The diagnostic value of a 12-lead electrocardiogram in patients with cardiac tamponade due to a malignant pericardial effusion

Background. Cardiac tamponade can occur when a large amount of fluid, gas, singly or in combination, accumulating within the pericardium, compresses the heart causing circulatory compromise. Although previous investigators have found the 12-lead ECG to have a poor predictive value in diagnosing cardiac tamponade, very few studies have evaluated it as a follow up tool for ruling in or ruling out tamponade in patients with previously diagnosed malignant pericardial effusions. ^ Methods. 127 patients with malignant pericardial effusions at the MD Anderson Cancer Center were included in this retrospective study. While 83 of these patients had a cardiac tamponade diagnosed by echocardiographic criteria (Gold standard), 44 did not. We computed the sensitivity (Se), specificity (Sp), positive (PPV) and negative predictive values (NPV) for individual and combinations of ECG abnormalities. Individual ECG abnormalities were also entered singly into a univariate logistic regression model to predict tamponade. ^ Results. For patients with effusions of all sizes, electrical alternans had a Se, Sp, PPV and NPV of 22.61%, 97.61%, 95% and 39.25% respectively. These parameters for low voltage complexes were 55.95%, 74.44%, 81.03%, 46.37% respectively. The presence of all three ECG abnormalities had a Se = 8.33%, Sp = 100%, PPV = 100% and NPV = 35.83% while the presence of at least one of the three ECG abnormalities had a Se = 89.28%, Sp = 46.51%, PPV = 76.53%, NPV = 68.96%. For patients with effusions of all sizes electrical alternans had an OR of 12.28 (1.58–95.17, p = 0.016), while the presence of at least one ECG abnormality had an OR of 7.25 (2.9–18.1, p = 0.000) in predicting tamponade. ^ Conclusions. Although individual ECG abnormalities had low sensitivities, specificities, NPVs and PPVs with the exception of electrical alternans, the presence of at least one of the three ECG abnormalities had a high sensitivity in diagnosing cardiac tamponade. This could point to its potential use as a screening test with a correspondingly high NPV to rule out a diagnosis of tamponade in patients with malignant pericardial effusions. This could save expensive echocardiographic assessments in patients with previously diagnosed pericardial effusions. ^

Table 2 Analytical data of the samples by the "Dipole CHIM" at the Yingezhuang gold deposit

CHIM method involves extracting metal ions of electromobile forms in either anodes or cathodes, facilitated by a man-made electric field. This paper presents two newly developed CHIM alternatives that are electrified by a low voltage dipole. The firstly improved technique enables cationic ions to be extracted in a single cathode, whereas the secondly improved technique allows both anionic and cationic species to be extracted simultaneously in an anode and in a cathode. Compared with the traditional CHIM methods, the innovative techniques developed in this paper are characterized by simple instrumentation, low cost and easy operation in field, and in particular enables simultaneous extraction of anionic and cationic species of elements, from which more information can be derived with higher extraction efficiency. Field tests at several well-known mine areas in China confirm the effectiveness and efficiency of the new techniques in exploring for deeply buried ore bodies.

2D tunable graded index prism beam steering device based on nematic liquid crystals

Liquid crystal devices are being used in many non-display applications in order to construct small devices controlled by low voltage electronics without mechanical components. In this work, we present a novel liquid crystal device for laser beam steering. In this device the orientation of the liquid crystal molecules can be controlled. A change in the liquid crystal orientation results in a change of the refractive index. When a laser beam passes through the device, the beam will be deviated (Fig.1) and the device works a prism. The main difference between this device and a prism is that in the device the orientation profile of the liquid crystal molecules can be modified so that the laser beam can be deviated a required angle: the device is tuneable.

Sonar bat for visually impaired people

Visually impaired people have many difficulties when traveling because it is impossible for them to detect obstacles that stand in their way. Bats instead of using the sight to detect these obstacles use a method based on ultrasounds, as their sense of hearing is much more developed than that of sight. The aim of the project is to design and build a device based on the method used by the bats to detect obstacles and transmit this information to people with vision problems to improve their skills. The method involves sending ultrasonic waves and analyzing the echoes produced when these waves collide with an obstacle. The sent signals are pulses and the information needed is the time elapsed from we send a pulse to receive the echo produced. The speed of sound is fixed within the same environment, so measuring the time it takes the wave to make the return trip, we can easily know the distance where the object is located. To build the device we have to design the necessary circuits, fabricate printed circuit boards and mount the components. We also have to design a program that would work within the digital part, which will be responsible for performing distance calculations and generate the signals with the information for the user. The circuits are the emitter and the receiver. The transmitter circuit is responsible for generating the signals that we will use. We use an ultrasonic transmitter which operates at 40 kHz so the sent pulses have to be modulated with this frequency. For this we generate a 40 kHz wave with an astable multivibrator formed by NAND gates and a train of pulses with a timer. The signal is the product of these two signals. The circuit of the receiver is a signal conditioner which transforms the signals received by the ultrasonic receiver in square pulses. The received signals have a 40 kHz carrier, low voltage and very different shapes. In the signal conditioner we will amplify the voltage to appropriate levels, eliminate the component of 40 kHz and make the shape of the pulses square to use them digitally. To simplify the design and manufacturing process in the digital part of the device we will use the Arduino platform. The pulses sent and received echoes enter through input pins with suitable voltage levels. In the Arduino, our program will poll these two signals storing the time when a pulse occurs. These time values are analyzed and used to generate an audible signal with the user information. This information is stored in the frequency of the signal, so that the generated signal frequency varies depending on the distance at which the objects are. RESUMEN Las personas con discapacidad visual tienen muchas dificultades a la hora de desplazarse ya que les es imposible poder detectar los obstáculos que se interpongan en su camino. Los murciélagos en vez de usar la vista para detectar estos obstáculos utilizan un método basado en ultrasonidos, ya que su sentido del oído está mucho más desarrollado que el de la vista. El objetivo del proyecto es diseñar y construir un dispositivo basado en el método usado por los murciélagos para detectar obstáculos y que pueda ser usado por las personas con problemas en la vista para mejorar sus capacidades. El método utilizado consiste en enviar ondas de ultrasonidos y analizar el eco producido cuando estas ondas chocan con algún obstáculo. Las señales enviadas tendrán forma de pulsos y la información necesaria es el tiempo transcurrido entre que enviamos un pulso y recibimos el eco producido. La velocidad del sonido es fija dentro de un mismo entorno, por lo que midiendo el tiempo que tarda la onda en hacer el viaje de ida y vuelta podemos fácilmente conocer la distancia a la que se encuentra el objeto. Para construir el dispositivo tendremos que diseñar los circuitos necesarios, fabricar las placas de circuito impreso y montar los componentes. También deberemos diseñar el programa que funcionara dentro de la parte digital, que será el encargado de realizar los cálculos de la distancia y de generar las señales con la información para el usuario. Los circuitos diseñados corresponden uno al emisor y otro al receptor. El circuito emisor es el encargado de generar las señales que vamos a emitir. Vamos a usar un emisor de ultrasonidos que funciona a 40 kHz por lo que los pulsos que enviemos van a tener que estar modulados con esta frecuencia. Para ello generamos una onda de 40 kHz mediante un multivibrador aestable formado por puertas NAND y un tren de pulsos con un timer. La señal enviada es el producto de estas dos señales. El circuito de la parte del receptor es un acondicionador de señal que transforma las señales recibidas por el receptor de ultrasonidos en pulsos cuadrados. Las señales recibidas tienen una portadora de 40 kHz para poder usarlas con el receptor de ultrasonidos, bajo voltaje y formas muy diversas. En el acondicionador de señal amplificaremos el voltaje a niveles adecuados además de eliminar la componente de 40 kHz y conseguir pulsos cuadrados que podamos usar de forma digital. Para simplificar el proceso de diseño y fabricación en la parte digital del dispositivo usaremos la plataforma Arduino. Las señales correspondientes el envío de los pulsos y a la recepción de los ecos entraran por pines de entrada después de haber adaptado los niveles de voltaje. En el Arduino, nuestro programa sondeara estas dos señales almacenando el tiempo en el que se produce un pulso. Estos valores de tiempo se analizan y se usan para generar una señal audible con la información para el usuario. Esta información ira almacenada en la frecuencia de la señal, por lo que la señal generada variará su frecuencia en función de la distancia a la que se encuentren los objetos.

Multiple Input-Output Bidirectional Solid State Transformer Based on a Series Resonant Converter

Las fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS en sus siglas en inglés) se utilizan ampliamente en una gran variedad de aplicaciones. La tarea más difícil para los diseñadores de SMPS consiste en lograr simultáneamente la operación del convertidor con alto rendimiento y alta densidad de energía. El tamaño y el peso de un convertidor de potencia está dominado por los componentes pasivos, ya que estos elementos son normalmente más grandes y más pesados que otros elementos en el circuito. Para una potencia de salida dada, la cantidad de energía almacenada en el convertidor que ha de ser entregada a la carga en cada ciclo de conmutación, es inversamente proporcional a la frecuencia de conmutación del convertidor. Por lo tanto, el aumento de la frecuencia de conmutación se considera un medio para lograr soluciones más compactas con los niveles de densidad de potencia más altos. La importancia de investigar en el rango de alta frecuencia de conmutación radica en todos los beneficios que se pueden lograr: además de la reducción en el tamaño de los componentes pasivos, el aumento de la frecuencia de conmutación puede mejorar significativamente prestaciones dinámicas de convertidores de potencia. Almacenamiento de energía pequeña y el período de conmutación corto conducen a una respuesta transitoria del convertidor más rápida en presencia de las variaciones de la tensión de entrada o de la carga. Las limitaciones más importantes del incremento de la frecuencia de conmutación se relacionan con mayores pérdidas del núcleo magnético convencional, así como las pérdidas de los devanados debido a los efectos pelicular y proximidad. También, un problema potencial es el aumento de los efectos de los elementos parásitos de los componentes magnéticos - inductancia de dispersión y la capacidad entre los devanados - que causan pérdidas adicionales debido a las corrientes no deseadas. Otro factor limitante supone el incremento de las pérdidas de conmutación y el aumento de la influencia de los elementos parásitos (pistas de circuitos impresos, interconexiones y empaquetado) en el comportamiento del circuito. El uso de topologías resonantes puede abordar estos problemas mediante el uso de las técnicas de conmutaciones suaves para reducir las pérdidas de conmutación incorporando los parásitos en los elementos del circuito. Sin embargo, las mejoras de rendimiento se reducen significativamente debido a las corrientes circulantes cuando el convertidor opera fuera de las condiciones de funcionamiento nominales. A medida que la tensión de entrada o la carga cambian las corrientes circulantes incrementan en comparación con aquellos en condiciones de funcionamiento nominales. Se pueden obtener muchos beneficios potenciales de la operación de convertidores resonantes a más alta frecuencia si se emplean en aplicaciones con condiciones de tensión de entrada favorables como las que se encuentran en las arquitecturas de potencia distribuidas. La regulación de la carga y en particular la regulación de la tensión de entrada reducen tanto la densidad de potencia del convertidor como el rendimiento. Debido a la relativamente constante tensión de bus que se encuentra en arquitecturas de potencia distribuidas los convertidores resonantes son adecuados para el uso en convertidores de tipo bus (transformadores cc/cc de estado sólido). En el mercado ya están disponibles productos comerciales de transformadores cc/cc de dos puertos que tienen muy alta densidad de potencia y alto rendimiento se basan en convertidor resonante serie que opera justo en la frecuencia de resonancia y en el orden de los megahercios. Sin embargo, las mejoras futuras en el rendimiento de las arquitecturas de potencia se esperan que vengan del uso de dos o más buses de distribución de baja tensión en vez de una sola. Teniendo eso en cuenta, el objetivo principal de esta tesis es aplicar el concepto del convertidor resonante serie que funciona en su punto óptimo en un nuevo transformador cc/cc bidireccional de puertos múltiples para atender las necesidades futuras de las arquitecturas de potencia. El nuevo transformador cc/cc bidireccional de puertos múltiples se basa en la topología de convertidor resonante serie y reduce a sólo uno el número de componentes magnéticos. Conmutaciones suaves de los interruptores hacen que sea posible la operación en las altas frecuencias de conmutación para alcanzar altas densidades de potencia. Los problemas posibles con respecto a inductancias parásitas se eliminan, ya que se absorben en los Resumen elementos del circuito. El convertidor se caracteriza con una muy buena regulación de la carga propia y cruzada debido a sus pequeñas impedancias de salida intrínsecas. El transformador cc/cc de puertos múltiples opera a una frecuencia de conmutación fija y sin regulación de la tensión de entrada. En esta tesis se analiza de forma teórica y en profundidad el funcionamiento y el diseño de la topología y del transformador, modelándolos en detalle para poder optimizar su diseño. Los resultados experimentales obtenidos se corresponden con gran exactitud a aquellos proporcionados por los modelos. El efecto de los elementos parásitos son críticos y afectan a diferentes aspectos del convertidor, regulación de la tensión de salida, pérdidas de conducción, regulación cruzada, etc. También se obtienen los criterios de diseño para seleccionar los valores de los condensadores de resonancia para lograr diferentes objetivos de diseño, tales como pérdidas de conducción mínimas, la eliminación de la regulación cruzada o conmutación en apagado con corriente cero en plena carga de todos los puentes secundarios. Las conmutaciones en encendido con tensión cero en todos los interruptores se consiguen ajustando el entrehierro para obtener una inductancia magnetizante finita en el transformador. Se propone, además, un cambio en los señales de disparo para conseguir que la operación con conmutaciones en apagado con corriente cero de todos los puentes secundarios sea independiente de la variación de la carga y de las tolerancias de los condensadores resonantes. La viabilidad de la topología propuesta se verifica a través una extensa tarea de simulación y el trabajo experimental. La optimización del diseño del transformador de alta frecuencia también se aborda en este trabajo, ya que es el componente más voluminoso en el convertidor. El impacto de de la duración del tiempo muerto y el tamaño del entrehierro en el rendimiento del convertidor se analizan en un ejemplo de diseño de transformador cc/cc de tres puertos y cientos de vatios de potencia. En la parte final de esta investigación se considera la implementación y el análisis de las prestaciones de un transformador cc/cc de cuatro puertos para una aplicación de muy baja tensión y de decenas de vatios de potencia, y sin requisitos de aislamiento. Abstract Recently, switch mode power supplies (SMPS) have been used in a great variety of applications. The most challenging issue for designers of SMPS is to achieve simultaneously high efficiency operation at high power density. The size and weight of a power converter is dominated by the passive components since these elements are normally larger and heavier than other elements in the circuit. If the output power is constant, the stored amount of energy in the converter which is to be delivered to the load in each switching cycle is inversely proportional to the converter’s switching frequency. Therefore, increasing the switching frequency is considered a mean to achieve more compact solutions at higher power density levels. The importance of investigation in high switching frequency range comes from all the benefits that can be achieved. Besides the reduction in size of passive components, increasing switching frequency can significantly improve dynamic performances of power converters. Small energy storage and short switching period lead to faster transient response of the converter against the input voltage and load variations. The most important limitations for pushing up the switching frequency are related to increased conventional magnetic core loss as well as the winding loss due to the skin and proximity effect. A potential problem is also increased magnetic parasitics – leakage inductance and capacitance between the windings – that cause additional loss due to unwanted currents. Higher switching loss and the increased influence of printed circuit boards, interconnections and packaging on circuit behavior is another limiting factor. Resonant power conversion can address these problems by using soft switching techniques to reduce switching loss incorporating the parasitics into the circuit elements. However the performance gains are significantly reduced due to the circulating currents when the converter operates out of the nominal operating conditions. As the input voltage or the load change the circulating currents become higher comparing to those ones at nominal operating conditions. Multiple Input-Output Many potential gains from operating resonant converters at higher switching frequency can be obtained if they are employed in applications with favorable input voltage conditions such as those found in distributed power architectures. Load and particularly input voltage regulation reduce a converter’s power density and efficiency. Due to a relatively constant bus voltage in distributed power architectures the resonant converters are suitable for bus voltage conversion (dc/dc or solid state transformation). Unregulated two port dc/dc transformer products achieving very high power density and efficiency figures are based on series resonant converter operating just at the resonant frequency and operating in the megahertz range are already available in the market. However, further efficiency improvements of power architectures are expected to come from using two or more separate low voltage distribution buses instead of a single one. The principal objective of this dissertation is to implement the concept of the series resonant converter operating at its optimum point into a novel bidirectional multiple port dc/dc transformer to address the future needs of power architectures. The new multiple port dc/dc transformer is based on a series resonant converter topology and reduces to only one the number of magnetic components. Soft switching commutations make possible high switching frequencies to be adopted and high power densities to be achieved. Possible problems regarding stray inductances are eliminated since they are absorbed into the circuit elements. The converter features very good inherent load and cross regulation due to the small output impedances. The proposed multiple port dc/dc transformer operates at fixed switching frequency without line regulation. Extensive theoretical analysis of the topology and modeling in details are provided in order to compare with the experimental results. The relationships that show how the output voltage regulation and conduction losses are affected by the circuit parasitics are derived. The methods to select the resonant capacitor values to achieve different design goals such as minimum conduction losses, elimination of cross regulation or ZCS operation at full load of all the secondary side bridges are discussed. ZVS turn-on of all the switches is achieved by relying on the finite magnetizing inductance of the Abstract transformer. A change of the driving pattern is proposed to achieve ZCS operation of all the secondary side bridges independent on load variations or resonant capacitor tolerances. The feasibility of the proposed topology is verified through extensive simulation and experimental work. The optimization of the high frequency transformer design is also addressed in this work since it is the most bulky component in the converter. The impact of dead time interval and the gap size on the overall converter efficiency is analyzed on the design example of the three port dc/dc transformer of several hundreds of watts of the output power for high voltage applications. The final part of this research considers the implementation and performance analysis of the four port dc/dc transformer in a low voltage application of tens of watts of the output power and without isolation requirements.

Broadband active differential array for the mid-frequency SKA band

This paper presents the design and characterization process of an active array demonstrator for the mid-frequency range (i.e., 300 MHz-1000 MHz) of the future Square Kilometre Array (SKA) radio telescope. This demonstrator, called FIDA3 (FG-IGN: Fundación General Instituto Geográfico Nacional - Differential Active Antenna Array), is part of the Spanish contribution for the SKA project. The main advantages provided by this design include the use of a dielectric-free structure, and the use of a fully-differential receiver in which differential low-noise amplifiers (LNAs) are directly connected to the balanced tapered-slot antennas (TSAs). First, the radiating structure and the differential low-noise amplifiers were separately designed and measured, obtaining good results (antenna elements with low voltage standing-wave ratios, array scanning capabilities up to 45°, and noise temperatures better than 52 K with low-noise amplifiers at room temperature). The potential problems due to the differential nature of the proposed solution are discussed, so some effective methods to overcome such limitations are proposed. Second, the complete active antenna array receiving system was assembled, and a 1 m2 active antenna array tile was characterized.

Modal liquid crystal microaxicon array

A novel tunable liquid crystal microaxicon array is proposed and experimentally demonstrated. The proposed structure is capable of generating tunable axicons (thousands of elements) of micrometric size, with simple control (four control voltages) and low voltage, and is totally reconfigurable. Depending on the applied voltages, control over the diameter, as well as the effective wedge angle, can be achieved. Controls over the diameter ranging from 107 to 77 μm have been demonstrated. In addition, a control over the phase profile tunability, from 12π to 24π radians, has been demonstrated. This result modifies the effective cone angle. The diameter tunability, as well the effective cone angle, results in a control over the nondiffractive Bessel beam distance. The RMS wavefront deviation from the ideal axicon is only λ∕3. The proposed device has several advantages over the existing microaxicon arrays, including being simple having a low cost. The device could contribute to developing new applications and to reducing the fabrication costs of current devices.

Design and Simulation of Deep Nanometer SRAM Cells under Energy, Mismatch, and Radiation Constraints

La fiabilidad está pasando a ser el principal problema de los circuitos integrados según la tecnología desciende por debajo de los 22nm. Pequeñas imperfecciones en la fabricación de los dispositivos dan lugar ahora a importantes diferencias aleatorias en sus características eléctricas, que han de ser tenidas en cuenta durante la fase de diseño. Los nuevos procesos y materiales requeridos para la fabricación de dispositivos de dimensiones tan reducidas están dando lugar a diferentes efectos que resultan finalmente en un incremento del consumo estático, o una mayor vulnerabilidad frente a radiación. Las memorias SRAM son ya la parte más vulnerable de un sistema electrónico, no solo por representar más de la mitad del área de los SoCs y microprocesadores actuales, sino también porque las variaciones de proceso les afectan de forma crítica, donde el fallo de una única célula afecta a la memoria entera. Esta tesis aborda los diferentes retos que presenta el diseño de memorias SRAM en las tecnologías más pequeñas. En un escenario de aumento de la variabilidad, se consideran problemas como el consumo de energía, el diseño teniendo en cuenta efectos de la tecnología a bajo nivel o el endurecimiento frente a radiación. En primer lugar, dado el aumento de la variabilidad de los dispositivos pertenecientes a los nodos tecnológicos más pequeños, así como a la aparición de nuevas fuentes de variabilidad por la inclusión de nuevos dispositivos y la reducción de sus dimensiones, la precisión del modelado de dicha variabilidad es crucial. Se propone en la tesis extender el método de inyectores, que modela la variabilidad a nivel de circuito, abstrayendo sus causas físicas, añadiendo dos nuevas fuentes para modelar la pendiente sub-umbral y el DIBL, de creciente importancia en la tecnología FinFET. Los dos nuevos inyectores propuestos incrementan la exactitud de figuras de mérito a diferentes niveles de abstracción del diseño electrónico: a nivel de transistor, de puerta y de circuito. El error cuadrático medio al simular métricas de estabilidad y prestaciones de células SRAM se reduce un mínimo de 1,5 veces y hasta un máximo de 7,5 a la vez que la estimación de la probabilidad de fallo se mejora en varios ordenes de magnitud. El diseño para bajo consumo es una de las principales aplicaciones actuales dada la creciente importancia de los dispositivos móviles dependientes de baterías. Es igualmente necesario debido a las importantes densidades de potencia en los sistemas actuales, con el fin de reducir su disipación térmica y sus consecuencias en cuanto al envejecimiento. El método tradicional de reducir la tensión de alimentación para reducir el consumo es problemático en el caso de las memorias SRAM dado el creciente impacto de la variabilidad a bajas tensiones. Se propone el diseño de una célula que usa valores negativos en la bit-line para reducir los fallos de escritura según se reduce la tensión de alimentación principal. A pesar de usar una segunda fuente de alimentación para la tensión negativa en la bit-line, el diseño propuesto consigue reducir el consumo hasta en un 20 % comparado con una célula convencional. Una nueva métrica, el hold trip point se ha propuesto para prevenir nuevos tipos de fallo debidos al uso de tensiones negativas, así como un método alternativo para estimar la velocidad de lectura, reduciendo el número de simulaciones necesarias. Según continúa la reducción del tamaño de los dispositivos electrónicos, se incluyen nuevos mecanismos que permiten facilitar el proceso de fabricación, o alcanzar las prestaciones requeridas para cada nueva generación tecnológica. Se puede citar como ejemplo el estrés compresivo o extensivo aplicado a los fins en tecnologías FinFET, que altera la movilidad de los transistores fabricados a partir de dichos fins. Los efectos de estos mecanismos dependen mucho del layout, la posición de unos transistores afecta a los transistores colindantes y pudiendo ser el efecto diferente en diferentes tipos de transistores. Se propone el uso de una célula SRAM complementaria que utiliza dispositivos pMOS en los transistores de paso, así reduciendo la longitud de los fins de los transistores nMOS y alargando los de los pMOS, extendiéndolos a las células vecinas y hasta los límites de la matriz de células. Considerando los efectos del STI y estresores de SiGe, el diseño propuesto mejora los dos tipos de transistores, mejorando las prestaciones de la célula SRAM complementaria en más de un 10% para una misma probabilidad de fallo y un mismo consumo estático, sin que se requiera aumentar el área. Finalmente, la radiación ha sido un problema recurrente en la electrónica para aplicaciones espaciales, pero la reducción de las corrientes y tensiones de los dispositivos actuales los está volviendo vulnerables al ruido generado por radiación, incluso a nivel de suelo. Pese a que tecnologías como SOI o FinFET reducen la cantidad de energía colectada por el circuito durante el impacto de una partícula, las importantes variaciones de proceso en los nodos más pequeños va a afectar su inmunidad frente a la radiación. Se demuestra que los errores inducidos por radiación pueden aumentar hasta en un 40 % en el nodo de 7nm cuando se consideran las variaciones de proceso, comparado con el caso nominal. Este incremento es de una magnitud mayor que la mejora obtenida mediante el diseño de células de memoria específicamente endurecidas frente a radiación, sugiriendo que la reducción de la variabilidad representaría una mayor mejora. ABSTRACT Reliability is becoming the main concern on integrated circuit as the technology goes beyond 22nm. Small imperfections in the device manufacturing result now in important random differences of the devices at electrical level which must be dealt with during the design. New processes and materials, required to allow the fabrication of the extremely short devices, are making new effects appear resulting ultimately on increased static power consumption, or higher vulnerability to radiation SRAMs have become the most vulnerable part of electronic systems, not only they account for more than half of the chip area of nowadays SoCs and microprocessors, but they are critical as soon as different variation sources are regarded, with failures in a single cell making the whole memory fail. This thesis addresses the different challenges that SRAM design has in the smallest technologies. In a common scenario of increasing variability, issues like energy consumption, design aware of the technology and radiation hardening are considered. First, given the increasing magnitude of device variability in the smallest nodes, as well as new sources of variability appearing as a consequence of new devices and shortened lengths, an accurate modeling of the variability is crucial. We propose to extend the injectors method that models variability at circuit level, abstracting its physical sources, to better model sub-threshold slope and drain induced barrier lowering that are gaining importance in FinFET technology. The two new proposed injectors bring an increased accuracy of figures of merit at different abstraction levels of electronic design, at transistor, gate and circuit levels. The mean square error estimating performance and stability metrics of SRAM cells is reduced by at least 1.5 and up to 7.5 while the yield estimation is improved by orders of magnitude. Low power design is a major constraint given the high-growing market of mobile devices that run on battery. It is also relevant because of the increased power densities of nowadays systems, in order to reduce the thermal dissipation and its impact on aging. The traditional approach of reducing the voltage to lower the energy consumption if challenging in the case of SRAMs given the increased impact of process variations at low voltage supplies. We propose a cell design that makes use of negative bit-line write-assist to overcome write failures as the main supply voltage is lowered. Despite using a second power source for the negative bit-line, the design achieves an energy reduction up to 20% compared to a conventional cell. A new metric, the hold trip point has been introduced to deal with new sources of failures to cells using a negative bit-line voltage, as well as an alternative method to estimate cell speed, requiring less simulations. With the continuous reduction of device sizes, new mechanisms need to be included to ease the fabrication process and to meet the performance targets of the successive nodes. As example we can consider the compressive or tensile strains included in FinFET technology, that alter the mobility of the transistors made out of the concerned fins. The effects of these mechanisms are very dependent on the layout, with transistor being affected by their neighbors, and different types of transistors being affected in a different way. We propose to use complementary SRAM cells with pMOS pass-gates in order to reduce the fin length of nMOS devices and achieve long uncut fins for the pMOS devices when the cell is included in its corresponding array. Once Shallow Trench isolation and SiGe stressors are considered the proposed design improves both kinds of transistor, boosting the performance of complementary SRAM cells by more than 10% for a same failure probability and static power consumption, with no area overhead. While radiation has been a traditional concern in space electronics, the small currents and voltages used in the latest nodes are making them more vulnerable to radiation-induced transient noise, even at ground level. Even if SOI or FinFET technologies reduce the amount of energy transferred from the striking particle to the circuit, the important process variation that the smallest nodes will present will affect their radiation hardening capabilities. We demonstrate that process variations can increase the radiation-induced error rate by up to 40% in the 7nm node compared to the nominal case. This increase is higher than the improvement achieved by radiation-hardened cells suggesting that the reduction of process variations would bring a higher improvement.

A methodology to analyze, design and implement very fast and robust controls of Buck-type converters

La electrónica digital moderna presenta un desafío a los diseñadores de sistemas de potencia. El creciente alto rendimiento de microprocesadores, FPGAs y ASICs necesitan sistemas de alimentación que cumplan con requirimientos dinámicos y estáticos muy estrictos. Específicamente, estas alimentaciones son convertidores DC-DC de baja tensión y alta corriente que necesitan ser diseñados para tener un pequeño rizado de tensión y una pequeña desviación de tensión de salida bajo transitorios de carga de una alta pendiente. Además, dependiendo de la aplicación, se necesita cumplir con otros requerimientos tal y como proveer a la carga con ”Escalado dinámico de tensión”, donde el convertidor necesitar cambiar su tensión de salida tan rápidamente posible sin sobreoscilaciones, o ”Posicionado Adaptativo de la Tensión” donde la tensión de salida se reduce ligeramente cuanto más grande sea la potencia de salida. Por supuesto, desde el punto de vista de la industria, las figuras de mérito de estos convertidores son el coste, la eficiencia y el tamaño/peso. Idealmente, la industria necesita un convertidor que es más barato, más eficiente, más pequeño y que aún así cumpla con los requerimienos dinámicos de la aplicación. En este contexto, varios enfoques para mejorar la figuras de mérito de estos convertidores se han seguido por la industria y la academia tales como mejorar la topología del convertidor, mejorar la tecnología de semiconducores y mejorar el control. En efecto, el control es una parte fundamental en estas aplicaciones ya que un control muy rápido hace que sea más fácil que una determinada topología cumpla con los estrictos requerimientos dinámicos y, consecuentemente, le da al diseñador un margen de libertar más amplio para mejorar el coste, la eficiencia y/o el tamaño del sistema de potencia. En esta tesis, se investiga cómo diseñar e implementar controles muy rápidos para el convertidor tipo Buck. En esta tesis se demuestra que medir la tensión de salida es todo lo que se necesita para lograr una respuesta casi óptima y se propone una guía de diseño unificada para controles que sólo miden la tensión de salida Luego, para asegurar robustez en controles muy rápidos, se proponen un modelado y un análisis de estabilidad muy precisos de convertidores DC-DC que tienen en cuenta circuitería para sensado y elementos parásitos críticos. También, usando este modelado, se propone una algoritmo de optimización que tiene en cuenta las tolerancias de los componentes y sensados distorsionados. Us ando este algoritmo, se comparan controles muy rápidos del estado del arte y su capacidad para lograr una rápida respuesta dinámica se posiciona según el condensador de salida utilizado. Además, se propone una técnica para mejorar la respuesta dinámica de los controladores. Todas las propuestas se han corroborado por extensas simulaciones y prototipos experimentales. Con todo, esta tesis sirve como una metodología para ingenieros para diseñar e implementar controles rápidos y robustos de convertidores tipo Buck. ABSTRACT Modern digital electronics present a challenge to designers of power systems. The increasingly high-performance of microprocessors, FPGAs (Field Programmable Gate Array) and ASICs (Application-Specific Integrated Circuit) require power supplies to comply with very demanding static and dynamic requirements. Specifically, these power supplies are low-voltage/high-current DC-DC converters that need to be designed to exhibit low voltage ripple and low voltage deviation under high slew-rate load transients. Additionally, depending on the application, other requirements need to be met such as to provide to the load ”Dynamic Voltage Scaling” (DVS), where the converter needs to change the output voltage as fast as possible without underdamping, or ”Adaptive Voltage Positioning” (AVP) where the output voltage is slightly reduced the greater the output power. Of course, from the point of view of the industry, the figures of merit of these converters are the cost, efficiency and size/weight. Ideally, the industry needs a converter that is cheaper, more efficient, smaller and that can still meet the dynamic requirements of the application. In this context, several approaches to improve the figures of merit of these power supplies are followed in the industry and academia such as improving the topology of the converter, improving the semiconductor technology and improving the control. Indeed, the control is a fundamental part in these applications as a very fast control makes it easier for the topology to comply with the strict dynamic requirements and, consequently, gives the designer a larger margin of freedom to improve the cost, efficiency and/or size of the power supply. In this thesis, how to design and implement very fast controls for the Buck converter is investigated. This thesis proves that sensing the output voltage is all that is needed to achieve an almost time-optimal response and a unified design guideline for controls that only sense the output voltage is proposed. Then, in order to assure robustness in very fast controls, a very accurate modeling and stability analysis of DC-DC converters is proposed that takes into account sensing networks and critical parasitic elements. Also, using this modeling approach, an optimization algorithm that takes into account tolerances of components and distorted measurements is proposed. With the use of the algorithm, very fast analog controls of the state-of-the-art are compared and their capabilities to achieve a fast dynamic response are positioned de pending on the output capacitor. Additionally, a technique to improve the dynamic response of controllers is also proposed. All the proposals are corroborated by extensive simulations and experimental prototypes. Overall, this thesis serves as a methodology for engineers to design and implement fast and robust controls for Buck-type converters.

Antisense oligonucleotides against rat brain α1E DNA and its atrial homologue decrease T-type calcium current in atrial myocytes

Low voltage-activated, or T-type, calcium currents are important regulators of neuronal and muscle excitability, secretion, and possibly cell growth and differentiation. The gene (or genes) coding for the pore-forming subunit of low voltage-activated channel proteins has not been unequivocally identified. We have used reverse transcription–PCR to identify partial clones from rat atrial myocytes that share high homology with a member of the E class of calcium channel genes. Antisense oligonucleotides targeting one of these partial clones (raE1) specifically block the increase in T-current density that normally results when atrial myocytes are treated with insulin-like growth factor 1 (IGF-1). Antisense oligonucleotides targeting portions of the neuronal rat α1E sequence, which are not part of the clones detected in atrial tissue, also block the IGF-1-induced increase in T-current, suggesting that the high homology to α1E seen in the partial clone may be present in the complete atrial sequence. The basal T-current expressed in these cells is also blocked by antisense oligonucleotides, which is consistent with the notion that IGF-1 up-regulates the same gene that encodes the basal current. These results support the hypothesis that a member of the E class of calcium channel genes encodes a low voltage-activated calcium channel in atrial myocytes.

Efficient and regulated erythropoietin production by naked DNA injection and muscle electroporation

We show that an electric treatment in the form of high-frequency, low-voltage electric pulses can increase more than 100-fold the production and secretion of a recombinant protein from mouse skeletal muscle. Therapeutical erythopoietin (EPO) levels were achieved in mice with a single injection of as little as 1 μg of plasmid DNA, and the increase in hematocrit after EPO production was stable and long-lasting. Pharmacological regulation through a tetracycline-inducible promoter allowed regulation of serum EPO and hematocrit levels. Tissue damage after stimulation was transient. The method described thus provides a potentially safe and low-cost treatment for serum protein deficiencies.

Altering the biochemical state of individual cultured cells and organelles with ultramicroelectrodes

We describe an efficient technique for the selective chemical and biological manipulation of the contents of individual cells. This technique is based on the electric-field-induced permeabilization (electroporation) in biological membranes using a low-voltage pulse generator and microelectrodes. A spatially highly focused electric field allows introduction of polar cell-impermeant solutes such as fluorescent dyes, fluorogenic reagents, and DNA into single cells. The high spatial resolution of the technique allows for design of, for example, cellular network constructions in which cells in close contact with each other can be made to possess different biochemical, biophysical, and morphological properties. Fluorescein, and fluo-3 (a calcium-sensitive fluorophore), are electroporated into the soma of cultured single progenitor cells derived from adult rat hippocampus. Fluo-3 also is introduced into individual submicrometer diameter processes of thapsigargin-treated progenitor cells, and a plasmid vector cDNA construct (pRAY 1), expressing the green fluorescent protein, is electroporated into cultured single COS 7 cells. At high electric field strengths, observations of dye-transfer into organelles are proposed.

Evidence for non-conservative current-induced forces in the breaking of Au and Pt atomic chains

This experimental work aims at probing current-induced forces at the atomic scale. Specifically it addresses predictions in recent work regarding the appearance of run-away modes as a result of a combined effect of the non-conservative wind force and a ‘Berry force’. The systems we consider here are atomic chains of Au and Pt atoms, for which we investigate the distribution of break down voltage values. We observe two distinct modes of breaking for Au atomic chains. The breaking at high voltage appears to behave as expected for regular break down by thermal excitation due to Joule heating. However, there is a low-voltage breaking mode that has characteristics expected for the mechanism of current-induced forces. Although a full comparison would require more detailed information on the individual atomic configurations, the systems we consider are very similar to those considered in recent model calculations and the comparison between experiment and theory is very encouraging for the interpretation we propose.

Análise do regime de produção distribuída fotovoltaica para autoconsumo

Tese de mestrado integrado em Engenharia da Energia e do Ambiente, apresentada à Universidade de Lisboa, através da Faculdade de Ciências, 2016

Electrophysiologic assessment of conduction abnormalities and atrial arrhythmias associated with amyloid cardiomyopathy.

BACKGROUND Arrhythmias in cardiac amyloidosis (CA) result in significant comorbidity and mortality but have not been well characterized. OBJECTIVE The purpose of this study was to define intracardiac conduction, atrial arrhythmia substrate, and ablation outcomes in a group of advanced CA patients referred for electrophysiologic study. METHODS Electrophysiologic study with or without catheter ablation was performed in 18 CA patients. Findings and catheter ablation outcomes were compared to age- and gender-matched non-CA patients undergoing catheter ablation of persistent atrial fibrillation (AF). RESULTS Supraventricular tachycardias were seen in all 18 CA patients (1 AV nodal reentrant tachycardia, 17 persistent atrial tachycardia [AT]/AF). The HV interval was prolonged (>55 ms) in all CA patients, including 6 with normal QRS duration (≤100 ms). Thirteen supraventricular tachycardia ablations were performed in 11 patients. Of these, 7 underwent left atrial (LA) mapping and ablation for persistent AT/AF. Compared to non-CA age-matched comparator AF patients, CA patients had more extensive areas of low-voltage areas LA (63% ± 22% vs 34% ± 22%, P = .009) and a greater number of inducible ATs (3.3 ± 1.9 ATs vs 0.2 ± 0.4 ATs, P <.001). The recurrence rate for AT/AF 1 year after ablation was greater in CA patients (83% vs 25%), and the hazard ratio for postablation AT/AF recurrence in CA patients was 5.4 (95% confidence interval 1.9-35.5, P = .007). CONCLUSION In this group of patients with advanced CA and atrial arrhythmias, there was extensive conduction system disease and LA endocardial voltage abnormality. Catheter ablation persistent AT/AF in advanced CA was associated with a high recurrence rate and appears to have a limited role in control of these arrhythmias.