988 resultados para Rosales, Jacob Hebraeus, ca. 1588-ca. 1668.


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用卢瑟福背散射沟道技术研究了1MeVSi~+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下, 观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围, 以及两种速率失去平衡的临界剂量。用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。

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