授权策略集成关键技术研究

　　随着新兴分布式应用场景的不断涌现和企业组织受业务驱动影响下的安全需求逐步升级，传统访问控制手段和理念在诸如域间策略互操作、大规模策略处理、策略分析检测、访问判定实施效率、安全软件形态及开发模式等领域面临一系列的问题与挑战。本文基于这一现实背景和众多在研相关课题，针对访问授权策略集成涉及的若干关键技术展开理论研究和工程实践工作，主要取得了以下几个方面的成果： 1、对近年来域间互操作策略集成理论和技术的整体进展与演化进行细致梳理与剖析，从多维视角下对目前大量的域间授权互操作实现方案进行分类比较，详细分析典型方案的理论原理、技术优势和局限性，给出互操作策略集成理论发展的总体视图，概括了其基本特点和发展趋势。 2、在有向角色图的基础上提出一种具有动态自调节能力的域间映射规则演化模型，利用属性约束空间构建了节点间的演化语义，通过约束满足性系数和安全评定系数等相关的阈值评估实现映射规则调节机制，并给出完整的演化实施方案。解决了目前互操作场景中权限控制粒度过粗、映射关系不易改变以及缺乏演化语义等问题。 3、 基于规则状态思想提出面向XACML策略专有的规则冲突及规则冗余分析方法。该方案通过形式化推导分析了主体属性层次和资源属性层次操作关联导致的多种冲突类型及其本质原因，给出详细的冲突检测实施算法，实现冲突规则的域定位，利用状态覆盖思想分析造成规则冗余的原因，给出多种规则评估合并算法下的冗余判定定理。 4、针对策略规模缩减、高效策略索引等大规模策略处理的难点瓶颈，设计并实现了一种采用多层次优化技术的策略判定引擎。该引擎通过规则精化技术缩减策略库规模，利用判定结果缓存、属性缓存、策略缓存组成的多级缓存降低引擎和其他功能部件的通信损耗，基于两阶段策略索引技术提升策略检索及判定效率，通过仿真测试验证多层次优化技术带来的整体效率优势。 5、提出一种针对共性安全服务构件的开发组装和集成建模方法。利用面向切面编程、依赖注入、反射机制等技术搭建共性安全构件三层体系平台，通过BPEL语言编排安全服务构件的调用序列并设计安全访问业务流程，将构件开发与业务流程开发无缝结合，实现了快速拆卸、动态调整、实时组装的安全设施搭建平台。

网驰服务计算平台监测工具的设计与实现

Web服务作为面向服务计算范型的主要实现技术，能有效提高异构环境下分布式应用的开发效率，降低其开发成本。而Web服务应用系统的运行时质量保证及优化则可以通过采用监测机制实现。但是，由于Web服务具有高度的分布性、动态性，自主性等特点，Web服务应用系统的系统行为难以预期，这对Web服务应用的监测提出了很大的挑战。 论文首先分析了Web服务系统的监测需求，确定了Web服务QoS监测，流程运行时监测以及复合服务QoS评估三个方面的研究内容。在对以上问题进行深入分析的基础上，论文设计了一种基于监测事件时序图匹配的流程运行时监测方法。通过将BPEL流程转换成对应的监测事件时序图，并在运行时将监测事件与时序图进行动态匹配，解决了流程运行时监测中的监测事件展现乱序，流程执行路径难以确定等问题；通过综合考虑流程结构，流程执行历史信息和成员Web服务QoS，设计了一种复合服务QoS评估方法，能够对业务流程运行时动态服务绑定下的QoS进行评估，为业务流程的设计及运行时的服务选择提供了有力的依据。 最后论文基于网驰服务计算平台，设计和实现了服务计算平台监测工具，将前述研究成果引入其中。并通过在线旅游预订的应用案例，对监测工具进行了功能性测试。

事务监控器的Web服务支持

事务监控器是开发、部署、监控和管理分布式事务性应用的基础平台.随着Internet和企业应用集成的发展,许多应用要求能通过广域网访问部署于事务监控器上的服务,同时能与其它分布式系统互操作,但传统的事务监控器作为一种封闭的结构,对此支持不足.Web服务是一种新的分布式组件标准,可方便地部署于广域网上并灵活地进行企业应用集成,本文提出了事务监控器支持Web服务的一个可移植的设计框架TP-WS,可以在符合X/Open DTP模型的事务监控器中支持Web服务.本文设计现已应用到事务监控器ISTX2.0中.

一种高效的Web服务迁移算法

为了满足Web服务动态分布的需求,并保证Web服务迁移的一致性,提出一种基于Broker的Web服务迁移算法WS Broker.其在保证迁移一致性的基础上了,提高了迁移效率.另外,通过分析客户请求之间的依赖关系,提前执行了某些阻塞的客户请求,缩短了服务中断时间.实验结果表明,WS Broker在保证迁移一致性的基础上有效地提高了Web服务迁移的效率.

A DUAL ION-BEAM EPITAXY SYSTEM

The design and characteristics of a dual ion beam epitaxy system (DIBE) are discussed. This system is composed of two beam lines, each providing a mass-separated ion beam converging finally with the other into the target chamber. The ions are decelerated and deposited on a substrate which can be heated to a temperature of 800-degrees-C. Currents of a few hundred microamperes are available for both beams and the deposit energies are in the range from tens to 1000 eV. The pressure of the target chamber during processing is about 7 x 10(-6) Pa. Preliminary experiments have proved that compound semiconductor materials such as GaN can be synthesized using the DIBE system.

CONSTRUCTION AND APPLICATIONS OF A DUAL MASS-SELECTED LOW-ENERGY ION-BEAM SYSTEM

A direct ion beam deposition system designed for heteroepitaxy at a low substrate temperature and for the growth of metastable compounds has been constructed and tested. The system consists of two mass-resolved low-energy ion beams which merge at the target with an incident energy range 50-25 000 eV. Each ion beam uses a Freeman ion source for ion production and a magnetic sector for mass filtering. While a magnetic quadrupole lens is used in one beam for ion optics, an electrostatic quadrupole lens focuses the other beam. Both focusing approaches provide a current density more than 100-mu-A/cm2, although the magnetic quadrupole gives a better performance for ion energies below 200 eV. The typical current of each beam reaches more than 0.3 mA at 100 eV, with a ribbon beam of about 0.3-0.5 x 2 cm2. The target is housed in an ultrahigh vacuum chamber with a base pressure of 1 x 10(-7) Pa and a typical pressure of 5 x 10(-6) Pa when a noncondensable beam like argon is brought into the chamber. During deposition, the target can be heated to 800-degrees-C and scanned mechanically with an electronic scanning control unit. The dual beam system has been used to grow GaN using a Ga+ and a N+ beam, and to study the oxygen and hydrogen ion beam bombardment effects during carbon ion beam deposition. The results showed that the simultaneous arrival of two beams at the target is particularly useful in compound formation and in elucidation of growth mechanisms.

Deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy

Capacitance-voltage, photoluminescence (PL), and deep level transient spectroscopy techniques were used to investigate deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex epilayers grown by molecular beam epitaxy. The integrated intensity of the PL spectra obtained from Al-doped ZnS0.977Te0.023 is lower than that of undoped ZnS0.977Te0.023, indicating that some of the Al atoms form nonradiative deep traps. Deep level transient Fourier spectroscopy (DLTFS) spectra of the Al-doped ZnS1-xTex (x=0, 0.017, 0.04, and 0.046, respectively) epilayers reveal that Al doping leads to the formation of two electron traps 0.21 and 0.39 eV below the conduction band. DLTFS results suggest that in addition to the roles of Te as a component of the alloy as well as isoelectronic centers, Te is also involved in the formation of an electron trap, whose energy level with respect to the conduction band decreases as Te composition increases. Our results show that only a small fraction of Al atoms forms nonradiative deep defects, indicating clearly that Al is indeed a very good donor impurity for ZnS1-xTex epilayers in the range of Te composition being studied in this work. (C) 1997 American Institute of Physics. [S0021-8979(97)08421-1].

Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film

The optical band gap (E-g) of the boron (B)-doped hydrogenated nano-crystalline silicon (nc-Si:H) films fabricated using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) was investigated in this work. The transmittance of the films were measured by spectrophotometric and the E-g was evaluated utilizing three different relations for comparison, namely: alphahnu=C(hnu-E-g)(3), alphahnu=B-0(hnu-E-g)(2), alphahnu=C-0(hnu-E-g)(2). Result showed that E-g decreases with the increasing of Boron doping ratio, hydrogen concentration, and substrate's temperature (T-s), respectively. E-g raises up with rf power density (P-d) from 0.45W.cm(-2) to 0.60w.cm(-2) and then drops to the end. These can be explained for E-g decreases with disorder in the films.

基于产品线工程的组件容器开发方法研究

近年来，随着Internet规模的增长，分布式组件技术快速发展，新的组件模型不断涌现，现有的组件模型也持续更新。组件容器为组件及组件应用提供部署和运行环境，是基于组件分布式应用开发的核心。组件模型的多样化和快速演化要求组件容器的开发方法将研究范围扩大到整个领域。产品线工程是基于软件核心资产构建软件产品系列的工程方法，将产品线工程方法应用于组件容器领域可以促进组件容器的系统化复用，获得更高的生产效率和产品质量。 由于组件容器领域的特点，应用过程中现有的产品线工程方法体现出一些不足。产品线工程包括领域工程和应用工程，其中领域工程又由领域分析、领域设计和领域实现构成。组件模型是组件容器需求的主要来源，但目前缺乏对组件模型的统一认识和详细分析；领域分析建模要求领域模型有效地刻画领域需求的组织结构、相互关系和变化性，并提供具体的建模过程指导，现有的面向特征、基于用例等领域建模方法存在语义模糊、粒度不当、缺乏具体流程指导等不足。 针对上述问题，论文按照软件开发流程顺序，从需求分析、领域建模、领域设计等方面，对组件容器设计和开发的若干关键问题进行了重点研究，包括组件模型分析、基于原子需求的领域建模方法、组件容器产品线体系结构等。 首先，由于组件模型是组件容器需求的主要来源，针对现有的组件模型分析方法粒度较大的问题，通过分析相关软件实体可能具有的各种约束，选择从语法、部署和交互三个方面，得到构成组件模型的模型元素，提出了一个细粒度的组件模型分析框架。将该分析框架应用于目前有代表性的分布式组件模型，基于分析结果提炼了分布式组件模型的主要公共特征，并与其他分析方法做了对比。 另一方面给出了基于原子需求的领域建模方法。以原子需求概念为基础，提出了一个多层次的领域需求描述模型，从用例、原子需求等多个层次刻画领域需求，并基于变化点建立独立的变化性描述机制。介绍了相应的领域建模过程，包括其建模步骤、建模原则和描述规范，为领域分析人员提供具体指导。并结合领域实例探讨了领域建模的过程。 基于以上工作，本文设计了组件容器产品线体系结构PLACE。首先将基于软件实体的组件模型分析框架与基于原子需求的领域建模方法相结合，建立组件容器领域模型，进而提出了组件容器产品线体系结构PLACE，从体系结构、模块功能、变化性设计和变化性管理等方面介绍了其设计。具体组件容器的设计实例表明，PLACE通过在组件模型和体系结构间建立直接的对应关系，有效促进了组件容器领域内的系统化复用。 最后，我们将上述方法应用于网驰平台中组件容器产品系列包括Web容器、EJB容器、BPEL容器和Portlet容器等的设计。实验结果证实了基于PLACE的开发方法在保证产品功能正确性的同时，提高了组件容器领域内的结构复用性，获得了更高的生产效率和产品质量。