子午岭60年辽东栎林种子质量与森林更新

辽东栎是我国暖温带落叶阔叶林地带的优势乔木树种之一。通过26年的定位监测,对子午岭辽东栎林种子质量消减、种子萌发与环境条件、实生苗时空分布动态以及对其森林更新的影响等方面进行了初步探讨。结果表明:辽东栎林在子午岭半阳坡、半阴坡和阴坡3种类型中,平均完好种子占种子总数的26.65%;霉变种子占18.72%;动物取食虫蛀种子在阴坡远高于半阴坡和半阳坡,占到种子总数的26.32%;已发芽的种子占其总数的28.31%,且半阴坡>半阳坡>阴坡。每年均有大量种子生产,但在生境与动物的共同作用下,种子数量和质量受到很大影响,多达73.35%的种子失去生命力,直接影响实生苗的形成;地表覆盖物虽能促进种子的快速发芽,但对成苗却是一个物理障碍,影响是负作用的,主要影响因子是地表覆盖物的厚度和含水量;在辽东栎林下虽有一定的实生幼苗分布,但数量极少,平均密度仅为140~120株/hm2,且不同立地条件差异显著,严重影响森林的天然更新。

中国都江堰汉族人群IIS信号通路基因的遗传变异与长寿的相关性研究

随着人口老龄化的发展，对衰老和长寿的研究越来越受到关注。科学家们希望找到衰老相关疾病的致病机理以及治疗手段，从而降低这些疾病的发病风险，减少社会和经济负担。长寿老人受衰老相关疾病的困扰相对较少，自然成为研究的热点人群。而由于长寿的遗传力相对较高，关于长寿的遗传学研究也成为这个领域的热点之一。作为在从无脊椎动物到脊椎动物中一条非常保守的信号通路，胰岛素/胰岛素样生长因子1（IIS）信号通路是一条与生长发育代谢密切相关的信号通路。同时，在模式生物的研究中发现，减弱这条信号通路会导致模式生物寿命的延长。而在人类群体的相关性研究中，这条通路上一些基因的遗传变异位点与长寿、血清胰岛素样生长因子1（IGF1）水平以及一些衰老相关疾病如糖尿病、癌症和心脑血管疾病相关。为了探讨IIS信号通路上一些基因的遗传变异与长寿的关系，本研究在中国四川省都江堰市招募了共493名无相互关系的长寿老人，其中男性252人，年龄均大于90岁，女性241人，年龄均大于94岁。同时，在该地区招募了442名年轻的对照个体，年龄在22岁到73岁之间。我们对IIS信号通路上的一些基因的遗传变异位点利用测序，片段分析，RFLP等方法进行了扫描。包括（1）IGF1基因启动子区域及内含子1中的一个微卫星位点；（2）IGF1R基因外显子序列中的4个变异位点，包括3个SNP和一个2碱基缺失位点；（3）FOXO3A基因内含子1中的3个SNP位点。本研究发现，在该人群中，IGF1基因启动子区域的遗传变异与长寿没有相关性，但携带该区域中的微卫星位点18/21基因型的男性个体在长寿群体中所占比例高于在对照群体中所占的比例(11.11 vs. 5.45%, p=0.011)。虽然经过多重检验校正后显著性消失了，但考虑到这个位点曾被报道与多种衰老相关疾病相关，因此，这个位点不是影响长寿的潜在功能位点，但有可能与真正的潜在功能位点相连锁，这一观点有待进一步研究的验证。本研究并没有发现IGF1R基因外显子序列中的遗传变异与长寿存在相关性。同时，研究结果支持FOXO3A基因的遗传变异与长寿相关，这样，继日籍美国人，德国人，意大利人群体后，在中国汉族人群中也证实了这一结果。同时，在FOXO3A基因上的一个未报道过的单核苷酸多态性（SNP）位点（109080595）在本研究中被发现，携带这个基因突变纯和基因型的个体仅在长寿人群中出现（8/492 vs. 0/414, 基因型分布差异p值为0.011）。关于FOXO3A基因的功能以及新发现位点在其他群体中的基因型分布情况值得进一步深入研究。综上所述，本研究第一次在中国汉族人群中对IIS信号通路的一些基因的遗传变异与长寿的相关性进行了探讨，更多群体及更大样本量的研究有助于加深对长寿遗传机制的认识。

Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are reported.High quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition method.The X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the full-width half maximum of 180" and 185" for (0002) symmetric reflection and (10(-1)2) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN film.Gain guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current injection.The lasing wavelength is 405.9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.

Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长

采用AlN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AlN插入层厚度的变化关系.当AlN厚度在7～13nm范围内,GaN所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,GaN微裂得以消除.同时研究了AlN插入层对GaN晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有AlN插入层的GaN样品有明显提高.

稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁

稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件.尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展.室温铁磁半导体材料的制备,半导体材料中有效的自旋注入,以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题.稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质,这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础.

半导体物理效应与光电子高技术产业

阐述了能带理论和晶格动力学的创建对半导体科学技术发展的历史意义，重点介绍了若干关键性半导体物理效应的内涵及其对光电子器件与技术发展所作出的源头性贡献，描绘了以半导体激光器为代表的现代光电子高科技产业的发展现状与趋势，指出了光电子高科技持续发展的主要方向。

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED。

基于支持向量机的Internet流量分类研究

准确的网络流量分类是众多网络研究工作的基础,也一直是网络测量领域的研究热点.近年来,利用机器学习方法处理流量分类问题成为了该领域一个新兴的研究方向.在目前研究中应用较多的是朴素贝叶斯(nave Bayes,NB)及其改进算法.这些方法具有实现简单、分类高效的特点.但该方法过分依赖于样本空间的分布,具有内在的不稳定性.因此,提出一种基于支持向量机(support vector machine,SVM)的流量分类方法.该方法利用非线性变换和结构风险最小化(structural risk minimization,SRM)原则将流量分类问题转化为二次寻优问题,具有良好的分类准确率和稳定性.在理论分析的基础上,通过在实际网络流集合上与朴素贝叶斯算法的对比实验,可以看出使用支持向量机方法处理流量分类问题,具有以下3个优势:1)网络流属性不必满足条件独立假设,无须进行属性过滤;2)能够在先验知识相对不足的情况下,仍保持较高的分类准确率;3)不依赖于样本空间的分布,具有较好的分类稳定性.