A 16-term error model based on linear equations of voltage and current variables

Formulation of a 16-term error model, based on the four-port ABCD-matrix and voltage and current variables, is outlined. Matrices A, B, C, and D are each 2 x 2 submatrices of the complete 4 x 4 error matrix. The corresponding equations are linear in terms of the error parameters, which simplifies the calibration process. The parallelism with the network analyzer calibration procedures and the requirement of five two-port calibration measurements are stressed. Principles for robust choice of equations are presented. While the formulation is suitable for any network analyzer measurement, it is expected to be a useful alternative for the nonlinear y-parameter approach used in intrinsic semiconductor electrical and noise parameter measurements and parasitics' deembedding.

单侧耦合16通道100GHz硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

介绍了一种新型单侧耦合16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG).通过增加一个Y分支波导结构,将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,仅用一个光纤阵列(FA)就可以对AWG器件进行耦合封装.这种AWG的结构设计可有效地减小器件尺寸和增加波导结构的弯曲半径,可减少器件的抛光和耦合时间,可降低器件的成本.

16信道0．35μmCMOS／VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器（VCSEL）及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性，将1×16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装（MCM），混合集成为16信道VCSEL光发射功能模块。测试过程中，功能模块的光电特性及其均匀性良好，测量的-3dB频带芝宽度大于2GHz。

温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

测量了ZnSe，Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10～300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小，而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se层的应变可能是反转温度变低的原因。

16-channel 0.35 mu m CMOS/VCSEL optoelectronic devices

We report some investigations on vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays and VCSEL based optoelectronic smart photonic multiple chip modules (MCM), consisting of 1 x 16 vertical cavity surface emitting laser array and 16-channel lasers driver 0.35 mum CMOS circuit. The hybrid integrated multiple chip modules based on VCSEL operate at more than 2GHz in -3dB frequency bandwidth.

16-channel VCSEL based multiple chip modules

　

~(40)Ar~(16+)入射金属表面的近红外光谱线发射

速度小于Bohr速度(vBhor=2.9×106m/s)的高电荷态离子40Ar16+(动能EK=150keV,速度v=8.5×105m/s)入射金属(Ni,Mo,Au和Al)表面,同时测量产生的Ar原子近红外光谱线和X射线谱.实验结果表明,低速高电荷态离子在金属表面俘获电子中性化,形成多激发态的Ar空心原子,空心原子退激辐射从近红外光谱线到X射线波段谱线,近红外光谱线辐射强度说明,低速高电荷态离子在金属表面中性化过程中,金属的功函数起着重要作用,进而验证了经典过垒模型.

Ar~(16+)与Zr作用产生的X射线谱

本工作对超导离子源(SECRAL)上的10~20 kV/q Ar16+和Ar17+入射到金属Zr表面进行实验研究。实验结果表明,高电荷态Ar16+在金属表面存在着多电子激发过程。Ar空心原子的K层发射X射线强度随入射离子的动能减少,靶原子Zr的L壳层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强。Ar17+单离子的K-αX射线产额比Ar16+单离子的K-αX射线产额大5个数量级。

低速高电荷态离子~(40)Ar~(16+)与云母表面作用中的电子发射研究

报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16+入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.

荷能~(12)C离子对抗癌药物VP_(16)的效应

本文采用 5 5MeV u1 2 C6+离子注入鬼臼衍生物之一———鬼臼乙叉甙 (VP1 6) ,针对它在临床上的缺点 ,试图利用重离子的能量转移和质量沉积对其分子组成与结构进行改造 ,以增加它的水溶性 ,提高疗效 ,减小毒性。实验样品在离子注入后 ,先后进行了紫外 (UV)、高效液相 (HPLC)和液质联用 (HPLC -MS)分析 ,并对癌细胞K5 6 2和HL- 6 0分别进行了药理活性测定 ,取得了初步结果和进行了简短讨论。

~(16)O(α,γ)~(20)Ne反应的实验研究

讨论了目前16O(α ,γ) 2 0 Ne反应的实验研究工作 ,并对2 0 Na β+—→2 0 N →16O +α的β+ 缓发衰变α能谱的相对强度值同文献进行了比较 ,讨论了低能激发能级、共振强度及其对共振截面的贡献、S因子的理论研究 .