Microelectrónica y tecnología de la información al servicio del plan

Ya han pasado casi dos años desde que el Plan Nacional de Investigación Científica y Desarrollo Tecnológico iniciara su andadura en el confuso panorama del sistema Ciencia-Tecnología español. Evidentemente, es todavía muy breve este intervalo de tiempo como para poder esbozar cualquier opinión medianamente asentada sobre sus virtudes o sus defectos. A pesar de ello, sí pueden plantearse algunas ligeras ideas de los resultados habidos hasta hoy o de las tendencias que se pueden intuir para un próximo futuro. E incluso, haciendo un alarde de intuición premonitoria, intentar vislumbrar lo que puede proveerse para un mañana un tanto más lejano. Una de las principales virtudes del Plan Nacional, la de su posibilidad de «deslizamiento» de acuerdo con las circunstancias o las necesidades de cada momento, puede permitir el que lo sucedido hasta hoy permita mejorar lo que se planifique para mañana. Y con la experiencia de lo ocurrido en estos dos años, ya hay un cierto material que puede ser estudiado para extraer de él algunas consecuencias.

Entrevista con José María Martín Pereda: "La microelectrónica en España casi no existe"

Desde el pasado mes de diciembre, un catedrático de la Escuela Superior de Ingenieros de Telecomunicación tiene la responsabilidad de confeccionar, desde la Caicyt, el Plan Nacional de Investigación Científica y Desarrollo Tecnológico que prevé la Ley de la Ciencia, recientemente aprobada por el Congreso de los Diputados. Se trata de José Antonio Martín Pereda, que también es, junto a Fernando López, Subdirector General de Industrias Informáticas, representante español en el Programa Esprit. En la siguiente entrevista, Actualidad Electrónica ha hablado con Martín Pereda sobre la viabilidad del Plan, el futuro tecnológico de nuestro país y las oportunidades que se le presentan a España en la segunda fase del Esprit.

Aprendizaje basado en proyectos en Diseño y Construcción de Sistemas Digitales

Duración (en horas): Más de 50 horas. Destinatario: Estudiante y Docente

Microstructure design of Titanate-based electroceramics

Electrocerâmicos são uma classe de materiais avançados com propriedades eléctricas valiosas para aplicações. Estas propriedades são geralmente muito dependentes da microestrutura dos materiais. Portanto, o objectivo geral deste trabalho é investigar o desenho da resposta dieléctrica de filmes espessos obtidos por Deposição Electroforética (EPD) e cerâmicos monolíticos, através do controlo da evolução da microestrutura durante a sinterização de electrocerâmicos à base de titanatos. Aplicações sem fios na indústria microelectrónica e de comunicações, em rápido crescimento, tornaram-se um importante mercado para os fabricantes de semicondutores. Devido à constante necessidade de miniaturização, redução de custos e maior funcionalidade e integração, a tecnologia de filmes espessos está a tornar-se uma abordagem de processamento de materiais funcionais cada vez mais importante. Uma técnica adequada neste contexto é EPD. Os filmes espessos resultantes necessitam de um passo subsequente de sinterização que é afectada pelo substrato subjacente, tendo este um forte efeito sobre a evolução da microestrutura. Relacionado com a miniaturização e a discriminação do sinal, materiais dieléctricos usados como componentes operando a frequências das microondas em aplicações na industria microelectrónica de comunicações devem apresentar baixas perdas dieléctricas e elevadas permitividade dieléctrica e estabilidade com a temperatura. Materiais do sistema BaO-Ln2O3- TiO2 (BLnT: Ln = La ou Nd), como BaLa4Ti4O15 (BLT) e Ba4.5Nd9Ti18O54 (BNT), cumprem esses requisitos e são interessantes para aplicações, por exemplo, em estações de base para comunicações móveis ou em ressonadores para telefones móveis, onde a miniaturização dos dispositivos é muito importante. Por sua vez, o titanato de estrôncio (SrTiO3, STO) é um ferroeléctrico incipiente com constante dieléctrica elevada e baixas perdas, que encontra aplicação em, por exemplo, condensadores de camada interna, tirando partido de fronteiras de grão altamente resistivas. A dependência da permitividade dieléctrica do campo eléctrico aplicado torna este material muito interessante para aplicações em dispositivos de microondas sintonizáveis. Materiais à base de STO são também interessantes para aplicações termoeléctricas, que podem contribuir para a redução da actual dependência de combustíveis fósseis por meio da geração de energia a partir de calor desaproveitado. No entanto, as mesmas fronteiras de grão resistivas são um obstáculo relativamente à eficiência do STO para aplicações termoeléctricas. Para além do efeito do substrato durante a sinterização constrangida, outros factores, como a presença de fase líquida, a não-estequiometria ou a temperatura de sinterização, afectam significativamente não apenas a microestrutura dos materiais funcionais, mas também a sua resposta dieléctrica. Se adequadamente compreendidos, estes factores podem ser intencionalmente usados para desenhar a microestrutura dos electrocerâmicos e, desta forma, as suas propriedades dieléctricas. O efeito da não-estequiometria (razão Sr/Ti 0.995-1.02) no crescimento de grão e resposta dieléctrica de cerâmicos de STO foi investigado neste trabalho. A mobilidade das fronteiras de grão aumenta com a diminuição da razão Sr/Ti. A resistividade do interior dos grãos e das fronteiras de grão é sistematicamente diminuída em amostras não-estequiométricas de STO, em comparação com o material estequiométrico. O efeito é muito mais forte para as fronteiras de grão do que para o seu interior. Dependências sistemáticas da não-estequiometria foram também observadas relativamente à dependência da condutividade da temperatura (muito mais afectada no caso da contribuição das fronteiras de grão), à capacitância do interior e fronteiras de grão e à espessura das fronteiras de grão. Uma anomalia no crescimento de grão em cerâmicos de STO ricos em Ti foi também observada e sistematicamente analisada. Foram detectadas três descontinuidades na dependência do tipo Arrhenius do crescimento de grão relativamente à temperatura com diminuições no tamanho de grão a temperaturas em torno de 1500, 1550 e 1605 °C. Além disso, descontinuidades semelhantes foram também observadas na dependência da energia de activação relativamente à condutividade das fronteiras de grão e na espessura das fronteiras de grão, avaliadas por Espectroscopia de Impedância. Estas notáveis coincidências suportam fortemente a formação de diferentes complexos de fronteira de grão com transições entre os regimes de crescimento de grão observados, que podem ser correlacionados com diferentes mobilidades de fronteira de grão e propriedades dieléctricas. Um modelo é sugerido, que se baseia na diminuição da fase líquida localizada nas fronteiras de grão, como o aumento da temperatura de sinterização, um cenário compatível com um fenómeno de solubilidade retrógrada, observado anteriormente em metais e semicondutores, mas não em cerâmicos. A EPD de filmes espessos de STO em substratos de folha de Pt e a sinterização constrangida dos filmes fabricados foram também preliminarmente tratadas. Filmes espessos de STO foram depositados com êxito por EPD sobre substratos de Pt e, depois de sinterizados, atingiram densidades elevadas. Um aumento da densificação e do tamanho de grão assim como o alargamento da distribuição de tamanho do grão foram observados com a diminuição da razão Sr/Ti, tal como anteriormente observado em amostras cerâmicas. Grãos equiaxiados foram observados para todas as composições, mas um certo grau de anisotropia na orientação dos poros foi detectado: os poros revelaram uma orientação vertical preferencial. Este trabalho focou-se também na sinterização constrangida do sistema BLnT (Ln = La ou Nd), nomeadamente de filmes espessos de BLT e BNT sobre substratos de folha de platina, e na relação do desenvolvimento de anisotropia microestrutural com as propriedades dieléctricas. As observações durante a sinterização constrangida foram comparadas com cerâmicos monolíticos equivalentes sinterizados livremente. Filmes espessos de BLnT (Ln = La ou Nd) com elevada densidade foram obtidos por EPD e subsequente sinterização constrangida. A anisometria cristalográfica do material em conjunto com um passo de sinterização constrangida resultou em grãos alongados e microestruturas anisotrópicas. O efeito do stress do substrato durante a sinterização constrangida originou graus mais elevados de anisotropia (grãos e poros alongados e orientação preferencial, bem como textura cristalográfica) nos filmes sinterizados relativamente aos cerâmicos equivalentes sinterizados livremente, não obstante o estado equivalente das amostras em verde. A densificação dos filmes de BLnT (Ln = La ou Nd) é retardada em comparação com os cerâmicos, mas depois de longos tempos de sinterização densidades semelhantes são obtidas. No entanto, em oposição a observações na sinterização constrangida de outros sistemas, o crescimento do grão em filmes de BLnT (Ln = La ou Nd) é favorecido pelo constrangimento causado pelo substrato. Além disso, grãos e poros alongados orientados paralelamente ao substrato foram desenvolvidos durante a sinterização constrangida de filmes espessos. Verificou-se uma forte correlação entre a evolução de grãos e poros, que começou assim que o crescimento do grão se iniciou. Um efeito da tensão do substrato no aumento do crescimento de grão, bem como um forte “Zener pinning”, origina microestruturas altamente texturizadas, o que também é observado a nível cristalográfico. Efeitos marcantes da anisotropia microestrutural foram também detectados nas propriedades dieléctricas dos filmes de BLnT (Ln = La ou Nd). Juntamente com o aumento da razão de aspecto dos grãos, do factor de orientação e do grau de textura cristalográfica, a permitividade relativa é ligeiramente diminuída e o coeficiente de temperatura da permitividade evolui de negativo para positivo com o aumento do tempo isotérmico de sinterização. Este trabalho mostra que a não-estequiometria pode ser usada para controlar a mobilidade das fronteiras de grão e, portanto, desenhar a microestrutura e as propriedades dieléctricas de electrocerâmicos à base de STO, com ênfase nas propriedades das fronteiras de grão. O papel da não-estequiometria no STO e dos complexos de fronteira de grão no desenvolvimento microestrutural é discutido e novas oportunidades para desenhar as propriedades de materiais funcionais são abertas. As observações relativamente à sinterização constrangida apontam para o efeito de tensões mecânicas desenvolvidas devido ao substrato subjacente no desenvolvimento da microestrutura de materiais funcionais. É assim esperado que a escolha adequada de substrato permitia desenhar a microestrutura de filmes espessos funcionais com desempenho optimizado. “Stress Assisted Grain Growth” (SAGG) é então proposto como uma técnica potencial para desenhar a microestrutura de materiais funcionais, originando microestruturas anisotrópicas texturizadas com propriedades desejadas.

Ferroelectric : CNTs structures fabrication for advanced functional nano devices

This work is about the combination of functional ferroelectric oxides with Multiwall Carbon Nanotubes for microelectronic applications, as for example potential 3 Dimensional (3D) Non Volatile Ferroelectric Random Access Memories (NVFeRAM). Miniaturized electronics are ubiquitous now. The drive to downsize electronics has been spurred by needs of more performance into smaller packages at lower costs. But the trend of electronics miniaturization challenges board assembly materials, processes, and reliability. Semiconductor device and integrated circuit technology, coupled with its associated electronic packaging, forms the backbone of high-performance miniaturized electronic systems. However, as size decreases and functionalization increases in the modern electronics further size reduction is getting difficult; below a size limit the signal reliability and device performance deteriorate. Hence miniaturization of siliconbased electronics has limitations. On this background the Road Map for Semiconductor Industry (ITRS) suggests since 2011 alternative technologies, designated as More than Moore; being one of them based on carbon (carbon nanotubes (CNTs) and graphene) [1]. CNTs with their unique performance and three dimensionality at the nano-scale have been regarded as promising elements for miniaturized electronics [2]. CNTs are tubular in geometry and possess a unique set of properties, including ballistic electron transportation and a huge current caring capacity, which make them of great interest for future microelectronics [2]. Indeed CNTs might have a key role in the miniaturization of Non Volatile Ferroelectric Random Access Memories (NVFeRAM). Moving from a traditional two dimensional (2D) design (as is the case of thin films) to a 3D structure (based on a tridimensional arrangement of unidimensional structures) will result in the high reliability and sensing of the signals due to the large contribution from the bottom electrode. One way to achieve this 3D design is by using CNTs. Ferroelectrics (FE) are spontaneously polarized and can have high dielectric constants and interesting pyroelectric, piezoelectric, and electrooptic properties, being a key application of FE electronic memories. However, combining CNTs with FE functional oxides is challenging. It starts with materials compatibility, since crystallization temperature of FE and oxidation temperature of CNTs may overlap. In this case low temperature processing of FE is fundamental. Within this context in this work a systematic study on the fabrication of CNTs - FE structures using low cost low temperature methods was carried out. The FE under study are comprised of lead zirconate titanate (Pb1-xZrxTiO3, PZT), barium titanate (BaTiO3, BT) and bismuth ferrite (BiFeO3, BFO). The various aspects related to the fabrication, such as effect on thermal stability of MWCNTs, FE phase formation in presence of MWCNTs and interfaces between the CNTs/FE are addressed in this work. The ferroelectric response locally measured by Piezoresponse Force Microscopy (PFM) clearly evidenced that even at low processing temperatures FE on CNTs retain its ferroelectric nature. The work started by verifying the thermal decomposition behavior under different conditions of the multiwall CNTs (MWCNTs) used in this work. It was verified that purified MWCNTs are stable up to 420 ºC in air, as no weight loss occurs under non isothermal conditions, but morphology changes were observed for isothermal conditions at 400 ºC by Raman spectroscopy and Transmission Electron Microscopy (TEM). In oxygen-rich atmosphere MWCNTs started to oxidized at 200 ºC. However in argon-rich one and under a high heating rate MWCNTs remain stable up to 1300 ºC with a minimum sublimation. The activation energy for the decomposition of MWCNTs in air was calculated to lie between 80 and 108 kJ/mol. These results are relevant for the fabrication of MWCNTs – FE structures. Indeed we demonstrate that PZT can be deposited by sol gel at low temperatures on MWCNTs. And particularly interesting we prove that MWCNTs decrease the temperature and time for formation of PZT by ~100 ºC commensurate with a decrease in activation energy from 68±15 kJ/mol to 27±2 kJ/mol. As a consequence, monophasic PZT was obtained at 575 ºC for MWCNTs - PZT whereas for pure PZT traces of pyrochlore were still present at 650 ºC, where PZT phase formed due to homogeneous nucleation. The piezoelectric nature of MWCNTs - PZT synthesised at 500 ºC for 1 h was proved by PFM. In the continuation of this work we developed a low cost methodology of coating MWCNTs using a hybrid sol-gel / hydrothermal method. In this case the FE used as a proof of concept was BT. BT is a well-known lead free perovskite used in many microelectronic applications. However, synthesis by solid state reaction is typically performed around 1100 to 1300 ºC what jeopardizes the combination with MWCNTs. We also illustrate the ineffectiveness of conventional hydrothermal synthesis in this process due the formation of carbonates, namely BaCO3. The grown MWCNTs - BT structures are ferroelectric and exhibit an electromechanical response (15 pm/V). These results have broad implications since this strategy can also be extended to other compounds of materials with high crystallization temperatures. In addition the coverage of MWCNTs with FE can be optimized, in this case with non covalent functionalization of the tubes, namely with sodium dodecyl sulfate (SDS). MWCNTs were used as templates to grow, in this case single phase multiferroic BFO nanorods. This work shows that the use of nitric solvent results in severe damages of the MWCNTs layers that results in the early oxidation of the tubes during the annealing treatment. It was also observed that the use of nitric solvent results in the partial filling of MWCNTs with BFO due to the low surface tension (<119 mN/m) of the nitric solution. The opening of the caps and filling of the tubes occurs simultaneously during the refluxing step. Furthermore we verified that MWCNTs have a critical role in the fabrication of monophasic BFO; i.e. the oxidation of CNTs during the annealing process causes an oxygen deficient atmosphere that restrains the formation of Bi2O3 and monophasic BFO can be obtained. The morphology of the obtained BFO nano structures indicates that MWCNTs act as template to grow 1D structure of BFO. Magnetic measurements on these BFO nanostructures revealed a week ferromagnetic hysteresis loop with a coercive field of 956 Oe at 5 K. We also exploited the possible use of vertically-aligned multiwall carbon nanotubes (VA-MWCNTs) as bottom electrodes for microelectronics, for example for memory applications. As a proof of concept BiFeO3 (BFO) films were in-situ deposited on the surface of VA-MWCNTs by RF (Radio Frequency) magnetron sputtering. For in situ deposition temperature of 400 ºC and deposition time up to 2 h, BFO films cover the VA-MWCNTs and no damage occurs either in the film or MWCNTs. In spite of the macroscopic lossy polarization behaviour, the ferroelectric nature, domain structure and switching of these conformal BFO films was verified by PFM. A week ferromagnetic ordering loop was proved for BFO films on VA-MWCNTs having a coercive field of 700 Oe. Our systematic work is a significant step forward in the development of 3D memory cells; it clearly demonstrates that CNTs can be combined with FE oxides and can be used, for example, as the next 3D generation of FERAMs, not excluding however other different applications in microelectronics.

International News Reporting in the Multidimensional Network: The socio-demographics, professional culture and newswork of foreign correspondents working across Sub-Saharan Africa

Tese apresentada para cumprimento dos requisitos necessários à obtenção do grau de Doutor em Media Digitais

Educación y los nuevos medios : (reflexiones sobre los medios y su papel en una sociedad tecnológica : Pedagogía de los medios y Pedagogía en los medios).

Resumen tomado de la publicación

Prospectiva y vigilancia tecnológica en la cadena fibra-textil-confecciones. Mapa tecnológico estratégico, nuevos escenarios para el futuro de la cadena productiva fibra textil confección de Colombia

Este libro es el resultado de una investigación exhaustiva sobre el impacto que el cambio tecnológico tiene sobre la cadena productiva de fibra-textil-confección. Los autores logran demostrar cómo esta cadena pasó de ser utilizadora de tecnología a generadora de nuevas tecnologías, asociadas a la nueva economía digital, como lo son la biotecnología, la microelectrónica, las tecnologías de la información y la comunicación y la nano tecnología. Por lo tanto, dada la importancia del sector textil confección para Colombia, los autores llaman la atención sobre las consecuencias de esta situación. En este sentido, identifican las llamadas brechas de competitividad y tecnología que separan a las empresas colombianas frente al estado del arte de quienes lideran el sector a nivel mundial. Para cerrar las brechas, los autores proponen una cartera de proyectos que son presentados en su contexto sistémico, es decir, que buscan generar impactos en toda la cadena de valor, y no solamente hacia un solo eslabón de la misma.

La influencia de los nuevos soportes textuales en la formación del pensamiento.

La revolución tecnológica y cultural de la microelectrónica y la telemática que caracteriza el tiempo histórico actual presenta propuestas artefactuales que reclaman, como respuesta, la creación de 'más y diferente' valor- conocimiento, el que sólo será accesible y a su vez, se verá polibilitado por el desarrollo de 'personas inteligentes'. Entre los procesos de relevancia central a promover, es el de la lectura el fundamental como puerta de acceso a la construcción del saber, a fin de desafiar el desarrollo de las funciones superiores del pensamiento. Hoy, la producción, distribución e interacción de gran parte del valor-conocimiento producido incluyen, abarcan y se presentan en géneros innumerables y en múltiples formatos impresos y electrónicos, llegando a los ámbitos de la educación formal, ya que su presencia en la educación informal goza de una salud más aceptada. Así mismo habrá de reconocerse la aparición de y consolidación de las propuestas informático-multimedias las que no podrán disociarse de aquellas convencionalmente encarnadas en los textos impresos, donde tradicionalmente se confiaban a través del proceso de lectura, el desarrollo de la reflexión, la argumentación, el pensamiento crítico, etc. Estamos frente a nuevos escenarios pedagógicos dentro del tránsito actual de paradigmas de 'transmisión' hacia la 'interacciíon' en la comprensión del mundo, la vida y de la persona. Ello reclama serios desafíos en los diseños didácticos al articular todas y las diversas propuestas de enfoques, textual e hipertextual y que serán presentadas a los estudiantes de diversa edad en los diferentes ámbitos educativos que se encuentren..

Educar desde la paz y la no violencia.

Contiene: Vila Racons, un mundo a medida de los niños de Prescolar; La microelectrónica se incorpora a la formación ocupacional

Diseño de programas y técnicas educativas que optimicen la adecuación al perfil profesional en la Ingeniería Técnica en Sistemas Electrónicos : memoria de investigación.

Investigar sobre el actual y futuro perfil de los ingenieros técnicos de Telecomunicación describiendo con exactitud su situación laboral, las características del puesto de trabajo (conocimientos o tecnologías empleadas, nivel de responsabilidad, autoridad y función o actividad desarrollada), así como la trayectoria y previsible evolución del ejercicio profesional. Adecuar la formación recibida al perfil profesional. Estudiar comparativamente los niveles de adaptación de las 'Directrices Generales Propias' y proponer alternativas que favorezcan el diseño de planes de estudio más adaptados a las necesidades de los futuros ingenieros técnicos en sistemas electrónicos.. 760 titulados entre 1948 y 1992, elegidos aleatoriamente mediante técnicas de muestreo estratificado.. El número de variables utilizadas es de 276 de las cuales 28 son para caracterizar la situación laboral, 34 para el perfil profesional, 72 para la evolución y tendencias del ejercicio profesional, 46 para la evaluación de la formación recibida en la etapa de pregrado y 27 para la formación de postgrado, dejando el resto para los datos personales y otros temas complementarios. Los datos proporcionados por las encuestas se procesan con el programa estadístico SPSS y la introducción de los datos se realiza por duplicado. El análisis de las 'Directrices Generales Propias' se realiza en base a las doce propuestas que desde 1987 hasta su definitiva publicación el 12 de Octubre de 1992 fueron elaboradas por la Ponencia de Reformas de las Enseñanzas y las respectivas Juntas de Escuela u órganos delegados.. Porcentajes.. Se producen múltiples combinaciones en los conocimientos o tecnologías empleadas habitualmente en el trabajo, lo que pone de manifiesto el carácter multidisciplinar de su actividad. El análisis de la trayectoria profesional y su tendencia se caracteriza por: a) Mayor dedicación a actividades de gestión y administración reduciendo la actividad de producción. b) Evolución de responsabilidades técnico-operativas hacia niveles de gestión y dirección. c) Uso de conocimientos iniciales más tradicionales de Ingeniería que evolucionan hacia la organización y dirección de empresas. La preparación técnica recibida en la Escuela es considerada buena en su parte teórica (con mayores necesidades en el área de Telemática y Ciencias de la Empresa), deficiente en la parte práctica y muy deficiente en su capacitación profesional. Los nuevos planes de estudio deben combinar una formación esencialmente generalista y multidisciplinar con una corta intensificación en alguna de las siguientes áreas: Sistemas de adquisición de datos, Control y Automática, Sistemas basados en microprocesador, Electrónica de Potencia y Microelectrónica..

Los científicos ante la problemática mundial.

Título anterior de la publicación : Boletín de la Comisión Española de la UNESCO

Integració 3D de detectors de píxels híbrids

La miniaturització de la industria microelectrònica és un fet del tot inqüestionables i la tecnologia CMOS no n'és una excepció. En conseqüència la comunitat científica s'ha plantejat dos grans reptes: En primer lloc portar la tecnologia CMOS el més lluny possible ('Beyond CMOS') tot desenvolupant sistemes d'altes prestacions com microprocessadors, micro - nanosistemes o bé sistemes de píxels. I en segon lloc encetar una nova generació electrònica basada en tecnologies totalment diferents dins l'àmbit de les Nanotecnologies. Tots aquests avanços exigeixen una recerca i innovació constant en la resta d'àrees complementaries com són les d'encapsulat. L'encapsulat ha de satisfer bàsicament tres funcions: Interfície elèctrica del sistema amb l'exterior, Proporcionar un suport mecànic al sistema i Proporcionar un camí de dissipació de calor. Per tant, si tenim en compte que la majoria d'aquests dispositius d'altes prestacions demanden un alt nombre d'entrades i sortides, els mòduls multixip (MCMs) i la tecnologia flip chip es presenten com una solució molt interessant per aquests tipus de dispositiu. L'objectiu d'aquesta tesi és la de desenvolupar una tecnologia de mòduls multixip basada en interconnexions flip chip per a la integració de detectors de píxels híbrids, que inclou: 1) El desenvolupament d'una tecnologia de bumping basada en bumps de soldadura Sn/Ag eutèctics dipositats per electrodeposició amb un pitch de 50µm, i 2) El desenvolupament d'una tecnologia de vies d'or en silici que permet interconnectar i apilar xips verticalment (3D packaging) amb un pitch de 100µm. Finalment aquesta alta capacitat d'interconnexió dels encapsulats flip chip ha permès que sistemes de píxels tradicionalment monolítics puguin evolucionar cap a sistemes híbrids més compactes i complexes, i que en aquesta tesi s'ha vist reflectit transferint la tecnologia desenvolupada al camp de la física d'altes energies, en concret implantant el sistema de bump bonding d'un mamògraf digital. Addicionalment s'ha implantat també un dispositiu detector híbrid modular per a la reconstrucció d'imatges 3D en temps real, que ha donat lloc a una patent.