Quaderno de las leyes y agravios reparados a suplicacion de los tres estados del Reyno de Navarra en sus Cortes Generales celebradas en la ciudad de Pamplona los años 1765 y 1766 por la Magestad del Señor Rey don Carlos VI de Navarra y III de Castilla...

Escudo xilográfico en la portada.

Anales eclesiásticos y seculares de la muy noble y muy leal ciudad de Sevilla, metrópoli de la Andalucia, que contienen sus mas principales memorias desde el año de 1246, en que emprendió conquistarla del poder de los Moros el gloriosísimo Rey S. Fernando III de Castilla y Leon, hasta el de 1671 en que la Católica Iglesia le concedió el culto y titulo de Bienaventurado /

Spine title: Anales de Sevilla.

Memorias de las Reynas Catholicas de España : historia genealogica de la casa real de Castilla y de Leon, todos los infantes, trages de las reynas en estampas y nuevo aspecto de la historia de España.

Aguilar Piñal

Memorias de las Reynas Catholicas de España : historia genealogica de la casa real de Castilla y de Leon, todos los infantes, trages de las reynas en estampas y nuevo aspecto de la historia de España.

Aguilar Piñal 4153 (Los dos vol. de la obra)

Coronica de los señores reyes de Castilla, don Sancho el Deseado, don Alonso el Octauo y don Enrique el Primero : en que se refiere todo lo sucedido en los Reynos de España desde el año de mil ciento y treinta y seis, hasta el de mil y ducientos y diez y siete ... : dase noticia de diferentes familias, y ilustres varones que florecieron en estos años ... /

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Acerca del Troço de la corónica del rey don Enrique el Doliente del manuscrito BNM 1530

Resumen: A raíz del descubrimiento de un testimonio desconocido perteneciente a la tradición de la Refundición del Sumario del Despensero, en ff. 238v-239v del manuscrito Biblioteca Nacional de España 15530 (BETA manid 4978), la ponencia se propone indagar el procedimiento fragmentario de construcción del objeto historiable en las obras historiográficas del siglo XV conocidas como sumarios de crónicas. Del mismo modo, vincula este fragmento con los hechos narrados en el “Magnicidio de Alfaro” (Crónica de Sancho IV) proponiendo su inclusión dentro del tópico “prendimiento de un grande”, el cual encuentra significativos ejemplos en la cronística medieval española.

Las relaciones entre texto y música en la producción del rey Don Denis de Portugal

Integran este número de la revista ponencias presentadas en Studia Hispanica Medievalia VIII: Actas de las IX Jornadas Internacionales de Literatura Española Medieval, 2008, y de Homenaje al Quinto Centenario de Amadis de Gaula.

Corrupción y delitos contra la administración pública especial referencia a los delitos cometidos en la contratación

La corrupción sigue siendo uno de los principales problemas del Estado de Derecho en el siglo XXI. Su incidencia reduce la eficacia de la inversión, aumenta el valor de los bienes y servicios, reduce la competitividad de las empresas, vulnera la confianza de los ciudadanos en el ordenamiento jurídico y sobre todo condena a la miseria a quienes deben ser destinatarios de las políticas públicas.Sin embrago, la lucha que han realizado muchos gobiernos y funcionarios judiciales contra este fenómeno ha modificado sus formas de aparición, pues es cada vez menos frecuente la apropiación directa de los caudales públicos o la entrega de sobornos a los funcionarios, prefiriéndose métodos mucho más sutiles como los sobrecostos, la subcontratación masiva o la constitución de complicadas sociedades, en las cuales tienen participación los funcionarios públicos o sus familias.Este libro constituye un esfuerzo por el estudio jurídico y criminológico de la corrupción y los delitos contra la administración pública en Europa y Latinoamérica y reúne la selección de los temas penales más relevantes de la tesis doctoral del profesor Carlos Guillermo Castro Cuenca, denominada Aproximación a la Corrupción en la contratación pública y defendida en la universidad de Salamanca en febrero de 2008, con lo cual obtuvo la calificación de sobresaliente por unanimidad.

Adios al campo : el éxodo rural de Castilla y León en el cine español : parte III (la emigración a Europa, 1957-1975).

El éxodo rural sirve de eje conductor a este trabajo a través del cual estudiamos la Historia del siglo XX en Castilla y León, sin perder de vista el contexto español en general. Se trata de una propuesta didáctica que se articula entorno al uso de diversos medios audiovisuales en el aula y centra su atención de modo especial en el Cine Español. El Cine Españo se contempla en este trabajo como fuente de conocimiento histórico en general, y en cuanto a los aspectos aqui estudiados, como instrumento de primer orden para profundizar en la Historia castellano-leonesa.Siguiendo nuestra línea de trabajo, desarrollada en las partes I y II, ahora nos ocupamos de un aspecto del éxodo con personalidad propia,tanto por los contingentes humanos que desplaza como por su dirección:Europa,y que incide además en un período especialmente significativo de la reciente Historia española, la década de los sesenta y los años que la siguen ofrecen tantas posibilidades de estudio e investigación en el ámbito del éxodo rural castellano-leonés que merecen un estudio a parte con independencia de la corriente migratoria hacia Europa, tratada en esta ocasión.A esos aspectos nos dedicaremos en la parte IV..

El centro 'Enrique Tierno Galván' de Arganda del Rey.

Se hace una presentación del centro de Educación de Personas Adultas (EPA) Enrique Tierno Galván de Arganda del Rey. Para ello se hace una descripción sociológica de Arganda del Rey y de su entorno, se narra la trayectoria del centro, y la propuesta de implantación de Educación Secundaria para Personas Adultas (ESPA) en dicha localidad. A su vez se presenta el trabajo previo a la implantación del proyecto en esta población y su implantación de facto en los cursos 1993-1994 y 1994-1995. Finalmente se hace un análisis general de todo el alumnado de los grupos de ESPA, sus expectativas sobre el proyecto ESPA y se tienen en cuenta aspectos curriculares sobre la organización y administración del centro de EPA Enrique Tierno Galván.

Si(100) versus Ge(100): Watching the interface formation for the growth of III-V-based solar cells on abundant substrates

We investigated the atomic surface properties of differently prepared silicon and germanium (100) surfaces during metal-organic vapour phase epitaxy/chemical vapour deposition (MOVPE/MOCVD), in particular the impact of the MOVPE ambient, and applied reflectance anisotropy/difference spectroscopy (RAS/RDS) in our MOVPE reactor to in-situ watch and control the preparation on the atomic length scale for subsequent III-V-nucleation. The technological interest in the predominant opto-electronic properties of III-V-compounds drives the research for their heteroepitaxial integration on more abundant and cheaper standard substrates such as Si(100) or Ge(100). In these cases, a general task must be accomplished successfully, i.e. the growth of polar materials on non-polar substrates and, beyond that, very specific variations such as the individual interface formation and the atomic step structure, have to be controlled. Above all, the method of choice to grow industrial relevant high-performance device structures is MOVPE, not normally compatible with surface and interface sensitive characterization tools, which are commonly based on ultrahigh vacuum (UHV) ambients. A dedicated sample transfer system from MOVPE environment to UHV enabled us to benchmark the optical in-situ spectra with results from various surfaces science instruments without considering disruptive contaminants. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) provided direct observation of different terminations such as arsenic and phosphorous and verified oxide removal under various specific process parameters. Absorption lines in Fourier-transform infrared (FTIR) spectra were used to identify specific stretch modes of coupled hydrides and the polarization dependence of the anti-symmetric stretch modes distinguished different dimer orientations. Scanning tunnelling microscopy (STM) studied the atomic arrangement of dimers and steps and tip-induced H-desorption proved the saturation of dangling bonds after preparati- n. In-situ RAS was employed to display details transiently such as the presence of H on the surface at lower temperatures (T <; 800°C) and the absence of Si-H bonds at elevated annealing temperature and also surface terminations. Ge buffer growth by the use of GeH4 enables the preparation of smooth surfaces and leads to a more pronounced amplitude of the features in the spectra which indicates improvements of the surface quality.

XPS as Characterization Tool for PV: From the Substrate to Complete III-V Multijunction Solar Cells

This contribution aims to illustrate the potential of the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) technique as a tool to analyze different parts of a solar cell (surface state, heterointerfaces, profile composition of ohmic contacts, etc). Here, the analysis is specifically applied to III-V multijunction solar cells used in concentrator systems. The information provided from such XPS analysis has helped to understand the physico-chemical nature of these surfaces and interfaces, and thus has guided the technological process in order to improve the solar cell performance.

In situ control of Si(100) and Ge(100) surface preparation for the heteroepitaxy of III-V solar cell architectures

Si(100) and Ge(100) substrates essential for subsequent III-V integration were studied in the hydrogen ambient of a metalorganic vapor phase epitaxy reactor. Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) enabled us to distinguish characteristic configurations of vicinal Si(100) in situ: covered with oxide, cleaned by thermal removing in H2, and terminated with monohydrides when cooling in H2 ambient. RAS measurements during cooling in H2 ambient after the oxide removal process revealed a transition from the clean to the monohydride terminated Si(100) surface dependent on process temperature. For vicinal Ge(100) we observed a characteristic RA spectrum after annealing and cooling in H2 ambient. According to results from X-ray photo electron spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy the spectrum corresponds to the monohydride terminated Ge(100) surface.

In-situ and Ex-situ characterization of III-V semiconductor materials and solar cells upon 10 MEV proton irradiation

In this work we present the results and analysis of a 10 MeV proton irradiation experiment performed on III-V semiconductor materials and solar cells. A set of representative devices including lattice-matched InGaP/GaInAs/Ge triple junction solar cells and single junction GaAs and InGaP component solar cells and a Ge diode were irradiated for different doses. The devices were studied in-situ before and after each exposure at dark and 1 sun AM0 illumination conditions, using a solar simulator connected to the irradiation chamber through a borosilicate glass window. Ex-situ characterization techniques included dark and 1 sun AM0 illumination I-V measurements. Furthermore, numerical simulation of the devices using D-AMPS-1D code together with calculations based on the TRIM software were performed in order to gain physical insight on the experimental results. The experiment also included the proton irradiation of an unprocessed Ge solar cell structure as well as the irradiation of a bare Ge(100) substrate. Ex-situ material characterization, after radioactive deactivation of the samples, includes Raman spectroscopy and spectral reflectivity.

In situ control of the GE(100)surface domain structure for III-V multijunction solar cells

Vicinal Ge(100) is the common substrate for state of the art multi-junction solar cells grown by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). While triple junction solar cells based on Ge(100) present efficiencies mayor que 40%, little is known about the microscopic III-V/Ge(100) nucleation and its interface formation. A suitable Ge(100) surface preparation prior to heteroepitaxy is crucial to achieve low defect densities in the III-V epilayers. Formation of single domain surfaces with double layer steps is required to avoid anti-phase domains in the III-V films. The step formation processes in MOVPE environment strongly depends on the major process parameters such as substrate temperature, H2 partial pressure, group V precursors [1], and reactor conditions. Detailed investigation of these processes on the Ge(100) surface by ultrahigh vacuum (UHV) based standard surface science tools are complicated due to the presence of H2 process gas. However, in situ surface characterization by reflection anisotropy spectroscopy (RAS) allowed us to study the MOVPE preparation of Ge(100) surfaces directly in dependence on the relevant process parameters [2, 3, 4]. A contamination free MOVPE to UHV transfer system [5] enabled correlation of the RA spectra to results from UHV-based surface science tools. In this paper, we established the characteristic RA spectra of vicinal Ge(100) surfaces terminated with monohydrides, arsenic and phosphorous. RAS enabled in situ control of oxide removal, H2 interaction and domain formation during MOVPE preparation.