Cracking in the welding of cupro-nickel alloys

The problem of variation in weld crack susceptibility caused by small variations in alloy and impurity elements for the 70-30 cupro-nickel alloy has been investigated. Both wrought and cast versions of the alloy have been studied, the main techniques employed being the Varestraint test and weld thermal simulation. In the wrought alloys, cracking has been found to occur mainly in the weld metal, whilst in the cast alloys cracking is extensive in both weld metal and heat affected zone. The previously reported effects of certain impurities (P,S,Si) in increasing cracking have been confirmed, and it has also been shown that Ti and Zr may both have a crack promoting effect at levels commonly found in cupro-nickels, whilst C can interact with several of the other elements investigated to produce a beneficial effect. The testing carried out using the weld thermal simulator has shown that a relationship does exist between hot ductility and weld cracking. In particular, the absence of the peak in ductility in the range 1100°C-900°C on cooling from a temperature near to the solidus is indicative of a highly crack susceptible alloy. Principal practical implications of the investigation concern the relationship of weld metal cracking to alloy composition, especially the level of certain impurities. It would appear that the upper limits permitted by the alloy specifications are unrealistically high. The introduction of lower impurity limits would alleviate the current problems of variability in resistance to cracking during welding.

Precipitation studies on alloys from the system copper chromium zirconium

The precipitation reactions occurring in a series of copper-based alloys selected from the system copper-chromium-zirconium have been studied by resistometric and metallographic techniques. A survey of the factors influencing the development of copper-based alloys for high strength, high conductivity applications is followed by a more general review of contemporary materials, and illustrates that the most promising alloys are those containing chromium and zirconium. The few systematic attempts to study alloys from this system have been collated, discussed, and used as a basis for the selection of four alloy compositions viz:- Cu - 0.4% Cr Cu - 0.24. Zr Cu - 0. 3% Cr - 0.1% Zr Cu - 0.2% Cr - 0.2% Zr A description of the experimental techniques used to study the precipitation behaviour of these materials is preceeded by a discussion of the currently accepted theories relating to precipitate nucleation and growth. The experimental results are presented and discussed for each of the alloys independently, and are then treated jointly to obtain an overall assessment of the way in which the precipitation kinetics, metallography and mechanical properties vary with alloy composition and heat treatment. The metastable solid solution of copper-chromium is found to decompose by the rejection of chromium particles which maintain a coherent interface and a Kurdjumov-Sachs type crystallographic orientation relationship with the copper matrix. The addition of 0.1% zirconium to the alloy retards the rate of transformation by a factor of ten and modifies the dispersion characteristics of the precipitate without markedly altering the morphology. Further additions of zirconium lead to the growth of stacking faults during ageing, which provide favourable nucleation sites for the chromium precipitate. The partial dislocations bounding such stacking faults are also found to provide mobile heterogeneous nucleation sources for the precipitation reactions occurring in copper-zirconium.

Effect of solute segregation on the strength of nanocrystalline alloys:Inverse Hall-Petch relation

We have used a high-energy ball mill to prepare single-phased nanocrystalline Fe, Fe90Ni10, Fe85Al4Si11, Ni99Fe1 and Ni90Fe10 powders. We then increased their grain sizes by annealing. We found that a low-temperature anneal (T < 0.4 Tm) softens the elemental nanocrystalline Fe but hardens both the body-centered cubic iron- and face-centered cubic nickel-based solid solutions, leading in these alloys to an inverse Hall–Petch relationship. We explain this abnormal Hall–Petch effect in terms of solute segregation to the grain boundaries of the nanocrystalline alloys. Our analysis can also explain the inverse Hall–Petch relationship found in previous studies during the thermal anneal of ball-milled nanocrystalline Fe (containing ∼1.5 at.% impurities) and electrodeposited nanocrystalline Ni (containing ∼1.0 at.% impurities).

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

Dominios magnéticos y respuesta dinámica en aleaciones ferromagnéticas de FePt .

El resumen se encuentra en un archivo pdf.

Dominios magnéticos y respuesta dinámica en aleaciones ferromagnéticas de FePt .

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Zróżnicowanie struktury leśnych zgrupowań ślimaków jako efekt uwarunkowań naturalnych i antropogenicznych na przykładzie grądów w Wielkopolsce

Wydział Biologii

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

The influence of promoters (Zr, La, Tb, Pr) on the catalytic performance of CuO-CeO2 systems for the preferential oxidation of CO in the presence of CO2 and H2O

CuO supported on CeO2 and Ce0.9X0.1O2, where X is Zr, La, Tb or Pr, were synthesized using nitrate precursors, giving rise ceria based materials with a small particle size which interact with CuO species generating a high amount of interfacial sites. The incorporation of cations to the ceria framework modifies the CeO2 lattice parameter, improving the redox behavior of the catalytic system. The catalysts were characterized by X-ray fluorescence spectrometry (XRFS), X-ray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), Raman spectroscopy, thermoprogrammed reduction with H2 (H2-TPR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The catalysts were tested in the preferential oxidation of CO under a H2-rich stream (CO-PROX), reaching conversion values higher than 95% between 115 and 140 °C and being the catalyst with 6 wt.% of Cu supported on Ce0.9Zr0.1O2 (sample 6CUZRCE) the most active catalyst. The influence of the presence of CO2 and H2O was also studied simulating a PROX unit, taking place a decrease of the catalytic activity due to the inhibitor effect both CO2 and H2O.

Prevalencia y factores asociados a síndrome burnout en docentes vs personal administrativo pertenecientes a una universidad privada en Bogotá en el 2016

El Síndrome de Burnout, es una condición cuya detección ha venido en aumento en las últimas décadas. Sin embargo, son pocos los estudios realizados en docentes universitarios en Colombia. El objetivo del presente estudio es estimar la prevalencia y los factores asociados, en población administrativa y docente de una universidad privada.

Expression of Potato virus Y cytoplasmic inclusion protein in tobacco results in disorganization of parenchyma cells, distortion of epidermal cells, and induces mitochondrial and chloroplast abnormalities, formation of membrane whorls and atypical lipid accumulation

Infection of plant cells by potyviruses induces the formation of cytoplasmic inclusions ranging in size from 200 to 1000 nm. To determine if the ability to form these ordered, insoluble structures is intrinsic to the potyviral cytoplasmic inclusion protein, we have expressed the cytoplasmic inclusion protein from Potato virus Y in tobacco under the control of the chrysanthemum ribulose-1,5-bisphosphate carboxylase small subunit promoter, a highly active, green tissue promoter. No cytoplasmic inclusions were observed in the leaves of transgenic tobacco using transmission electron microscopy, despite being able to clearly visualize these inclusions in Potato virus Y infected tobacco leaves under the same conditions. However, we did observe a wide range of tissue and sub-cellular abnormalities associated with the expression of the Potato virus Y cytoplasmic inclusion protein. These changes included the disruption of normal cell morphology and organization in leaves, mitochondrial and chloroplast internal reorganization, and the formation of atypical lipid accumulations. Despite these significant structural changes, however, transgenic tobacco plants were viable and the results are discussed in the context of potyviral cytoplasmic inclusion protein function.

Coping with Generation Y in schools

In recent times, complaining about the Y Generation and its perceived lack of work ethic has become standard dinner-party conversation amongst Baby Boomers. Discussions in the popular press (Salt, 2008) and amongst some social commentators (Levy, Carroll, Francoeur, & Logue, 2003) indicate that the group labelled Gen Y have distinct and different generational characteristics. Whether or not the differences are clearly delineated on age is still open to discussion but in the introduction to "The Generational Mirage? a pilot study into the perceptions of leadership by Generation X and Y", Levy et al. argue that "the calibre of leadership in competing organisations and the way they value new and existing employees will play a substantial role in attracting or discouraging these workers regardless of generational labels". Kunreuther's (2002) suggests that the difference between younger workers and their older counterparts may have more to do with situational phenomena and their position in the life cycle than deeper generational difference. However this is still an issue for leadership in schools.