OXYGEN ANALYSES IN HIGH-TC SUPERCONDUCTING FILMS BY MEV PROTON ELASTIC BACKSCATTERING

A technique for analysis of total oxygen contents in high-T(c) superconducting films is demonstrated. It uses elastic backscattering (EBS) of 1.5-2.5 MeV protons. By comparing the H EBS spectra from substrate materials, the absolute oxygen content in the films can be easily calculated. It is estimated that the analysis can be accurate to better than 5% for YBCO films with thicknesses from several hundred angstroms to several microns. Comparisons with RBS are given and advantages of this technique are shown.

硅微电子工业的发展限制及对策

简要介绍了硅微电子工业的发展状态、限制及对策.为了保持硅微电子工业的继续发展,主要的对策是利用新的结构材料以及新的器件结构和器件原理.在此基础上,介绍了新形势下硅微电子器件及电路辐射加固的考虑.

磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加

在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变.

叉指电光布拉格衍射光栅分析

叉指电光布拉格衍射光栅能够用于制作集成光学器件.将点匹配法扩展应用于叉指电光布拉格衍射光栅分析,将光栅各区域的势函数表示为该区域中满足拉普拉斯方程的一系列基函数的级数,匹配边界上有限个点的边界条件以确定出级数项的系数,从而得到叉指电极电场分布的解析表达式,在此基础上得到了叉指电光布拉格衍射光栅的一些重要的光学与电学特性参量.将分析结果与测量值进行了对比,发现二者十分吻合.所提出的分析方法简便快捷,精度高,所导出的电场分布的解析表达式和分析结果对叉指电光衍射光栅的优化设计具有重要的意义.

MSM光探测器的等效电路模型

国家自然科学基金

非对称双势垒结构中电子态的特异性

在包络波函数近似下自洽计算了非对称双热垒结构(DBS)中的电子态,并正确得到了积累区和中央势阱中准束缚能级E_(ac)、E_(we)随偏压变化的反交叉过程.结果首次揭示了结果适当选取DBS的入射垒厚度,随着外加电场不断增加,在过共振区积累层势阱和中央势阱会统一成一个大三解势阱的基态能级E_(com),E_(com)具有很好的二维性,这表明在过共振区DBS在入射端积累区中只存在二维电子.