Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots

We have observed an unusual temperature sensitivity of the photoluminescence (PL) peak energy for InAs quantum dots grown on InAs quantum wires (QDOWs) on InP substrate. The net temperature shift of PL wavelength of the QDOWs ranges from 0.8 to -4. angstrom/degrees C depending upon the Si doping concentration in the samples. This unusual temperature behavior can be mainly ascribed to the stress amplification in the QDOWs when the thermal strain is transferred from the surrounding InAs wires. This offers an opportunity for realizing quantum dot laser devices with a temperature insensitive lasing wavelength. (c) 2006 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films

Deep level transient spectroscopy measurements were used to characterize the electrical properties of metal organic chemical vapor deposition grown undoped, Er-implanted and Pr-implanted GaN films. Only one deep level located at 0.270 eV below the conduction band was found in the as-grown GaN films. But four defect levels located at 0.300 eV, 0.188 eV, 0.600 eV and 0.410 eV below the conduction band were found in the Er-implanted GaN films after annealing at 900 degrees C for 30 min, and four defect levels located at 0.280 eV, 0.190 eV, 0.610 eV and 0.390 eV below the conduction band were found in the Pr-implanted GaN films after annealing at 1050 degrees C for 30min. The origins of the deep defect levels are discussed. After annealing at 900 degrees C for 30min in a nitrogen flow, Er-related 1538nm luminescence peaks could be observed for the Er-implanted GaN sample. The energy-transfer and luminescence mechanism of the Er-implanted GaN film are described.

A narrow photoluminescence linewidth of 19.2 meV at 1.35 mu m from In0.5Ga0.5As/GaAs quantum island structure grown by molecular beam epitaxy

A self-organized In0.5Ga0.5As/GaAs quantum island structure emitting at 1.35 mum at room temperature has been successfully fabricated by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(1)/GaAs)(1)monolayer deposition method. The photoluminescence measurement shows that a very narrow linewidth of 19.2 meV at 300 K has been reached for the first time, indicating effective suppression of inhomogeneous broadening of optical emission from the In0.5Ga0.5As island structure due to indium segregation reduction by introducing an AlAs layer and the strain reduction by inserting an In0.2Ga0.8As layer overgrown on the top of islands. The mound-like morphology of the islands elongated along the [1 (1) over bar0] azimuth are observed by the atomic force microscopy measurement, which reveals the fact that strain in the islands is partially relaxed along the [1 (1) over bar0] direction. Our results present important information for the fabrication of 1.3 mum wavelength quantum dot devices.

Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films

The correlation between the energy band-gap of AlxGa1-xN epitaxial thin films and lattice strain was investigated using both High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD) and Spectroscopic Ellipsometry (SE). The Al fraction, lattice relaxation, and elastic lattice strain were determined for all AlxGa1-xN epilayers, and the energy gap as well. Given the type of intermediate layer, a correlation trend was found between energy band-gap bowing parameter and lattice mismatch, the higher the lattice mismatch is, the smaller the bowing parameter (b) will be.

Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD

Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structures with significantly high mobility have been grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on sapphire substrates. At room temperature (RT) a Hall mobility of 2104 cm(2)/Vs and a two-dimensional electron gas (2DEG) density of 1.1x10(13) cm(-2) are achieved, corresponding to a sheet resistance of 277.8 Omega/sq. The elimination of V-shaped defects were observed on Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structures and correlated with the increase of 2DEG mobility. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co KGaA, Weinheim.

优先级有限时的单处理器静态优先级调度

静态优先级调度在实际应用中经常受到系统支持的优先级个数的影响,当任务个数多于系统优先级个数时,需要将几个任务优先级映射成一个系统优先级.这可能引起优先级映射问题,使映射前可调度的系统(任务集合)在映射后变得不可调度.解决这一问题需要减少时间复杂度的映射算法和判定映射后任务可调度性的充分必要条件主要存在3种映射算法:(1)按照任务优先级递减顺序进行映射的DPA(decreasingpriorityassignment)算法;(2)按照优先级递增顺序进行映射的IPA(Increasingpriorityassignment)算法;(3)阈值段间映射法(thresholdsegmentmapping,简称TSM).描述了3种算法的实现和判定条件,论述并证明了算法特性,分析并通过仿真实验比较了算法的性能,最后总结了3种算法各自的适用场合.比较结果和结论对实时嵌入式系统的设计和实现具有一定的参考价值.

Web容器性能关键技术研究

基于Java EE技术的Web容器已经成为面向Web计算环境的主流中间件平台，它为创建、部署、运行、集成和管理企业Web组件提供了基础设施支持。然而，企业用户规模的不断增长与企业Web应用程序的日趋复杂使得Web容器的性能面临严峻的威胁。 影响服务器性能的主要因素是服务器的资源与负载。在传统服务器设计领域，研究者已经取得了一系列的研究成果，如资源管理、准入控制、动态缓存、差分服务等。然而，上述传统服务器领域的研究成果难以满足开放、动态的Web计算环境需求。首先，Web容器无法预先获知企业Web应用程序的资源需求与负载特征，这使得它不得不采用一种“尽力而为”的服务策略。其次，传统资源管理技术难以解决不同资源之间的管理冲突，影响了资源的利用率。最后，传统的负载管理技术侧重于负载规模的变化，很少考虑负载的组成特征与行为特征。为解决上述问题，论文提出了一种面向资源的分阶段体系结构ROSA，并研究了基于ROSA的动态缓存技术与差分服务技术，具体研究内容如下： 论文首先提出了面向资源的分阶段体系结构ROSA，它将请求处理所需的处理资源（主要指线程）与共享资源加以区分，并且通过分阶段体系结构设计来有效解决处理资源阻塞。同时，论文扩展Petri网模型给出了ROSA体系结构的描述模型RDM与性能模型RPM，前者用于验证ROSA体系结构设计方案的结构性质与行为性质，后者用于定量的计算ROSA体系结构设计方案的平均响应时间、吞吐率等性能指标。最后，论文提出了相关设计模式用于ROSA体系结构的开发。 论文提出了一种访问模式驱动的动态缓存机制，消除了Web容器、Web组件与动态缓存机制的耦合，并能够利用客户访问模式提高Web容器的缓存效率。首先，论文设计了Web容器动态缓存框架来缓存Web组件动态生成的Web内容，减少Web组件的重复执行。然后，论文设计了模式图描述客户的访问行为，有效的消除了传统马尔可夫模型引入的无效访问行为。最后，论文在模式图基础上分别基于会话和缓存对象设计了两个预测概率函数以及访问模式驱动的缓存替换算法，有效的提高了动态缓存机制的效率。 论文提出了一种自适应差分服务机制以满足Web容器剧烈变化的负载，同时为企业Web应用程序的差分服务需求提供支持。首先，论文基于客户行为特征设计了动态的会话优先级，弥补了传统静态优先级定义（客户优先级、请求优先级）无法描述客户行为优先级的缺点。然后，通过扩展ROSA体系结构设计，提供了准入控制、优先级调度、资源预留等多种差分服务策略，从而适应Web容器的不同负载。最后，论文设计了自适应差分服务策略选择算法，根据Web容器负载状况自适应选择差分服务策略，消除了单一差分服务策略在某些情况下出现的资源浪费、请求“饿死”、不必要的请求丢失现象，保障了关键请求的性能指标。 最后，以上研究成果已经应用在一个高性能的Web容器系统Once Web容器中。在Java EE性能测试基准TPC-W的测试中取得了较好的效果。

特权约束系统职责隔离问题研究

特权控制操作系统最重要的资源，需要应用职责隔离原则，确保特权安全．与现有研究不同，从特权隐式授权方面探讨对职责隔离的支持问题．通过分析特权来源，将特权定义分解为约束规则与执行规则，弥补了现有访问控制研究中对权限效果描述不足的缺陷．两类规则间的逻辑推导说明授权间的推导关系，即特权问存在隐式授权，可能不满足职责隔离要求．利用授权推导关系图准确而全面地反映了特权机制的所有隐式授权．从特权的职责隔离属性，及职责隔离对特权的机制要求两方面探讨上层职责隔离需求与底层特权控制实施的一致性问题．以目前广泛应用的POSIX权能机制为例，给出其形式化模型BMPS模型的定义，指出该机制支持职责隔离存在的问题，并对该机制进行了改进，给出满足职责隔离要求的特权策略实施方案．

挣值法在软件项目成本和进度监控中的应用

针对软件项目存在"产品进度延误,费用剧增"的问题,以挣值法作为理论基础,结合软件项目的开发过程,通过应用挣值法的计划投资额、实际投资额、完成投资额三个关键中间变量,费用偏差、进度偏差二个差异分析变量指标和成本偏差率、进度偏差二个指标变量的指标统计分析软件项目成本花费、进度执行情况,为软件项目成本、进度的联合监控提供依据,使项目管理工作目标清晰,过程控制高效有序,从整体上良好地把握了软件项目的运行状态,实现了对软件项目成本和进度的监控.

一种新的笔式交互范式的可用性评估

笔式用户界面是Post-WIMP界面的一种重要形态，具有自然、和谐的交互特性。尽管笔式用户界面广泛应用于无处不在计算环境中，但很少专门对它的可用性进行评估。针对笔式用户界面的特征，提出了一种新的笔式用户界面范式，基于此范式设计并实现了一个面向教学的笔式交互系统(PenOffice)，利用此系统对范式从易学性、效率、出错率和用户满意度这几个方面进行了可用性评估，从中分析了笔式用户界面以及这种新的界面范式的优点和不足。

La2Zr2O7的增韧及陶瓷纤维的制备

La2Zr2O7是一种近年来才提出的新型热障涂层材料，该材料熔点高，在熔点以下不发生相变，热导率低，抗烧结及没有氧传输发生，这些特点使得它作为一种高温下应用的热障涂层材料越来越引起人们的重视。但是，由于该材料的热膨胀系数和断裂韧性比较低，它的实际应用受到了限制。 在本论文中，使用高压烧结的方法获得了致密化的纳米La2Zr2O7块体材料，并对其断裂韧性和热膨胀系数进行了研究。得到的La2Zr2O7纳米材料的断裂韧性和热膨胀系数分别为1.98MPam1/2和9.6×10-6K-1 (200-1000℃)，这些数值明显高于非纳米的La2Zr2O7陶瓷(断裂韧性和热膨胀系数分别为1.40 MPam1/2 和 9.1×10-6 K-1，该结果表明纳米化是一种提高材料断裂韧性和热膨胀系数的有效方法。在La2Zr2O7纳米粉末中加入8YSZ纳米颗粒，高压烧结后使其颗粒充分生长，在得到的复相化合物中观察到形成了类似棒状晶体的自增韧相，使得复合材料的断裂韧性(1.88 MPam1/2)比La2Zr2O7有所提高，甚至超过了同样条件下制备的8YSZ样品的断裂韧性。 La2Zr2O7的断裂韧性也可以通过在基体中添加BaTiO3铁电材料得到明显的提高。当添加BaTiO3的体积含量达到10vol％时，4.5GPa，1450℃高压烧结10min得到的复合材料断裂韧性达1.98 MPam1/2，明显高于同条件下烧结的La2Zr2O7 (1.60MPam1/2)。应力诱导下BaTiO3的电畴转向是主要的增韧原因。随着BaTiO3颗粒添加的体积含量增加，复相化合物的热膨胀系数也明显提高。当掺杂20vol％BaTiO3时，得到的复合材料平均热膨胀系数达到10.2×10-6K-1 (150~1200℃)。 我们通过在4.5GPa, 1650℃高压烧结5min的方法还获得了掺杂YAG纳米颗粒的La2Zr2O7纳米复相陶瓷。在室温下测量了材料的维氏硬度，并通过压痕裂纹长度计算出了材料的断裂韧性。随着YAG纳米颗粒体积含量的增加，纳米复相陶瓷的断裂韧性和维氏硬度都依次增加，当添加20vol％的YAG纳米颗粒时达到最大，分别为1.93 MPam1/2和11.45GPa。断裂韧性增加的机理可归结为以下三点：一是YAG纳米颗粒的添加提高了La2Zr2O7基体的晶界强度，二是基体晶粒尺寸变化的影响，三是YAG纳米颗粒对裂纹的偏转和钉扎作用。添加微米YAG颗粒的复相化合物因为和纳米复相陶瓷具有不同的增韧机制，因此断裂韧性的变化趋势也不相同，在掺入10vol％的YAG微米颗粒时，复合材料的断裂韧性最大，而后降低，当掺入YAG微米粒子的体积含量达到20vol％时，断裂韧性甚至低于La2Zr2O7。 从20世纪90年代开始，电纺作为一种合成纤维的办法越来越吸引人们的注意。其合成的纤维长度长，直径均匀，并且组成范围很广。最初，电纺只是被用来合成一些有机聚合物的纤维，最近，很多研究组开始致力于使用电纺的方法合成复合纤维或者陶瓷纤维。 在本论文中，我们使用电纺的方法获得了La2Zr2O7纳米纤维和SiC单晶纳米线。1000℃煅烧得到的La2Zr2O7纳米纤维具有烧绿石结构，直径在200~500nm之间。同样的温度煅烧时得到的La2Zr2O7纳米纤维的比表面积要明显高于粉末样品的，表明纤维的抗烧结性能比粉末的高。得到的SiC纳米线直径在50~100nm之间，表面有一约5nm厚的无定形的SiO2薄层。 使用电纺的方法，恰当的控制煅烧条件，我们获得了La2Ce2O7， La2(Zr0.745Ce0.386)2O7.524和8YSZ中空纤维。这种中空结构减小了粒子之间的接触面积，提高了材料的抗烧结性能。在扫描电镜分析的基础上，我们总结了这些中空纤维的形成过程。