高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Au表面作用产生的X射线谱

利用光谱技术研究了高电荷态离子40Arq+(q=16,17,18)离子入射金属Au表面产生的X射线谱.分析结果表明,Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中在固体表面之下形成的空心原子发射的.当电子组态为1s2的高电荷态Ar16+离子在金属表面中性化过程中,存在着多电子激发过程使Ar16+的K壳层电子激发产生空穴,进而级联退激发射Ar的Kα特征X射线.入射离子的Kα-X射线产额与其最初的电子组态有关,靶原子的X射线产额与入射离子的动能有关.

低速高电荷态离子~(40)Ar~(16+)与云母表面作用中的电子发射研究

报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16+入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.

~(40)Ar~(10+)激发半导体功能材料P-Si表面的激发光谱

报道了用ECR离子源的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到p型Si表面的实验研究,通过实验测量到的Si原子和Si~(2+)离子的200nm-1000nm光谱,研究了谱线产生的机理。实验结果表明:低速高电荷态离子与固体表面相互作用中,可有效地激发原子和离子的特征谱线,分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。

Analysis of sky conditions using 40 year records of solar radiation data in China

IEECAS SKLLQG

~(40)Ar~(q+)离子入射金属表面形成的靶原子的特征光谱线

用动能一定而电荷态不同的 40Arq+(6≤q≤14)离子和动能不同的40Ar6+离子分别轰击金属Al, Ti, Ni,Ta和Au表面, 以及分别用动能相同(150 keV)的129Xe6+, 129Xe10+和129Xe15+轰击Ta表面, 靶原子受激辐射发出的200~1000 nm波段的特征光谱线的实验结果. 结果表明, 合适的弹靶组合(40Ar12+轰击Al, 129Xe6+轰击Ta表面)可使靶原子受激辐射的特征光谱的强度显著增强, 而靶原子受激辐射的强度与入射离子的动能没有强的关联.

Analysis of 40 years of solar radiation data from China, 1961-2000

IEECAS SKLLQG

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应中态布居核温度的同位旋效应

用 13单元望远镜探测器阵列测量了 30MeV u40 Ar +112 ,12 4Sn反应中小角关联粒子 ,由两体符合事件提取了α α关联函数 .用三体弹道理论模型MENEKA计算本底关联函数 ,用Monte Carlo方法计算探测效率函数 ,在扣除本底产额并考虑探测效率的修正后 ,对不同同位旋反应系统 40 Ar +112 Sn和 40 Ar+12 4Sn提取的相对态布居核温度分别是 4 .18±0 .2 50 .2 1MeV和 4 .10±0 .2 20 .2 0 MeV ;考察态布居核温度和粒子能量的关系时 ,观察到两个系统的发射温度均随着粒子能量的增加而降低 ,缺中子系统40 Ar +112 Sn中由低能时的 5 .13±0 .3 00 .2 6MeV降低到高能时的 3.87±0 .3 70 .2 9MeV ,丰中子系统 40 Ar +12 4Sn中由低能时的 5 .39±0 .3 00 .2 6MeV降低到高能时的 3.32±0 .2 80 .2 3 MeV .用激发热核衰变过程的同位旋选择性对这种同位旋相关性进行了解释

~(40)Ar~(10+)轰击Al和Si固体表面形成的200～1000nm光谱

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR离子源提供的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到Al和p型Si表面所产生的Al,Si,Ar原子的200～1000nm特征光谱的实验测量结果。结果表明,低速高电荷态离子与团体表面原子相互作用可有效地激发靶原子和靶离子的特征谱线,而且由于发射二次电子的无辐射退激与辐射光子退激过程的竞争,使得在p型Si表面上Ar原子的光谱强度总体大于在Al表面上的光谱强度。

35MeV/u~(40)Ar+~(197)Au反应中复合核的激发能与温度

利用大面积位置灵敏气体探测器对 35MeV u4 0Ar +197Au反应中形成的裂片进行了符合测量 ,由此得到了裂变复合核的速度分布 .在大质量转移假设下扣除前平衡发射粒子的影响 ,得到复合核的激发能 .另外利用望远镜探测器对反应中出射的轻带电粒子也进行了符合测量 ,并由后角α ,p ,d ,t的能谱提取了复合核的温度 .温度与激发能的关系没有表现出理论预言的相变特征 .

55MeV/u~(40)Ar~(17+)离子在生物等效材料中产生的核碎片

利用HIRFL(兰州重离子研究装置 )产生的 5 5MeV/u的4 0 Ar17+ 离子束 ,在辐照生物学实验终端 ,测量了其经过 1.5mm厚有机玻璃后三个不同角度的碎片分布情况。探索了应用由CsI(Tl) +快塑料闪烁探测器组成的Phoswich探测器研究重离子在生物材料中产生的核碎片角分布测量的可行性 ,结果表明这种实验方法是可行的 ,实验结果令人鼓舞。本工作为进一步的实验积累了可靠的经验。

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应中的同位素产额比与核温度

系统研究了 3 0MeV u40 Ar+ 1 1 2 ,1 2 4 Sn反应中的轻粒子同位素产额比随角度和初始激发能的变化关系 .对于两个反应体系 ,均观察到3He 4He和6Li 7Li的产额比随角度的增加而增加 ,6He 4He和8Li 7Li随角度的增加而减小 .统计发射的运动学效应不能完全符合实验结果 .各种单同位素产额比与靶核的N Z比有关 ,表现出同位旋效应 ,而由双同位素比提取的核温度几乎没有靶核相关性

35MeV/u~(40)Ar+~(197)Au反应中热核的碎裂密度

许多提取核反应过程中熵产生的方法只适用于高能核反应过程 ,而约化d的产额方法可以用于较低能量的重离子核反应中 .对于 3 5MeV/u40 Ar+ 197Au的核反应过程 ,利用这种方法所得的熵和约化带电粒子多重性提取的熵结果一致 .对于后角热核发射体系 ,实验提取的核温度为 ( 4.7± 1 .2 )MeV ,熵为S/A =2 .5± 0 .5,根据实验提取的熵和核温度可以确定其碎裂密度小于 0 .1 ρ0

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应后角能谱温度的同位旋效应

在 30MeV/u4 0 Ar +112 ,12 4 Sn反应中用平行板雪崩计数器实现了前冲余核的测量 .在不同的线性动量转移下用运动源模型拟合了后角的3 He,α和6He能谱 ,发现3 He的能谱斜率温度在12 4 Sn系统中高于112 Sn系统 ,而6He的温度在112 Sn系统中更高 ,α粒子在两个系统中没有明显差别 .用热核粒子蒸发过程衰变道的选择性对这种同位旋相关性进行了解释 .GEMINI的计算不能重现实验结果

35MeV/u~(36,40)Ar+~(112,124)Sn反应中同位旋自由度的弛豫

35MeV/u 36 ,40　Ar+ 112 ,12 4Sn反应中 ,在前角 5°和 2 0°观测到丰中子核与稳定核的产额比随粒子出射动能的增加而减小 ,而缺中子核与稳定核的产额比随动能的增加而增加 .对于某种元素 ,随着动能的减小 ,其平均中质比逐渐由弹核N/Z向靶核N/Z过渡 .这些现象表明在这样的入射能量下 ,周边或近周边碰撞过程中同位旋自由度没有完全达到平衡 .这种行为对两个靶核系统是相似的 ,但是同位素产额比的绝对值在 5°没有靶核相关性 ,而在 2 0°处却表现出明显的靶核相关性 .