微晶玻璃在大功率脉冲氙灯封接中的应用

：为提高大功率脉冲氙灯的封接强度，将微晶玻璃作为封接材料引入到氙灯封接应用中. 以 Bi2O3,ZnO,Al2O3,MgO,CaCO3,SiO2,BaO,H3BO3,P2O5,Na2O 为原料，通过高温熔融制备了大功率脉冲氙灯封接 用微晶玻璃样品. 测试了样品的热膨胀系数,并通过差热分析(Differential Thermal Analysis，DTA)对脉冲氙灯 微晶玻璃的封接温度进行了讨论，用X 射线衍射(X-ray diffraction ，XRD)表征了封接玻璃，并进行了分析. 将 制得的样品磨成玻璃粉末，制成膏剂状玻璃焊料，对大功率脉冲氙灯进行封接，得到大功率脉冲氙灯的微晶 玻璃封接件. 通过氦质谱检漏仪检测，1#、2#、4#封接件气密性良好，达到10-6 Pa.

Photoreduction of Ag+ in aluminoborate glasses induced by irradiation of a femtosecond laser

We report on photoreduction of Ag+ in aluminoborate glasses induced by irradiation of a femtosecond laser. Novel fluorescence was observed in the femtosecond laser irradiated glass when excited by a 365 nm ultraviolet lamp. Optical absorption, emission, and electron spin resonance spectra of the glass samples demonstrated that after the laser irradiation, portions of silver ions near the focused part of the laser beam inside the glass were reduced to silver atoms, which resulted in the formation of the characteristic fluorescence. The observed phenomenon may have promising applications in the fabrication of functional optical devices.

Estudo do reparo das lesões induzidas no DNA de Escherichia coli pela radiação ultravioleta C (UVC)

Didaticamente, podemos dividir o espectro da radiação ultravioleta (UV) em três faixas: UVA (400 a 320 nm), UVB (320 a 290 nm) e UVC (290 a 100 nm). Apesar do UVC ou UV-curto ser eficientemente filtrado pela camada de ozônio da Terra e sua atmosfera, este é uma das faixas do espectro de UV mais usadas para explorar as consequências de danos causados ao DNA, já que a letalidade induzida por este agente está relacionada aos danos diretos no genoma celular, como as lesões dímero de pirimidina, que são letais se não reparadas. Contudo, demonstrou-se que a radiação UVC pode gerar espécies reativas de oxigênio (ERO), como o oxigênio singleto (1O2). Embora, o radical hidroxil (OH) cause modificações oxidativas nas bases de DNA, alguns trabalhos indicam que o 1O2 também está envolvido nos danos oxidativos no DNA. Esta ERO é produzida por vários sistemas biológicos e reações fotossensibilização, quando cromóforos são expostos à luz visível ou são excitados pela luz UV, permitindo que essa energia possa ser transferida para o oxigênio sendo convertido em 1O2, que é conhecido por modificar resíduos de guanina, gerando 8-oxoG, que caso não seja reparada pode gerar uma transversão GC-TA. O objetivo deste trabalho foi o de elucidar a participação de ERO nos efeitos genotóxicos e mutagênicos gerados pela radiação UVC, assim como as enzimas envolvidas no processo de reparação destas lesões em células de Escherichia coli. Nos ensaios as culturas foram irradiadas com o UVC (254 nm; 15W General Electric G15T8 germicidal lamp, USA). Nossos resultados mostram que o uso de quelantes de ferro não alterou a letalidade induzida pelo UVC. A azida sódica, um captador de 1O2, protegeu as cepas contra os danos genotóxicos gerados pelo UVC e também diminuiu a frequência de mutações induzidas no teste com rifampicina. A reversão específica GC-TA foi induzida mais de 2,5 vezes no ensaio de mutagênese. A cepa deficiente na proteína de reparo Fpg, enzima que corrige a lesão 8-oxoG, apresentou menos quebras no DNA do que a cepa selvagem no ensaio de eletroforese alcalina. A letalidade induzida pelo UVC foi aumentada nos mutantes transformados com o plasmídeo pFPG, ao mesmo tempo que representou uma redução na indução mutagênica. Houve dimuição na eficiência de transformação com plasmídeo pUC 9.1 na cepa fpg quando comparado a cepa selvagem. Assim como, um aumento da sensibilidade ao UVC na associação entre mutantes fpg e uvrA. Estes resultados mostram que o 1O2 participa dos danos induzidos pelo UVC, através da geração da lesão 8-oxoG, uma lesão mutagênica, que é reparada pela proteína Fpg

Sínteses e caracterizações de TiO2 puro, dopado e co-dopado pelo método sol-gel e suas atividades fotocatalíticas

Nanopartículas de dióxido de titânio vêm sendo extensamente empregadas como fotocatalisa-dores, já que são eficientes na degradação de diversos poluentes. Visando a obtenção de titâ-nias com diferentes propriedades, realizaram-se sínteses através do método sol-gel, a partir da hidrólise do tetraisopropóxido de titânio (IV) TIPP e seguindo-se os princípios da Química Verde, dispensando-se temperaturas e pressões elevadas. Foi estudada a influência de dife-rentes parâmetros, como: pH, solvente, razão molar álcool/TIPP e ordem de adição dos rea-gentes. Foram obtidas titânias na forma cristalina anatásio, nanométricas, com elevadas áreas superficiais específicas e predominantemente mesoporosas. Visando-se obter titânias com melhores propriedades óticas, isto é, capazes de sofrer a fotoativação pela luz visível, foram sintetizadas titânias dopadas e co-dopadas com os metais ferro e rutênio (Fe3+ e Ru3+) e o a-metal N (N3). A síntese desses materiais também foi realizada através do método sol-gel, sendo a dopagem realizada durante o processo de hidrólise. As amostras foram caracterizadas na forma de pó por difração de raios-X, adsorção-dessorção de nitrogênio, microscopia ele-trônica de varredura e espectroscopia de refletância difusa no UV-Visível. A titânia pura a-presentou como única fase cristalina o anatásio, quando calcinada até 400 C, com a presença de traços de brookita. A partir de 600 C, observou-se o aparecimento da fase rutilo, que em 900C foi a única fase encontrada na titânia. A dopagem com Ru3+dificultou a transformação de fase anatásio para rutilo, ao contrário da dopagem com Fe3+. O processo de co-dopagem acelerou a formação de rutilo, que se apresentou como única fase nas amostras calcinadas a 600 C. As titânias dopadas apresentaram uma leve diminuição na energia de bandgap, sendo os dopantes capazes de deslocar a absorção para o vermelho. Foram realizados testes fotoca-talíticos visando à degradação do azocorante Reactive Yellow 145 com lâmpada de vapor de mercúrio de 125 W a fim de se comparar as atividades fotocatalíticas das titânias puras, dopa-das e co-dopadas, calcinadas a 300C. De todas as titânias sintetizadas, a titânia pura foi a que melhor degradou o corante, tendo um desempenho semelhante ao do TiO2 P25, da Evo-nik

PHOTOENHANCED DEPOSITION OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON THIN FILMS.

This paper will review the different U. V. lamp photo-CVD (Chemical Vapor Deposition) techniques which have been utilized for the production of highly photoconductive hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films. Most of these require the transmission of U. V. light through a window into the reaction vessel; leading to unwanted U. V. light absorption by the window and the a-Si:H film which tends to form on its inner surface. A deposition system developed in our laboratory will also be described, which circumvents these problems by incorporating a windowless discharge lamp into the reaction vessel.

Influence of voltage and frequency dimming on power losses in HF electronic ballasts for compact fluorescent lamps

Compact Fluorescent Lamps (CFL) incorporating electronic ballasts are widely used in lighting. In many cases the ability to dim the lamp is a requirement Dimming can be achieved by varying the voltage supplied to the inverter or by changing the switching frequency of the inverter. The effect of dimming by both approaches on the power losses in the inverter is studied in this work. The lamp and associated inverter has been modeled in PSPICE, using a behavioral model for the CFL. Predicted losses are in good agreement with experimental data obtained from calorimetry. The model was then used to determine the distribution of losses within the inverter, enabling a comparison of the effects of the two dimming methods to be made. © 2006 IEEE.

Millisecond processing beyond chip technology: From electronics to photonics

There is a clear and increasing interest in short time annealing processing far below one second, i.e. the lower limit of Rapid Thermal Processing (RTP) called spike annealing. This was driven by the need of suppressing the so-called Transient Enhanced Diffusion in advanced boronimplanted shallow pn-junctions in silicon technology. Meanwhile the interest in flash lamp annealing (FLA) in the millisecond range spread out into other fields related to silicon technology and beyond. This paper reports on recent experiments regarding shallow junction engineering in germanium, annealing of ITO layers on glass and plastic foil to form an conductive layer as well as investigations which we did during the last years in the field of wide band gap semiconductor materials (SiC, ZnO). A more common feature evolving from our work was related to the modeling of wafer stress during millisecond thermal processing with flash lamps. Finally recent achievements in the field of silicon-based light emission basing on Metal-Oxide-Semiconductor Light Emitting Devices will be reported. © 2007 IEEE.