Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性

采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiN_x多量子阱材料.对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质.采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性.实验结果表明,其非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收.由实验数据计算得材料三阶非线性极化率为7.50×10~(-8)esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率大4个数量级.对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应增强.

用Z扫描法测量a-Si/SiO_2多量子阱材料非线性折射率

国家自然科学基金

3～5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器

于2010-11-23批量导入

优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量

一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的In_xGa_(1-x)As缓冲层的MOCVD生长.在这种In_xGa_(1-x)As缓冲层上生长的In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-x)As双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质.超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰,表明超晶格界面质量很好.主要应用X射线双晶衍射方法,给出了样品中各层的应变状态.据此,合理地解释了样品的光学测试结果.

直接鉴别超重元素Z和A的一种新的可能方法

随着合成的超重元素向超重岛逼近,合成截面越来越小,同时,合成的超重元素的寿命可能相对增长,这对利用α衰变链的传统方法鉴别超重元素是非常不利的。讨论了可能突破这个瓶颈的一种可以直接鉴别超重元素原子序数Z和质量A的新方法,即与RFQ离子阱技术相结合的激光多步共振电离方法,对实现这种方法的途径、该方法所面临的困难和挑战、需要进行的前期研究工作以及该方法的可能性和可行性进行了较详细的讨论。

新同位素~(265)Bh(Z=107)的合成证据

利用兰州重离子加速器提供的26Mg离子束轰击243Am靶, 产生了新同位素265Bh. 实验中用氦喷技术对产物进行传输, 并用一套具有数对探测器组的转轮收集探测系统对产物进行收集和测量. 通过观测265Bh与它的衰变子核261Db及257Lr之间的α衰变的关联, 实现了对新核素的鉴别. 实验测得265Bh的α衰变能量为(9. 24±0. 05)MeV, 半衰期为 0. 94+0. 70 0. 31 s.

~(265)Bh(Z=107)同位素的首次观测

在兰州的重离子加速器上用 2 6Mg离子束轰击 2 43 Am靶 ,产生了新同位素 2 65Bh .通过观测新同位素 2 65Bh和它的已知子核 2 61Db和 2 57Lr之间的α衰变的关联 ,实现了对新核素的鉴别 .实验中使用了一套新建立的具有数个探测器对的转轮收集探测系统 .将该系统用于特殊的母 -子核搜索模式 ,从而大大减少了本底 .共测得了 8个 2 65Bh的α衰变关联事件 ;同时 4个已知核 2 64Bh的衰变关联事件也被鉴别出来 .实验测得 2 65Bh的α衰变能量为 (9.2 4± 0 .0 5 )MeV ,半衰期为 0 .94 + 0 .70-0 .3 1s .

利用深部非弹反应对Z≈56,N≈80区核激发态的探索性研究

通过 4 1 0MeV82 Se轰击天然Ba靶引起的深部非弹反应布居产生了类弹和类靶余核的激发态 ,利用在束γ谱学方法测量了它们的退激γ .通过γ -γ符合测量估计了类弹、类靶余核激发态的产生截面 ,在多个类靶余核中观测到了新γ跃迁 ,并建立了136 Ba的新能级纲图 ,说明利用深部非弹反应研究Z≈ 56,N≈ 80区高自旋态是有效、可行的