de energía eléctrica en empresas de la cadena de fibras sintéticas ropa deportiva de El Salvador

En el diagnóstico de la cadena de fibras sintéticas-ropa deportiva, realizado por la Comisión Económica para América Latina y el Caribe (CEPAL) en 2013, se identificó como una de las principales restricciones sistémicas al precio de la energía eléctrica. Para enfrentar dicha restricción, la CEPAL propuso como estrategia la implementación de proyectos de autoabastecimiento de energía eléctrica. De esta manera, en el presente estudio se realizó un análisis de la prefactibilidad para la puesta en marcha de este tipo de proyectos en nueve empresas que integran los eslabones de hilado, tejido y confección de la cadena.

Análisis general de las externalidades ambientales derivadas de la utilización de combustibles fósiles en la industria eléctrica centroamericana

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Análisis de opciones para incrementar las transacciones de energía eléctrica por la interconexión México- Guatemala-Centroamérica

En este documento se presenta un análisis de la situación de compraventa de energía eléctrica entre México y Centroamérica, considerando sus aspectos legales, económicos y técnicos.

Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros

[ES] Los transistores más rápidos se consiguen gracias al crecimiento de diferentes semiconductores apilados. Entre los semiconductores es posible confinar una elevada concentración de electrones de alta movilidad, dando lugar a transistores con gran velocidad de respuesta. Cuando se emplea el sistema AlGaN/GaN, los enlaces interatómicos poseen un elevado carácter iónico. Estos iones generan intensos campos eléctricos internos, que inducen entre el AlGaN y el GaN una concentración de electrones de 1013 cm-2, un orden de magnitud superior a la alcanzada con otras estructuras típicas (AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/GaAs, GaInP/InGaAs/GaAs, etc.). En este artículo se expone un análisis de los aspectos fundamentales relacionados con la distribución de los electrones bajo la puerta de los transistores basados en nitruros.