Sub-bandgap spectral photo-response analysis of Ti supersaturated Si

We have analyzed the increase of the sheet conductance (ΔG□) under spectral illumination in high dose Ti implanted Si samples subsequently processed by pulsed-laser melting. Samples with Ti concentration clearly above the insulator-metal transition limit show a remarkably high ΔG□, even higher than that measured in a silicon reference sample. This increase in the ΔG□ magnitude is contrary to the classic understanding of recombination centers action and supports the lifetime recovery predicted for concentrations of deep levels above the insulator-metal transition.

Vitoria y los cuarenta y tres pueblos de su antigua jurisdicción : se demuestra que es muy conveniente y ventajoso ... ser administrados por ayuntamiento o ayuntamientos distintos e independientes de Vitoria / por Blas J. Díaz de Arcaya.

Digitalización Vitoria-Gasteiz Fundación Sancho el Sabio 2009

La construcción de las bóvedas góticas según Rodrigo Gil de Hontañón, arquitecto de la catedral de Segovia

Se ha escrito mucho sobre la construcción gótica. Sin embargo, hay un aspecto que apenas ha recibido atención: los procesos de ejecución de las bóvedas de crucería. La bóveda de crucería es una estructura compleja formada de arranques (enjarjes), trasdosado, nervios, claves y plementería. La forma y disposición de estos elementos varía mucho de un país a otro, de una época a otra e incluso dentro de la obra de un mismo autor. La construcción de una bóveda implicaba una serie de actividades que el maestro debía tener en cuenta durante el proyecto y la ejecución. El proyecto suponía, en primer lugar, decidir la traza (la planta) y la montea (la elevación). Además, era preciso elegir la dimensión de los nervios y de las claves para que estos elementos fueran labrados. Para su puesta en obra se precisaban andamios, cimbras, cerchas y grúas. Finalmente, la estructura de la bóveda y de su sistema de contrarresto debía estar en equilibrio en cada una de las etapas de la construcción, y esto imponía un cierto orden durante la ejecución así como determinaba los momentos para bajar las cimbras. En general, la información que se tiene sobre cada uno de los aspectos mencionados es muy escasa. Las únicas fuentes son los propios edificios y aquellos 108 S. Huerta documentos (tratados, trazas y condiciones) que han llegado hasta nosotros. Incluso disponiendo de fuentes queda el problema de la interpretación. La comprensión del proceso de ejecución implica considerar todos los aspectos antes citados. En general, los distintos autores se han centrado en un aspecto u otro, muchas veces dependiendo de la información disponible. Las bóvedas de la catedral de Segovia, proyectadas y construidas por Rodrigo Gil de Hontañón, constituyen un caso único por la abundancia de la documentación disponible. En el archivo de la catedral se conservan las trazas originales pero, sobre todo, están las condiciones para la ejecución de las capillas de la girola. Por otra parte, ha llegado hasta nosotros una copia del tratado de arquitectura escrito por Rodrigo Gil de Hontañón. En lo que sigue se intentará, utilizando la información citada, realizar una descripción de los procesos de proyecto y ejecución seguidos por Rodrigo Gil. En primer lugar se describirá el contenido del tratado y de las condiciones, tratando los diferentes aspectos a medida que aparecen. En cada apartado, se añadirán comentarios o se discutirá su contenido. Estos comentarios irán en letra más pequeña. Las citas se han reducido al mínimo y las obras citadas se recogen al final con algunos otros trabajos fundamentales que guiarán al lector interesado a la literatura relevante sobre el tema.

Improving shortest paths in the Delaunay triangulation

We study a problem about shortest paths in Delaunay triangulations. Given two nodes s; t in the Delaunay triangulation of a point set P, we look for a new point p that can be added, such that the shortest path from s to t in the Delaunay triangulation of P u{p} improves as much as possible. We study properties of the problem and give efficient algorithms to find such a point when the graph-distance used is Euclidean and for the link-distance. Several other variations of the problem are also discussed.

Study of the Electrical Behavior in Intermediate Band-Si Junctions

In this study we analyze the electrical behavior of a junction formed by an ultraheavily Ti implanted Si layer processed by a Pulsed Laser Melting (PLM) and the non implanted Si substrate. This electrical behavior exhibits an electrical decoupling effect in this bilayer that we have associated to an Intermediate Band (IB) formation in the Ti supersaturated Si layer. Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (ToFSIMS) measurements show a Ti depth profile with concentrations well above the theoretical limit required to the IB formation. Sheet resistance and Hall mobility measurements in the van der Pauw configuration of these bilayers exhibit a clear dependence with the different measurement currents introduced (1menor queA-1mA). We find that the electrical transport properties measured present an electrical decoupling effect in the bilayer as function of the temperature. The dependence of this effect with the injected current could be explained in terms of an additional current flow in the junction from the substrate to the IB layer and in terms of the voltage dependence in the junction with the measurement current.

Mejoras del hábitat truchero del Río Noguera de Tort (La Vall de Boi, Lleida)

En el articulo se describe las obras realizadas en la cola del embalse de presa hidroelectrica de barrera para mejorar el habitat y obtener un aumento de población de la trucha común. Las obras fueron de dos tipos, una primera consistente en la introducción de grandes piedras para crear refugios a la trucha y la segunda consistió en la abertura de mangas y brazos del río para irrigar lagunas y mejorar las condiciones del agua.

Electrical properties of silicon supersaturated with titanium or vanadium for intermediate band material

We have fabricated titanium and vanadium supersaturated silicon layers on top of a silicon substrate by means of ion implantation and pulsed laser melting processes. This procedure has proven to be suitable to fabricate an intermediate band (IB) material, i.e. a semiconductor material with a band of allowed states within the bandgap. Sheet resistance and Hall mobility measurements as a function of the temperature show an unusual behavior that has been well explained in the framework of the IB material theory, supposing that we are dealing with a junction formed by the IB material top layer and the n-Si substrate. Using an analytical model that fits with accuracy the experimental sheet resistance and mobility curves, we have obtained the values of the exponential factor for the thermically activated junction resistance of the bilayer, showing important differences as a function of the implanted element. These results could allow us to engineer the IB properties selecting the implanted element depending on the required properties for a specific application.

Hydrogenated amorphous silicon deposited by high pressure sputtering for HIT solar cells

Hydrogenated amorphous silicon thin films were deposited using a high pressure sputtering (HPS) system. In this work, we have studied the composition and optical properties of the films (band-gap, absorption coefficient), and their dependence with the deposition parameters. For films deposited at high pressure (1 mbar), composition measurements show a critical dependence of the purity of the films with the RF power. Films manufactured with RF-power above 80W exhibit good properties for future application, similar to the films deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition) for hydrogenated amorphous silicon.